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Développement d'une nouvelle méthode de caractérisation électrothermique de transistors en nitrure de gallium

Arenas, Osvaldo Jesus January 2015 (has links)
La vie dans la société contemporaine a changé énormément depuis l’invention du premier transistor électronique en 1947. L’apparition des transistors a permis la miniaturisation de systèmes électroniques de toute sorte dont la performance des transistors est aussi un aspect essentiel. Présentement, dans les marchés de semi-conducteurs à forte puissance et dans le secteur des technologies de l’information et des communications (TIC), les transistors GaN (Eg = 3,42 eV) présentent des avantages par rapport à leurs concurrents en Si et en GaAs pour les applications d’amplificateurs de puissance RF, la rectification et la commutation à forte puissance. La densité de puissance atteinte par les transistors GaN à effet de champ à haute mobilité (GaN-HEMTs) a dépassé 40 W∙mm[indice supérieur -1] à 4 GHz [Wu, Y.F. et al 2006]. Cependant, la génération de chaleur dans le canal provoque une augmentation de la température du semi-conducteur (autoéchauffement) qui provoque à la fois une diminution de la mobilité des électrons, ce qui va diminuer la performance du dispositif. Si la température du dispositif dépasse certaines limites, le dispositif risque de se dégrader de façon permanente avec un impact négatif sur la fiabilité [Nuttinck, S. et al., 2003]. Ainsi, il est très important de déterminer de façon fiable la température du canal dans les conditions réelles de fonctionnement pour modéliser le comportement des composants et pour obtenir les niveaux de performance et de fiabilité requises pour le progrès de cette technologie prometteuse. Ce projet vise au développement d’une nouvelle méthode de mesure de la température du canal des HEMTs AlGaN/GaN par contact direct avec les dispositifs, qui soit pratique et ne demande pas des systèmes sophistiqués ni dispendieux. Ainsi, on a réalisé la conception, la fabrication et la caractérisation d’une µRTD prototype potentiellement intégrable dans les dispositifs HEMT GaN. On a obtenu des capteurs qui fonctionnent de façon quasi linéaire dans une portée de températures de 25 à 275 °C et potentiellement au-delà de ces limites. On a réalisé des échantillons de transistors GaN avec des µRTDs intégrés, on a développé des dispositifs auxiliaires pour la calibration de µRTDs et pour la réalisation des mesures de température de canal (Tch) sous plusieurs conditions de polarisation. Dans un échantillon prototype, les valeurs de Tch mesurées avec le µRTD sont en accord avec des simulations 3D à éléments finis à plusieurs conditions de polarisation d’un dispositif sans-grille. Les mesures montrent des effets négligeables de perturbation électrique entre le dispositif et la µRTD [Arenas, O., et al., 2014 A]. Sur des échantillons de deuxième génération, on a mesuré la T[indice inférieur ch] d’HEMTs GaN sous plusieurs conditions de polarisation sur substrats en SiC et en saphir pour obtenir une carte Ids-Vds-Tch pour chaque dispositif [Arenas, O., et al., 2014 B]. Ainsi, les résultats obtenus démontrent que l’on peut mesurer la Tch d’un HEMT GaN polarisé en DC avec un µRTD avec peu d’interférence électrique et peu de perturbation thermique sans avoir besoin d’équipements sophistiqués ni onéreux. À l’avenir la méthode proposée peut potentiellement être appliquée sur dispositifs de plus petite taille si l’on utilise des technologies de fabrication basées sur la lithographie par faisceau d’électrons. Ainsi, elle pourra bientôt être disponible dans les plaques des dispositifs de production et de recherche.
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Développement et intégration de microcapteurs de pH et de température dans des dispositifs microfluidiques polymères / Developing and integrating of pH and temperature microsensors in polymeric microfluidic devices

Ait-Ali, Imene Feriel 13 January 2014 (has links)
Afin de réaliser des dispositifs en polymère à forte valeur ajoutée, l'industrie de la plasturgie s'intéresse depuis quelques années à la convergence possible entre les microtechnologies et les méthodes industrielles de mise en oeuvre des polymères (le thermoformage et la thermo-injection). Dans ce contexte, l'objectif de cette thèse est de démontrer l'intérêt d'une approche à base de microtamponnage pour l'intégration de capteurs à base métallique dans des circuits microfluidiques en thermoplastique réalisés par thermoformage. Pour ces matériaux, cette approche apparait plus pertinente en terme de production de masse qu'une approche de photolithographie classique. Nous avons choisi de démontrer ce concept en étudiant l'intégration d'un capteur de pH et d'un capteur de température dans un système microfluidique en copolymère d'oléfine cyclique (COC) réalisé par thermoformage. En effet, la mesure de ces paramètres physico-chimiques est extrêmement répandue dans différents domaines d'application allant de la chimie à la biologie et à la médecine. Pour le capteur de pH, nous avons développé une couche sensible au pH à base d'oxyde d'iridium (IrOx) électrodéposé sur or. L'influence de différents paramètres (solution d'électrodépôt, méthode d'électrodéposition, nature du substrat métallique et son mode de préparation) sur la réponse au pH de ces couches a été étudiée. Nous avons ainsi pu démonter qu'une approche par microtamponnage passive est adaptée à la préparation de capteurs de pH sur un substrat en COC/Au ayant une sensibilité de -72 mV/pH et une durée de vie de 1 an. Pour le capteur de température, la solution retenue est basée sur le principe d'une thermorésistance. Les capteurs ont été élaborés en utilisant une approche par microtamponnage actif avec croissance d'une couche de nickel (dont l'épaisseur varie entre 0,2 et 5 μm) par métallisation autocatalytique sur polyimide. La dérive des capteurs est actuellement trop importante pour une application pratique. Finalement, des résultats préliminaires d'intégration de ces capteurs dans un microsystème fluidique thermoformé sont présentés avec notamment une configuration originale de mesure différentielle du pH / The plastics industry has been interested for some years in the possible convergence between microtechnologies and conventional polymer manufacturing (hot embossing and injection molding). In this context, this thesis aims at demonstrating the potential of a process based on microcontact printing in order to integrate metal based sensors in thermoplastic microfluidic devices shaped by hot embossing. For the mass production of thermoplastic devices, this approach appears more relevant than conventional photolithography. We chose to demonstrate this concept by investigating the integration of both a pH sensor and a temperature sensor in a thermoformed Cyclo Olefin Copolymer (COC) microfluidic system. Indeed, the measurement of these physicochemical parameters are extremely widespread in different applicative areas ranging from chemistry tobiology and medicine. For the pH sensor, we developed a pH-sensitive layer based on electrodeposited iridium oxide (IrOx) on Au. The influence of various parameters (plating solution and method , nature of the metal substrate and its method of preparation) on the pH response of these layers was studied. We were able to demonstrate that microcontact printing based on a passive approach is suitable for the preparation of pH sensors on a COC substrate with a sensitivity of -72 mV/pH and a 1 year lifetime. As regards the temperature sensor, the solution was to design a thermistor. Sensors were implemented with an approach based on active microcontact printing followed by electroless deposition of nickel (thickness varies between 0,2 and 5 μm) on polyimide. The drift of these sensors is too large for practical application. Finally, preliminary results presenting the integrating of these sensors in a fluidic microsystem are reported using an original configuration based on differential measurement of pH

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