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Grenzflächenverhalten und Morphologie des ZnO/Si-Heterokontaktes eine Photoemissionsstudie /Meier, Ulrich. Unknown Date (has links) (PDF)
Brandenburgische Techn. Universiẗat, Diss., 2004--Cottbus.
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Desintegration des Gefüges von Zinkoxidphosphatzement : Untersuchungen über die Apposition von Zahnstein nach der Desintegration des Zementes im Randbereich festsitzender prothetischer Restaurationen /Patyk, Alfred Johannes. January 1998 (has links)
Zugl.: Göttingen, Universiẗat, Habil.-Schr., 1995.
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Darstellung von Photosensibilisatoren und elektrochemische Abscheidung von sensibilisierten nanostrukturierten ZinkoxidelektrodenMichaelis, Esther. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2005--Bremen.
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Synthese, Charakterisierung und Applikationen von unbeschichteten, silan-beschichteten und UV-modifizierten Nano-ZinkoxidenRohe, Bernd. Unknown Date (has links) (PDF)
Essen, Universiẗat, Diss., 2005--Duisburg.
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Molecular beam epitaxy growth and characterization of ZnO-based layers and heterostructuresElshaer, Abdelhamid Abdelrehim Mahmoud January 2008 (has links)
Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2008
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ZnO-basierte Metall-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren mit Wolframoxid als GatedielektrikumLorenz, Michael 25 March 2013 (has links) (PDF)
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden Zinkoxid (ZnO)-basierte Metal-Isolator-Halbleiter Feldeffekttransistoren (MISFETs) mit Wolframtrioxid als transparentes Dielektrikum untersucht. Im ersten Teil werden die morphologischen, optischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften der mittels gepulster Laserabscheidung (PLD) gewachsenen Wolframoxiddünnfilme, in Abhängigkeit vom Züchtungsdruck, diskutiert. Mit Hilfe dieser Ergebnisse konnte schließlich das hochisolierende Wolframtrioxid erfolgreich mit einer transparenten Gateelektrode, bestehend aus dem entarteten Halbleiter Zink-Galliumoxid (ZGO) bzw. Zink-Aluminiumoxid (AZO), kombiniert und somit MISFETs auf kristallinen und amorphen Substraten realisiert werden. Zur Optimierung der Transistoreigenschaften wurde die Dicke des Dielektrikums variiert und der Einfluss auf die Transfereigenschaften diskutiert. Des Weiteren wurde zur Verschiebung der Einschaltspannung eine Variation der Kanaldicke und des Elektrodenmaterials des Gates untersucht, wodurch die Möglichkeit der Herstellung von Verarmungs- bzw. Anreicherungstyptransistoren gegeben wurde. Um einen Vergleich der Transfereigenschaften des MISFETs gegenüber einem Metall-Halbleiter Feldeffekttransistor mit einem Schottky-Gatekontakt, bestehend aus oxidiertem Platin bzw. einem Sperrschicht-Feldeffekttransistor mit Zinkkobaltit als p-dotierten Bereich zu ermöglichen, wurden alle drei Transistorarten auf einem Substrat hergestellt und umfassend verglichen. Schließlich wird die Stabilität der Transistoren untersucht. Dabei wird der Einfluss einer permanenten Spannungsbelastung auf die Transfereigenschaften unter verschiedenen einflussnehmenden Bedingungen diskutiert. Abschließend werden aufgrund einer sich ausbildenden Hysterese der Transistoreigenschaften mögliche Ursachen derselben und Wege zur Passivierung der Bauelemente untersucht.
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Untersuchungen zur Sensibilisierung von Glasoberflächen mit Zinkoxid für das electroless plating von Nickel-Phosphor-Schichten unter besonderer Beachtung des Einsatzes derartiger Metallschichten als Elektroden in elektrochemischen SensorenReinecke, Matthias 13 July 2009 (has links) (PDF)
In der Halbleitertechnik, wie auch in der chemischen Sensorik werden Metallstrukturen mit geringen Strukturbreiten auf Substratoberflächen mit sehr niedriger mittlerer Rauhtiefe (wie Glas bzw. polierten Siliziumeinkristallen) benötigt. Die für diesen Zweck industriell angewandten Verfahren sind solche, die mit einer Abscheidung aus der Gasphase arbeiten (PVD, CVD). In der vorgelegten Arbeit werden zwei Varianten zur Sensibilisierung von Silikatglasoberflächen mit Zinkoxid für das electroless plating von Nickel-Phosphor-Schichten beschrieben. Die Strukturierung erfolgte mit einem photolithographischen Prozess. Die so sensibilisierten Glasoberflächen wurden in einer sauren Palladiumchloridlösung aktiviert und in einer alkalischen Lösung mit Nickel-Phosphor metallisiert. Nach dem elektrolytischen Abscheiden einer Gold- bzw. Silberschicht sind elektrochemische Untersuchungen zur (Langzeit-)Stabilität der Schichtsysteme durchgeführt worden, in deren Verlauf der Nachweis der Eignung für den Einsatz als Elektroden in elektrochemischen Sensoren erbracht worden ist.
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Magnetische Resonanz an magnetischen HalbleiternHübel, Alexander. January 2004 (has links)
Stuttgart, Univ., Diplomarbeit, 2004.
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Magnetronsputtern von hochleitfähigen ZnO:Al-Schichten für die PhotovoltaikRuske, Florian January 2009 (has links)
Zugl.: Giessen, Univ., Diss., 2009
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Der Einfluß ionen- und elektronenleitender Oxidkeramiken auf die Kinetik der MethanolreformierungAllmendinger, Frank. January 2003 (has links)
Stuttgart, Univ., Diss., 2003.
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