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Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS). A análise em diferentes temperaturas (de 10 K a 423 K) destes TFETs de estruturas de nanofios mostrou que o aumento da temperatura aumentou tanto a corrente de estado ligado (ION) quanto a de estado desligado (IOFF), sendo que o aumento de IOFF é responsável pela degradação da eficiência em baixa condução. Para melhorar o desempenho dos dispositivos TFET de Si, que possuem baixa corrente, foram utilizados dispositivos experimentais com fontes de Germânio (Ge) e de uma liga de Si e Ge (Si0,73Ge0,27). O aumento da concentração de Ge na fonte reduz a largura da banda proibida (EG), resultando em um aumento da corrente de BTBT nos dispositivos. Esse aumento da corrente de BTBT também aumenta a transcondutância (gm) e o ganho intrínseco de tensão (AV). Para melhorar ainda mais o desempenho dos TFETs, foram estudados novos dispositivos fabricado com Arseneto de Indio-Galio (InXGa1-XAs), com leiaute em anel, com comprimento de canal de 5 µm e largura de canal de 400 µm, utilizando dispositivos experimentais e simulados. O uso desse material gera um grande aumento de ION devido ao aumento considerável de BTBT, alcançando valores de SS próximos a 60mV/dec, valor muito menor que 200mV/dec obtido nos dispositivos de Si. Os dispositivos com InXGa1-XAs apresentaram alto AV (~50 dB) mesmo em baixas polarizações, sendo promissores em aplicações de baixa tensão e baixa potência. Aumento da concentração de In (In0,7Ga0,3As) reduz EG, aumentando BTBT. O aumento de BTBT aumenta gm, porém, aumenta também a condutância de saída (gD), aumentando AV para alto VGS e reduzindo para baixos VGS. A redução da espessura de HfO2, de 3nm para 2nm, resultou em melhoria em todos os dispositivos devido ao melhor acoplamento eletrostático, onde o dispositivo de In0,53Ga0,47As apresentou um SS de 56mV/dec. A temperatura influencia mais gD que gm, aumentando AV em baixas temperaturas. O uso de fonte gasosa na difusão de Zinco (Zn), no lugar de fonte sólida, resultou em uma junção mais abrupta, aumentando ION e melhorando SS. Pode-se obter um dispositivo otimizado utilizando In0,7Ga0,3As utilizando difusão de Zn na fonte por fase gasosa, para dispositivos que vão atuar em aplicações digitais, ou utilizando difusão de Zn na fonte por fonte sólida, para dispositivos que vão atuar em aplicações analógicas, ambos à 520ºC por 1 minuto, utilizando 2 nm de HfO2 na porta. / In this work, initially it was studied Silicon (Si) n type tunnel field effects transistors (TFET) in nanowire structures (NW-TFET), analyzing the diameter reduction effect of the nanowires, from 167 nm to 15 nm, using experimental measurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the transistor efficiency due to the better electrostatic coupling, reducing the subthreshold swing (SS). The analysis of this nTFETs at different temperatures (from 10 K to 423 K) showed that at high temperatures both the on and the off state current (ION and IOFF) of these NW-TFETs have raised, degrading SS, and consequently the efficiency at low conduction. In order to improve ION, which is very low in pure Si nTFETs, experimental devices using source made by Ge and Si0.73Ge0.27 was studied. The increase of the Ge concentration in the source reduces the bandgap results in higher BTBT current. This high BTBT current also lead the transconductance (gm) and the intrinsic voltage gain (AV) to increase. To further improve the TFETs performance, new devices made of InGaAs with ring layout, with channel length of 5 µm and channel width of 400 µm was studied, using experimental and simulated data. The use of InGaAs generates a large increase of ION due to its low bandgap, enabling to reach values of SS near 60 mV/dec, much steeper than the 200mV/dec obtained on Si nTFETs. These InGaAs nTFETs have presented high AV (~50 dB), even at low bias, being promising devices in low power low voltage applications. When increasing the In concentration in the InXGa1-XAs TFET the bandgap is reduced, improving the BTBT current. The BTBT raise leads both gm and the output conductance (gD) to increase, improving AV for high VGS bias and degrading it at low VGS bias. The reduction of the HfO2 thickness, from 3 nm to 2 nm, have resulted in improvement all devices due to the better electrostatic coupling, where the In0.53Ga0.47As device have presented SS of 56mV/dec. As the temperature have more influence in gD than gm, AV is improved at low temperatures. The use of gas phase Zn diffusion at the source doping, instead of solid source Zn diffusion, have increased ION and improved SS. The possibly reason to this behavior is the higher abruptness of the source/channel junction when using gas phase Zn diffusion. An optimized device can be obtained using a device with In0,7Ga0,3As with the source diffusion made by gas phase, for devices to be used in digital applications, or with the source diffusion made by solid source, for devices to be used in analog applications. Both diffusion process made at 520 ºC, using 2 nm of HfO2 in the gate stack.

Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS). A análise em diferentes temperaturas (de 10 K a 423 K) destes TFETs de estruturas de nanofios mostrou que o aumento da temperatura aumentou tanto a corrente de estado ligado (ION) quanto a de estado desligado (IOFF), sendo que o aumento de IOFF é responsável pela degradação da eficiência em baixa condução. Para melhorar o desempenho dos dispositivos TFET de Si, que possuem baixa corrente, foram utilizados dispositivos experimentais com fontes de Germânio (Ge) e de uma liga de Si e Ge (Si0,73Ge0,27). O aumento da concentração de Ge na fonte reduz a largura da banda proibida (EG), resultando em um aumento da corrente de BTBT nos dispositivos. Esse aumento da corrente de BTBT também aumenta a transcondutância (gm) e o ganho intrínseco de tensão (AV). Para melhorar ainda mais o desempenho dos TFETs, foram estudados novos dispositivos fabricado com Arseneto de Indio-Galio (InXGa1-XAs), com leiaute em anel, com comprimento de canal de 5 µm e largura de canal de 400 µm, utilizando dispositivos experimentais e simulados. O uso desse material gera um grande aumento de ION devido ao aumento considerável de BTBT, alcançando valores de SS próximos a 60mV/dec, valor muito menor que 200mV/dec obtido nos dispositivos de Si. Os dispositivos com InXGa1-XAs apresentaram alto AV (~50 dB) mesmo em baixas polarizações, sendo promissores em aplicações de baixa tensão e baixa potência. Aumento da concentração de In (In0,7Ga0,3As) reduz EG, aumentando BTBT. O aumento de BTBT aumenta gm, porém, aumenta também a condutância de saída (gD), aumentando AV para alto VGS e reduzindo para baixos VGS. A redução da espessura de HfO2, de 3nm para 2nm, resultou em melhoria em todos os dispositivos devido ao melhor acoplamento eletrostático, onde o dispositivo de In0,53Ga0,47As apresentou um SS de 56mV/dec. A temperatura influencia mais gD que gm, aumentando AV em baixas temperaturas. O uso de fonte gasosa na difusão de Zinco (Zn), no lugar de fonte sólida, resultou em uma junção mais abrupta, aumentando ION e melhorando SS. Pode-se obter um dispositivo otimizado utilizando In0,7Ga0,3As utilizando difusão de Zn na fonte por fase gasosa, para dispositivos que vão atuar em aplicações digitais, ou utilizando difusão de Zn na fonte por fonte sólida, para dispositivos que vão atuar em aplicações analógicas, ambos à 520ºC por 1 minuto, utilizando 2 nm de HfO2 na porta. / In this work, initially it was studied Silicon (Si) n type tunnel field effects transistors (TFET) in nanowire structures (NW-TFET), analyzing the diameter reduction effect of the nanowires, from 167 nm to 15 nm, using experimental measurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the transistor efficiency due to the better electrostatic coupling, reducing the subthreshold swing (SS). The analysis of this nTFETs at different temperatures (from 10 K to 423 K) showed that at high temperatures both the on and the off state current (ION and IOFF) of these NW-TFETs have raised, degrading SS, and consequently the efficiency at low conduction. In order to improve ION, which is very low in pure Si nTFETs, experimental devices using source made by Ge and Si0.73Ge0.27 was studied. The increase of the Ge concentration in the source reduces the bandgap results in higher BTBT current. This high BTBT current also lead the transconductance (gm) and the intrinsic voltage gain (AV) to increase. To further improve the TFETs performance, new devices made of InGaAs with ring layout, with channel length of 5 µm and channel width of 400 µm was studied, using experimental and simulated data. The use of InGaAs generates a large increase of ION due to its low bandgap, enabling to reach values of SS near 60 mV/dec, much steeper than the 200mV/dec obtained on Si nTFETs. These InGaAs nTFETs have presented high AV (~50 dB), even at low bias, being promising devices in low power low voltage applications. When increasing the In concentration in the InXGa1-XAs TFET the bandgap is reduced, improving the BTBT current. The BTBT raise leads both gm and the output conductance (gD) to increase, improving AV for high VGS bias and degrading it at low VGS bias. The reduction of the HfO2 thickness, from 3 nm to 2 nm, have resulted in improvement all devices due to the better electrostatic coupling, where the In0.53Ga0.47As device have presented SS of 56mV/dec. As the temperature have more influence in gD than gm, AV is improved at low temperatures. The use of gas phase Zn diffusion at the source doping, instead of solid source Zn diffusion, have increased ION and improved SS. The possibly reason to this behavior is the higher abruptness of the source/channel junction when using gas phase Zn diffusion. An optimized device can be obtained using a device with In0,7Ga0,3As with the source diffusion made by gas phase, for devices to be used in digital applications, or with the source diffusion made by solid source, for devices to be used in analog applications. Both diffusion process made at 520 ºC, using 2 nm of HfO2 in the gate stack.

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<p>Proučavane su koroziona postojanost i tendencija lepljenja različitih<br />materijala u kontaktu sa tečnom Al&ndash;Si&ndash;Cu legurom. Ispitivanjem su<br />obuhvaćeni čelik za rad na toplo, plazma nitrirani čelik i dupleks<br />slojevi sa CrN, TiAlN, TiAlSiN i CrAlN prevlakama, različitog nivoa<br />površinske hrapavosti. Za ispitivanja pomenutih fenomena<br />primenjena je metoda izvlačenja, koja je unapređena kako bi se povećale<br />njena tačnost i verodostojnost simulacije procesa livenja. Korozioni<br />efekti su pojačani tako što su uzorci osim kratkog kontakta sa odlivkom<br />zadržavani i u dužim periodima u kontaktu sa tečnom legurom (5 i 20<br />min). Uprkos opštim stavovima, za ispitivane materijale je<br />ustanovljeno da su sile izvlačenja uzoraka iz Al&ndash;Si&ndash;Cu odlivaka<br />nezavisne od njihovog hemijskog sastava. Uticaj hrapavosti je izražen<br />kod uzoraka sa prevlakama kod kojih pri smanjenju hrapavosti dolazi do<br />povećanja sile izvlačenja. Sve ispitane prevlake su sklone mehaničkom<br />lepljenju Al&ndash;Si&ndash;Cu legure za svoje površine, ali sa aspekta korozije u<br />tečnom metalu značajno prevazilaze performanse čelika i plazma<br />nitriranog sloja. Duži kontakt livene legure sa površinama prevlaka<br />uzrokovao je niže vrednosti sila izvlačenja, što je posledica<br />oksidacije površina prevlaka. Ustanovljeno je da su ispitivane<br />prevlake inertne ka tečnoj leguri aluminijuma. Međutim, dolazi do<br />oksidacije i korozije materijala podloge kroz greške rasta koje su<br />prisutne u prevlakama. Stečena znanja o identifikovanim<br />mehanizmima habanja i propadanja zaštitnih slojeva prevlaka<br />poslužiće daljem razvoju dupleks slojeva namenjenih za zaštitu alata<br />za livenje pod pritiskom.</p> / <p>Corrosion resistance and soldering tendency of different materials in molten<br />Al&ndash;Si&ndash;Cu alloy were studied. Hot-working tool steel, plasma nitrided steel and<br />duplex layers with CrN, TiAlN, TiAlSiN and CrAlN top coatings, which were<br />produced to various degree of surface roughness, were covered by the study.<br />An ejection test was employed for investigation of the concerned phenomena.<br />The ejection test was improved in order to increase its accuracy and the<br />reliability of process simulation. Samples were examined in both short and<br />extended periods of contact (5 and 20 min) with liquid casting. Casting<br />solidification was extended in order to intensify the corrosion effects. Contrary<br />to common findings, it was found that the ejection force of the investigated<br />materials does not depend on their chemical composition. For the coated<br />samples, a pronounced dependence of the ejection force on the surface<br />roughness was found. The ejection force increases with decrease in surface<br />roughness. All investigated coatings are prone to mechanical soldering by Al&ndash;<br />Si&ndash;Cu alloy. Still, their corrosion resistance substantially exceeds the corrosion<br />resistance of steel and plasma nitrided layer. Longer exposure of coated<br />samples to cast alloy induced lower ejection forces, which is a consequence<br />of coatings oxidation. It was found that the investigated coatings are inert to<br />liquid aluminium. However, the underlying material undergoes oxidation and<br />corrosion through coating growth defects. The findings concerning the wear<br />mechanisms of protective layers support further development of duplex layers<br />intended for die casting tools protection.</p>