Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T22:53:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zoccal_LeonardoBreseghello_M.pdf: 6497555 bytes, checksum: e073f26482aabbfda753756ac2820ed8 (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientadores: Rui Fragassi Souza , David Anthony Rogers / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T15:44:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hung_WangWen_M.pdf: 2960132 bytes, checksum: 8b124e7029511d12796d7f571aab5f47 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: A finalidade deste estudo e apresentar os conceitos básicos para o projeto de amplificadores de microondas utilizando transistores bipolares. O transistor, neste trabalho, e considerado como um quadripolo que é caracterizado pelos parâmetros de espalhamento. Os parâmetros de espelhamento (parâmetros S) são medidos no ponto quiescente escolhido em uma certa faixa da frequência desejada (1 a 2 GHz). A regra para projetar os amplificadores de faixa estreita pode ser resumida como segue: (1) Calcular um conjunto de círculos de ganho de potência utilizando os parâmetros S e desenhar os círculos na Carta de Smith; (2) Selecionar o ganho desejado e determinar os correspondentes coeficientes de reflexão de entrada e de saída do quadripolo; (3) Sintetizar os circuitos de casamento que transformam as impedâncias (50?) do gerador e da carga às impedâncias correspondentes aos coeficientes de reflexão de entrada e de saída, respectivamente. O projeto de amplificadores de faixa larga, pelo método clássico, é feito adicionando-se na entrada e na saída do transistor um circuito de casamento de impedância que compense a variação do ganho transdutivo unilateral do transistor com a frequência. A otimização desses circuitos de casamento na entrada e na saída é feita por um processo de tentativa neste trabalho. Um amplificador de máximo ganho e um amplificador com faixa de uma oitava, foram projetados e construídos com auxílio de um computador; o desempenho dos amplificadores foi medido e verificado estar próximo das previsões dos estudos teóricos. / Abstract: The purpose of this study is to present the basic concepts for designing microwave bipolar transistor amplifiers. In this work the transistor is considered to be a two-port device characterized by the scattering parameters. These scattering (S) parameters are measured for specific bias conditions over the desired frequency range (1 to 2 GHz). The rules for the design of narrow-band amplifiers can be summarized as fal1ows: (l) Calculate a set of power gain circles using the S parameters and draw these circles on the Smith chart; (2) Se1ect the desired gain and determine the input and output ref1ection coefficients of the device; (3) Synthesize matching networks which will transform the source and load impedances (50?) to the impedances corresponding to the input and output ref1ection coefficients, respectively. Designing a broadband amplifier with classical methods is a matter of surrounding a transistor with two matching networks in order to compensate for the variation of the unilateral transducer gain with frequency. The optimization of these input and output matching networks is done by a trial-and-error process in this work. A maximum power gain amplifier and an octave-band amplifier were designed and constructed with the aid of a computer, and the performance of the amplifiers was measured and found to follow closely the predictions of the theoretical studies. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

In den Manganaten können kleine Änderungen von externen Feldern die elektronischen, magnetischen und strukturellen Eigenschaften drastisch beeinflussen. In dieser Arbeit wird der Einfluss von elektrischen Feldern und Licht auf den elektrischen Transport in Manganatschichten analysiert. Durch elektrische Feldern können die Widerstände des Manganats remanent und reversibel zwischen verschiedenen Widerstandsniveaus in Abhängigkeit von der Polarität und der Größe des elektrischen Feldes eingestellt werden. Dieser, auch als bipolares Widerstandsschalten bezeichnete Effekt, wird in nanokolumnaren Lanthan und Strontium dotierten Manganatschichten mittels leitfähiger Rasterkraftmikroskopie und in mittels Elektronenstrahllithographie präparierten Mikrostrukturen studiert. Des Weiteren wird der Einfluss von Laseranregungen auf die erste und dritte harmonische Spannung in einer Lanthan und Barium dotierten Manganatschicht untersucht.

El trastorn bipolar és una malaltia altament discapacitant i que té un gran impacte en la vida dels pacients. L’any 2007, el Programa de Trastorn Bipolar de l’Hospital Clínic juntament amb la col•laboració d’altres centres internacionals, va crear una escala anomenada Functioning Assessment Short Test (FAST). Aquest instrument va surgir com a resposta a la necessitat que existia, tant en la pràctica clínica com en la recerca, d’una escala clínica que avalués el funcionament psicosocial dels pacients amb trastorn bipolar. Existeixen moltes escales per mesurar el funcionament psicosocial en les poblacions psiquiàtriques però cap d’elles és específica pel trastorn bipolar. A més la utilització de diferents instruments de mesura i paràmetres de discapacitat al llarg de la literatura fan difícil la comparació entre estudis. A més, la FAST com a escala de mesura quantitativa del funcionament psicosocial té molts avantatges respecte les que s’han utilitzat fins al moment: a) està dissenyada per experts en trastorn bipolar; per tant, els ítems que s’exploren reflecteixen realment les àrees on els pacients presenten més dificultats; b) l’avaluació és clínica, per tant no només es basa en les respostes del pacient sinó també es complementa la información amb altres fonts (curs clínic, avaluació del psiquiatre, informació dels familiars...). D’aquesta manera es superen moltes fonts de biaix típiques dels instruments d’autoavaluació, com per exemple l’estat d’ànim concomitant a l’avaluació que pot afectar positiva o negativament les respostes que dóna el pacient; c) finalment, una altra avantatge és la facilitat i rapidesa en la seva aplicació que la fa idònia per ser utilitzada tant en context de recerca com en la pràctica clínica diària. Amb la validació de la FAST, l’any 2007 , coincidint amb la meva incorporació a l’equip, es va obrir un nou horitzó per explorar el funcionament en el trastorn bipolar amb aquesta nova escala i respondre preguntes que fins ara no quedaven clares en la literatura. Així doncs, el primer pas va ser vincular-me en un estudi que ja estava iniciat, on s’avaluava el funcionament dels pacients amb trastorn bipolar en els tres estats diferents de la malaltia: eutímia, depressió i (hipo)mania en comparació amb un grup de controls sans. En aquest estudi, es va comprovar que la simptomatologia depressiva era més discapacitant que la maníaca però també es va observar que els pacients eutímics presentaven dificultats en el funcionament psicosocial. Amb el segon estudi (es va comparar una mostra de pacients eutímics dividits en funció de la tipologia diagnòstica (subtipus I vs. subtipus II) ja que revisant la literatura no quedava clar fins a quin punt aquest factor podria influenciar el funcionament psicosocial dels pacients eutímics. Finalment i aprofitant que l’escala FAST permet avaluar tant el funcionament global com també l’estudi de dominis específics del funcionament psicosocial, es va portar a terme un tercer estudi per tal d’analitzar quines variables clíniques i neurocognitives podrien ser les que impacten en el funcionament psicosocial dels pacients amb trastorn bipolar. Aquest estudi, respecte als dos anteriors introdueix com a novetat les variables neurocognitives així com també un disseny longitudinal amb un seguiment als Quatre anys.

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T03:19:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yoshioka_RicardoToshinori_D.pdf: 5664583 bytes, checksum: 23bca28e4856ca609fc3f0c59981bf76 (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador: Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T23:39:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dias_JoseAntonioSiqueira_D.pdf: 2350996 bytes, checksum: 9501666c0f18757af83a1af1a354e492 (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Neste trabalho apresetamos o projeto completo de um conversor D/A não-linear integrado (Lei A-128), em tecnologia I2L/Linear, que visa atender às especificações dos sistema de transmissão telefônica por modulação de código de pulsos (MCP). O projeto é dividido em duas etapas básicas: a primeira relativa ao projeto dos circuitos digitais I2L, e a segunda, a mais importante, relativa ao projeto dos circuitos analógicos de conversão D/A. A parte do projeto que envolve os circuitos analógicos é discutidas detalhadamente, procurando apresentar de forma clara as técnicas de projeto utilizadas. As avaliações do projeto, realizadas com montagens em "bread-board", usando "arrays" de transistores, mostraram um bom desempenho, indicando que uma versão em circuito integrado, deverá apresentar um desempenho, muito bom, atendendo facilmente as características necessárias ao conversor D/A do sistema MCP. / Abstract: The design of an integrated PCM non-linear D/A converter (A-128 law) in I2L/Linear technology is presented. The work has two main parts: one concerning the design of the I2L digital circuits and the second, which is also the most important, dedicated to the design and analysis of the analog circuits used in the D/A converter. The design of the analog circuits is discussed in details and all the desing techniques used are explainde carefully. The circuit was evaluated in bread-board form, using kit-parts and transistor arrays. The measured data show that the circuit has a good performance; it is expected than an integrated version of the circuit will have very good performance, meeting (or even exceeding) the specifications of the PCM D/A converter. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Neste trabalho foram analisados diferentes parâmetros geométricos para canais de fluxo em células a combustível tipo PEMFC e sua influência no desempenho do sistema, utilizando a fluidodinâmica computacional. Na análise dos modelos matemáticos, verificou-se que o modelo de aglomerado inundado descreve com maior fidelidade o comportamento de células a combustível, enquanto as equações de Butler-Volmer não consideram as perdas por transporte de massa. Foram avaliadas as seções transversais retangular, trapezoidal e em degrau. O modelo com canais de seção retangular apresentou desempenho elétrico ligeiramente superior, porém os canais com seção trapezoidal propiciam um melhor gerenciamento de água. Em todos os aspectos estudados, os canais com seção em degrau se comportaram de forma análoga aos canais com seção trapezoidal, porém sua construção é menos complexa. Também foram analisadas as configurações serpentina e interdigitada em células de 5 cm², e sua influência na uniformidade da densidade de corrente. Não foram observadas diferenças significativas quanto à eficiência elétrica entre células com as duas configurações. A configuração interdigitada propiciou distribuição mais uniforme de geração de corrente, pois os reagentes são fornecidos em alta concentração por uma maior área da célula. Assim, esta configuração é preferível para aumento de escala. / In this work, different geometric parameters for PEMFC flow channels and their influence in cell performance were analyzed using computational fluid dynamics. At first, two mathematical models, the flooded agglomerate model and the Butler-Volmer equations, were compared. It was verified that the equations do not consider mass-transfer losses, while the agglomerate model describes the system more accurately. In a second analysis, rectangular, trapezoidal and step-shaped cross-sections were evaluated. The model with rectangular channels showed a slightly higher electrical performance; however, trapezoidal channels provided better water management. Cells with step-shaped cross-sections were found to be superior to those with trapezoidal channels, due to lower constructive complexity, even though their performance was similar to that of trapezoidal cross-sections in every aspect. Further studies analyzed serpentine and interdigitated channel patterns in 5 cm² cells and their influence in current density uniformity. Again, electrical performance was very similar for both patterns. However, the interdigitated pattern provided more spatial uniformity in current generation, because concentrated reactants are supplied to a wider area of the cell. Thus, this pattern is preferable for fuel cell scaling-up.

Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.

Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering), medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.

Orientador: Jose Alexandre Diniz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-10T02:20:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zoccal_LeonardoBreseghello_D.pdf: 6734188 bytes, checksum: 05f6c64d923bafb5e071d89514d0fa43 (MD5) Previous issue date: 2007 / Resumo: Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor), e transistores bipolares de heterojunção (HBT), respectivamente. O processo de passivação visa à máxima redução da densidade de estados de superfícies semicondutoras para níveis menores que 1012 cm-2. A alta densidade de estados na superfície do GaAs provoca corrente de fuga nas regiões ativas dos transistores MESFET e HBT, reduzindo o desempenho destes dispositivos. Além disso, impossibilita a formação de dispositivos MISFET sobre os substratos de GaAs, devido à alta densidade de estados na região da interface isolante-semicondutor. Para o estudo da passivação de superfícies, filmes de nitreto de silício (SiNX) são depositados diretam nte por plasma ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) sobre substratos de GaAs e heteroestruturas do tipo InGaP/GaAs. Os plasmas ECR foram analisados por espectroscopia de emissão óptica (OES), e identificou-se baixa formação de espécies H e NH na fase gasosa para pressão de processo de 2,5 mTorr. Os filmes de SiNX foram caracterizados estruturalmente por espectroscopia de absorção do infravermelho (FTIR) e por elipsometria, que indicaram, respectivamente, a formação de ligações Si-N e valores de índice de refração es de nitreto de silício. Capacitores MIS e transisto T foram fabricados para avaliar os efeitos da passivação sobre os dispositivos. Os excelentes resultados obtidos, tais como transist o e em torno de 2,0 nos filmres MISFET e HB ores HBT passivados apresentando maiores ganhos de corrente do que os não-passivados, e os transistores MISFET apresentando maiores valores de transcondutância do que os MESFET (que foram usados como dispositivos de controle), indicam que o nosso processo de passivação é muito eficiente, sendo completamente compatível com a tecnologia de fabricação de circuitos integrados monolíticos de microondas (MMIC) / Abstract: This work presents a simple passivation method for III-V semiconductor surfaces of gallium arsenide (GaAs) substrates and indium-gallium phosphide on gallium arsenide (InGaP/GaAs) heterostructures, which are us in field effect transistors MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) and MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor) and heterojunction bip lar transistors (HBT), respectively. The passivation process aims the maximum reduction of semiconductor surface state density at levels lower than 1012 states/cm2. The high surface state density on GaAs surface produces current leakage in active regions of MESFET and HBT transistors, reducing the device performance. Furthermore, the MISFET device formation on GaAs substrate is not allowed, passivation study, silicon nitride films (SiNX) are deposited by ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Deposition Vapor) plasma directly over GaAs substrate and InGaP/GaAs heterostructures. The ECR plasmas were analyzed by optical emission spectroscopy, (OES), and low formation of H and NH molecules in the gas phase was detected at process pressure of 2.5 mTorr. The SiNX film structural characterization was obtained by infra-red absorption spectrometry (FTIR) and ellipsometry, which, respectively, indicate the Si-N bo tive index values of about 2.0 at the silicon nitride films. MIS cap BT transistors were fabricated to verify the passivation process effect on devices. The excellent results obtained, such as higher and formation and refracacitors, MISFET and H current gain of passivated device compared to unpassivated HBTs and higher transconductances of MISFET devices compared to MESFET (which were used as control devices), indicate that our simple passivation process is very efficient, being fully compatible with monolithic microwave integrated circuits (MMIC) / Doutorado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica