München, Techn. Universiẗat, Diss., 1999.

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:39:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_EdmundodaSilva_M.pdf: 5308317 bytes, checksum: 20971ae40ce7bc535f5a7263f36d78e3 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed / Mestrado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Jacobus W. Awart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-20T13:31:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_Everson_M.pdf: 2964814 bytes, checksum: 692cba9937a16e0772d2832eac928239 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo inicial sobre os mecanismos de transporte de corrente envolvidos em uma heterojunção. Vemos que os mecanismos de deriva e difusão não são suficientes para descrever seu comportamento elétrico ( devido a um spike na banda de condução, no caso de transistor Npn), sendo introduzido o mecanismo de Emissão-Termiônica. Considerando este novo mecanismo modelos EBERS-MOLL e GUMMEL-POON são obtidos para descrever este transistor. Destes modelos, considerando um transistor de uma única heterojunção abrupta na junção de base-emissor, obtemos as equações das correntes de base e de coletor na região onde os efeitos de resistências parasitárias e térmicos são desprezados. Nestas condições mostramos a equivalência entre os dois modelos e consideramos somente o modelo EBERS-MOLL. Comparando os resultados práticos com os teóricos, vemos correntes de coletor calculadas muito menores que os valores medidos. Isto se deve ao fato de não levarmos em conta o tunelamento de cargas através do spike. O efeito do tunelamento é aumentar o valor da corrente e saturação (IS) e o fator de idealidade (nF). Assim conseguimos uma boa concordância entre o modelo teórico e as curvas experimentais. Para altos valores de tensão entre base-emissor, o tunelamento desvia o modelo das curvas experimentais. Tendo o modelo, partimos para a obtenção dos parâmetros necessários a sua descrição Avaliamos e implementamos um conjunto de técnicas de medidas e extração de parâmetros ( rE, rC , IS, nF, ISE, nE, ISC, nC, bF e bR). Derivamos também o modelo de pequenos sinais a partir do modelo DC e estudamos uma metodologia de extração deste modelo a partir de medidas de parâmetros S do dispositivo. A extração não foi possível devido aos altos efeitos parasitários decorrente das estruturas de testes de microondas. Nos apresentamos soluções para reduzir estes efeitos. Realizamos medidas e comparamos três tipos diferentes de dispositivos: transistores bipolares de homojunção , transistores bipolares de heterojunção de AlGaAs/GaAs e transistores bipolares de heterojunção de InP /InGaAs. Nos transistores de AlGaAs/GaAs que medimos vemos uma ausência da região onde a relação entre a corrente de coletor e de base é constante, devido a alta taxa de recombinação lateral. Já nos transistores de InP /InGaAs que medimos esta região existe, mas é devido a alta taxa de recombinação na região neutra de base / Abstract: A study about current transport mechanism through a heterojunction is presented. Drift and diffusion mechanism are not enough to describe the electrical current (due to a spike in the conduction band of the Npn transistor). This has led to the introduction of the Thermionic-Emission mechanism. The Ebers-Moll and Gummel-Poon models are also compatible with this last mechanism. The equations of the base and collector currents for a transistor with a single heterojunction are developed, considering that parasitic resistances and thermal effects are negligible. It is shown that both models, Ebers-Moll and Gummel-Poon, are equivalent. Based on this, the Ebers-Moll model was selected. By comparing the calculated currents with the experimental ones, it is I shown that the calculated ones are much smaller. This is proposed to be I attributed to the tunneling through the spike. The effect of tunneling is to increase the parameters of saturation current (IS) and ideality factor (nF). A good , fit between experiment and model is obtained by this way. For high base-emitter bias values, however, the model deviates from the experimental curve. A set of DC measurement techniques was implemented and parameter extraction procedures were implemented and analyzed. A small signal model was derived from the DC model and a methodology for extracting the parameters of the model from the S parameters of the devices is presented. The actual extraction of the AC parameters of the devices was not possible due to high parasitic effects associated to the layout of the pads. Corrections for the problem are presented. ' Three different types of devices were measured and compared: homojunction bipolar transistors, HBTs of AIGaAs/GaAs and HBTs of InP/lnGaAs. For the AIGaAs/GaAs devices, no bias range with constant relation between base and collector currents was obtained, due to a high lateral recombination current. On the other hand, for the InP/lnGaAs devices, a constant relation between base and collector current was obtained, in this case attributed to a high recombination current in the neutral base region / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alvaro Geraldo Badan Palhares / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T17:17:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pomilio_JoseAntenor_M.pdf: 9468816 bytes, checksum: 273f16c4bb5d49cf4076c3209344ed44 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T11:40:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vieira_AdrianoF_M.pdf: 4125446 bytes, checksum: 3cb309b32c4e54f48807a430de6e2499 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-19T19:29:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brito_JoaoCarlosFelicio_M.pdf: 2579044 bytes, checksum: ed248efdba7910063035d9387507321b (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Neste trabalho é feita uma análise detalhada do comportamento térmico da tensão de Threshold, Vt, do transistor MOS. Como a variação da tensão Vt com temperatura é sensivelmente afetada pela tensão de corpo, Vsb, foi investigada a possibilidade de utilizar a diferença entre os Vi's de dois transistores, ÓVt, que estejam sujeitos a tensões de corpo distintas, como termo de compensação térmica a Vt. A análise mostra que a tensão 11Vt, se devidamente ajustada, apresenta um comportamento térmico oposto ao de Vt, tomando viável a obtenção de uma tensão termicamente estável à partir de uma combinação linear de Vt e 11Vt. O trabalho está dividido em sete capítulos, tendo os três primeiros o objetivo de dar uma visão do problema. Assim, no primeiro capítulo é apresentada uma argumentação sobre a necessidade de uma referência de tensão. No segundo capítulo é descrito o princípio em que se baseia a chamada referência de tensão "Bandgap", comumente implementada em tecnologia Bipolar e no terceiro capítulo é feita uma resenha das prinicipaispublicações sobre referências de tensão MOS. O quarto capítulo corresponde ao trabalho de pesquisa realizado. Aí são apresentados o equacionamento e análises dos modelos do transistor MOS, focalizando, particularmente a variação em temperatura da tensão de Threshold sob influência de Vsb. Com base nos resultados obtidos, especula-se a proposição de uma referência de tensão cujo princípio de compensação térmica é inédito. O trabalho não apresenta um. circuito que implemente este novo princípio, porém propõe uma possível estrutura que é analisada e simulada ..em Spice, sendo este o assunto do quinto capítulo. Os dois últimos capítulos correspondem, respectivamente, à apresentação do leiaute de uma estrutura de teste que foi submetida a fabricação através do PMU-IO e Conclusões / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação apresentada para obtenção do grau de Doutor em Engenharia Electrotécnica e de Computadores na Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto, sob a orientação do Prof. Doutor Jorge Leite Martins de Carvalho e do Prof. Doutor Adriano da Silva Carvalho

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Ciências Biológicas, Departamento de Botânica, 2016. / Submitted by Raquel Almeida (raquel.df13@gmail.com) on 2017-06-28T19:44:07Z No. of bitstreams: 1 2016_AmandadosSantosLimaMarinho.pdf: 2787192 bytes, checksum: 2b8b45aa09206ab5a48796f2b6f506a3 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2017-08-12T00:09:37Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_AmandadosSantosLimaMarinho.pdf: 2787192 bytes, checksum: 2b8b45aa09206ab5a48796f2b6f506a3 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-08-12T00:09:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_AmandadosSantosLimaMarinho.pdf: 2787192 bytes, checksum: 2b8b45aa09206ab5a48796f2b6f506a3 (MD5) Previous issue date: 2017-08-11 / Espécies bipolares são aquelas que possuem ocorrência disjunta, são encontradas em áreas temperadas de altas latitudes do Hemisfério Norte e do Hemisfério Sul, frequentemente sem presença nas regiões intermediárias. Polytrichaceae é uma família de musgos acrocárpicos e Polytrichum seção Juniperifolia Brid. possui três espécies bipolares: Polytrichum piliferum Hedw, Polytrichum juniperinum Hedw. e Polytrichum strictum Menzies ex Brid. O objetivo do presente trabalho foi verificar a bipolaridade das três espécies de Polytrichum seção Juniperifolia que ocorrem na Antártica, utilizando caracteres morfológicos e moleculares. Os dados morfológicos tradicionalmente utilizados para separar as espécies foram reavalidados e outras ferramentas como a Microscopia Eletrônica de Varredura e a morfometria foram utilizadas de forma a testar novos caracteres morfológicos. A reconstrução filogenética de Polytrichaceae foi feita utilizando o marcador trnL-F e árvores filogenéticas de inferência bayesiana e verossimilhança foram apresentadas. Verificou-se que P. piliferum, P. juniperinum e P. strictum apresentam pequenas diferenças morfológicas entre os espécimes que ocorrem na região norte e na região sul, entretanto as pequenas diferenças são incapazes de separar morfologicamente os espécimes dos dois hemisférios. Na análise molecular verificou-se que os espécimes de P. piliferum são monofiléticos, corroborando a bipolaridade da espécie. P. juniperinum e P. strictum são espécies similares morfologicamente, considerando que as características morfológicas utilizadas para separá-las se sobrepõem e novos caracteres morfológicos não foram encontrados. No entanto, as análises moleculares demonstram que embora próximas geneticamente tratam-se de duas espécies diferentes, sugerindo que P.strictum possa ser uma espécie críptica. As espécies Polytrichum juniperinum e P. strictum são monofiléticas e podem ser consideradas bipolares. Desta maneira as espécies de Polytrichum seção Juniperifolia que ocorrem na Antártica são bipolares. / Bipolar species are possessed disjunct distribution, with occurence in regions temperates at high latitudes of the North Hemisphere and of the South Hemisphere, frequently absent in intermediate regions. The Polytrichaceae are a family of the acrocarpous mosses and Polytrichum sect. Juniperifolia Brid. possessed three bipolar species: Polytrichum piliferum Hedw, Polytrichum juniperinum Hedw. and Polytrichum strictum Menzies ex Brid. In this study we aim verify bipolarity of the tree species of Polytrichum sect. Juniperifolia that occur in Antarctic, utilizing morphological and molecular characters. The morphological data traditionally used to separate the species were reassessed and the others instruments as the Scanning Electron Microscopy (SEM) and morphometry were utilized to evaluate unused morphological characters. The phylogenetic reconstruction of Polytrichaceae were made using the marker trnL-F and the phylogenetic trees of bayesian analysis and likelihood analyses were presented. It was verified that P. piliferum, P. juniperinum and P. strictum present small differences morphological between the specimens that occur in northern region and southern region, however the small differences are inefficient to separate morphologically the specimens of the both hemispheres. It was verified in molecular analysis that the specimens of P. piliferum are monophyletic, corroborating bipolarity of specie. P. juniperinum and P. strictum are species morphologically similars, whereas the morphological characters used to separate them overlap and unused morphological characters weren't found. Nevertheless, the molecular analysis demonstrated which though genetically similars they are diferents species, suggesting that P. strictum can be cryptic specie. The species Polytrichum juniperinum e P. strictum are monophyletic, proving the bipolaty of both species. Thus the species of the Polytrichum sect. Juniperifolia that occur in Antarctic are bipolar.

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:48:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fernandes_LucianoSzezerbaty_M.pdf: 3859245 bytes, checksum: 6847fdd07b7fdfda7c549e8eeda8b270 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Este trabalho descreve o estudo realizado sobre a fabricação de sensores integrados no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), utilizando-se a Tecnologia Bipolar convencional para a fabricação de circuitos integrados. São analisados dois tipos de sensores térmicos que operam em um Degrau de Temperatura Constante (DTC). Um dos sensores é baseado na deteção de diferenças de temperaturas induzidas pelo fluxo sobre a superfície aquecida de um "chip" (sensor direcional). O outro é baseado na perda de calor para o fluxo. Ambos sensores são fabricados em lâminas de Si. São mostrados os resultados obtidos para um fluxo de Nitrogênio seco e apresentadas as curvas de calibração para o elemento sensor baseado na perda de calor. Também são discutidos os possíveis aperfeiçoamentos nos sensores desenvolvidos / Abstract: This work describes the study done about the production of integrated sensors at the Laboratório de Eletrônica e Dispositivos (LED), using conventional Bipolar Technology for IC fabrication. Two types of thermal sensors, both operating at a Constant-Temperature Step (CTS), are analysed. One of the sensors is based on the detection olsmall temperature-induced differences over the heated surface of a chip (directional sensor). The other one is based on the heat loss to the flux. Both sensors are made using Silícon wafers. Results obtained for a dry Nitrogen flux are given. Calibration measurements for the heat loss type sensor are presented and, also, possible improvements on the developed sensors are indicated. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Tese de doutoramento. Ciências de Engenharia. 2005. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto