Ulm, Univ., Diss., 2000.

Thesis--Leyden. / In Periodical Room.

Universiẗat, Diss., 1999--Osnabrück.

Universiẗat, Diss., 2000--Dortmund. / Dateiformat: PDF.

Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Berlin.

Techn. Universiẗat Diss., 2004--Berlin.

Th.--Sci. phys.--Paris 13--Bobigny, 1981. / Rés.

Targeted radiotherapy (TRT) is a technique which allows for individual cancer cells to be targeted by radiation. However, there is variation in uptake at the whole body, organ, cellular and subcellular levels. This distribution affects the biological efficacy of the TRT agents. To address this problem, novel techniques have been developed and demonstrated. These aim to provide quantitative information about the spatial distribution of Auger electron (AE) emitting radiopharmaceuticals at the subcellular level. Two methods have been developed. The first, photoresist autoradiography (PAR), uses photoresists as an autoradiography substrate, and the second uses microautoradiography (MAR) and a transmission electron microscope (TEM). The techniques have been demonstrated using the AE emitter indium-111. Firstly, PAR is demonstrated using poly (methyl methacrylate) (PMMA). Photoresists were exposed to indium-111 which had been internalised into cells, and the photoresists were analysed using atomic force microscopy (AFM). The technique has a theoretical resolution in the nanometre range and was able to demonstrate cellular patterns on the micron scale. To gain quantitative information, the photoresist response (depth of pattern) was calibrated as a function of electron fluence and a model of the patterns was created. Combining the calibration data with the point source model allowed the position and intensity of the internalised source terms to be estimated using the PAR method. Secondly, a technique for electron microscope-microautoradiography (EM-MAR) was developed. The processing conditions of the MAR technique were determined and staining techniques developed, to produce high quality TEM micrographs. A time course experiment showed the distribution and variation in the uptake of the radiopharmaceutical at the cellular level. Both techniques are able to provide information about the subcellular distribution of the radioactivity at a higher resolution than current techniques. Both enable the collection of information which can be used in microdosimetric calculations.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciencias Fisicas e Matematicas / Made available in DSpace on 2012-10-16T11:09:45Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T21:15:28Z : No. of bitstreams: 1 107410.pdf: 2306194 bytes, checksum: a2afdc0aada55f67f68af26080b8e8f4 (MD5) / O objetivo principal deste trabalho é estudar o processo experimental de eletrodeposição de filmes de cobre sobre silício monocristalino. O arranjo experimental utilizado é constituído de uma célula de três eletrodos, o eletrólito e um potenciostato. Sulfato de cobre (CuSO4) em solução aquosa foi empregado como fonte de íons de cobre. Variações na estrutura do depósito, sua morfologia e sua composição foam conseguidas com alterações nos potenciais aplicados durante a deposição, com a adição de substâncias na solução empregada como eletrólito e com o controle do pH da mesma. O arranjo experimetnal também foi utilizado para a obtenção de informações sobre o sistema de deposição estudado, com o uso da técnica de voltametria cíclica. A análise e caracterização dos filmes foi obtida através das técnicas de espectroscopia de elétrons Auger, microscopia eletrônica de varredura e espectrometria de retro-espalhamento Rutherford. Foram observadas características específicas do sistema metal/semicondutor, como a formação de barreira Schottky. O crescimento de um depósito de cobre pode ser constatado em dois regimes: anódico e catódico. Para ambos os regimes foi observado que as camadas de cobre não apresentavam contaminantes a nível de detecção das técnicas utilizadas. Somente foram detectados contaminantes na superfície e na interface Si/Cu, principalmente oxigênio. No regime anódico, foi observado o crescimento de um depósito de cobre e a concomitantemente corrosão da superfície do silício. Um modelo para explicar a deposição de cobre em regime de corrente anódica será apresentado.

No description available.