Thesis is focused on study of phlebotomus generative attributes development and body dimension influence for some determinant notes therefore is divided into two thema parts. First thematic part of thesis is heeding to rotation of outer genitalia of chosen phlebotomus subgenus males and their representatives: Adlerius (Phlebotomus arabicus), Larroussius (Phlebotomus orientalis and Phlebotomus tobbi), Euphlebotomus (Phlebotomus argentipes), Paraphlebotomus (Phlebotomus sergenti), Phlebotomus (Phlebotomus papatasi), Lutzomyia (Lutzomyia longipalpis) and Sergentomyia (Sergentomyia schwetzi). In this parts was discovered and compared time of station of genitalia for chosen subgenera. Also the time from emergence of adults to rotation and rotation time dependence on adults daytime eclosion was measured. Times of rotation time duration including that of times from rotation beggining were at subgenuses expressively different, from S. schwetzi with the shortest rotation time of 12 hours to P. sergenti with the longest with average time rotation of 32 hours. Further were compared rotations of two genuses within subgenus Larroussius: P. orientalis a P. tobbi. Here also were each rotation times expressively different that do not validate the rotation should be specific for given subgenus. Observed was also...

Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS). A análise em diferentes temperaturas (de 10 K a 423 K) destes TFETs de estruturas de nanofios mostrou que o aumento da temperatura aumentou tanto a corrente de estado ligado (ION) quanto a de estado desligado (IOFF), sendo que o aumento de IOFF é responsável pela degradação da eficiência em baixa condução. Para melhorar o desempenho dos dispositivos TFET de Si, que possuem baixa corrente, foram utilizados dispositivos experimentais com fontes de Germânio (Ge) e de uma liga de Si e Ge (Si0,73Ge0,27). O aumento da concentração de Ge na fonte reduz a largura da banda proibida (EG), resultando em um aumento da corrente de BTBT nos dispositivos. Esse aumento da corrente de BTBT também aumenta a transcondutância (gm) e o ganho intrínseco de tensão (AV). Para melhorar ainda mais o desempenho dos TFETs, foram estudados novos dispositivos fabricado com Arseneto de Indio-Galio (InXGa1-XAs), com leiaute em anel, com comprimento de canal de 5 µm e largura de canal de 400 µm, utilizando dispositivos experimentais e simulados. O uso desse material gera um grande aumento de ION devido ao aumento considerável de BTBT, alcançando valores de SS próximos a 60mV/dec, valor muito menor que 200mV/dec obtido nos dispositivos de Si. Os dispositivos com InXGa1-XAs apresentaram alto AV (~50 dB) mesmo em baixas polarizações, sendo promissores em aplicações de baixa tensão e baixa potência. Aumento da concentração de In (In0,7Ga0,3As) reduz EG, aumentando BTBT. O aumento de BTBT aumenta gm, porém, aumenta também a condutância de saída (gD), aumentando AV para alto VGS e reduzindo para baixos VGS. A redução da espessura de HfO2, de 3nm para 2nm, resultou em melhoria em todos os dispositivos devido ao melhor acoplamento eletrostático, onde o dispositivo de In0,53Ga0,47As apresentou um SS de 56mV/dec. A temperatura influencia mais gD que gm, aumentando AV em baixas temperaturas. O uso de fonte gasosa na difusão de Zinco (Zn), no lugar de fonte sólida, resultou em uma junção mais abrupta, aumentando ION e melhorando SS. Pode-se obter um dispositivo otimizado utilizando In0,7Ga0,3As utilizando difusão de Zn na fonte por fase gasosa, para dispositivos que vão atuar em aplicações digitais, ou utilizando difusão de Zn na fonte por fonte sólida, para dispositivos que vão atuar em aplicações analógicas, ambos à 520ºC por 1 minuto, utilizando 2 nm de HfO2 na porta. / In this work, initially it was studied Silicon (Si) n type tunnel field effects transistors (TFET) in nanowire structures (NW-TFET), analyzing the diameter reduction effect of the nanowires, from 167 nm to 15 nm, using experimental measurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the transistor efficiency due to the better electrostatic coupling, reducing the subthreshold swing (SS). The analysis of this nTFETs at different temperatures (from 10 K to 423 K) showed that at high temperatures both the on and the off state current (ION and IOFF) of these NW-TFETs have raised, degrading SS, and consequently the efficiency at low conduction. In order to improve ION, which is very low in pure Si nTFETs, experimental devices using source made by Ge and Si0.73Ge0.27 was studied. The increase of the Ge concentration in the source reduces the bandgap results in higher BTBT current. This high BTBT current also lead the transconductance (gm) and the intrinsic voltage gain (AV) to increase. To further improve the TFETs performance, new devices made of InGaAs with ring layout, with channel length of 5 µm and channel width of 400 µm was studied, using experimental and simulated data. The use of InGaAs generates a large increase of ION due to its low bandgap, enabling to reach values of SS near 60 mV/dec, much steeper than the 200mV/dec obtained on Si nTFETs. These InGaAs nTFETs have presented high AV (~50 dB), even at low bias, being promising devices in low power low voltage applications. When increasing the In concentration in the InXGa1-XAs TFET the bandgap is reduced, improving the BTBT current. The BTBT raise leads both gm and the output conductance (gD) to increase, improving AV for high VGS bias and degrading it at low VGS bias. The reduction of the HfO2 thickness, from 3 nm to 2 nm, have resulted in improvement all devices due to the better electrostatic coupling, where the In0.53Ga0.47As device have presented SS of 56mV/dec. As the temperature have more influence in gD than gm, AV is improved at low temperatures. The use of gas phase Zn diffusion at the source doping, instead of solid source Zn diffusion, have increased ION and improved SS. The possibly reason to this behavior is the higher abruptness of the source/channel junction when using gas phase Zn diffusion. An optimized device can be obtained using a device with In0,7Ga0,3As with the source diffusion made by gas phase, for devices to be used in digital applications, or with the source diffusion made by solid source, for devices to be used in analog applications. Both diffusion process made at 520 ºC, using 2 nm of HfO2 in the gate stack.

Neste trabalho iniciou-se os estudos com transistores de tunelamento por efeito de campo (TFET) de silício (Si) em estruturas de nanofios (NW-TFET), analisando o efeito da redução do diâmetro dos nanofios, de 167 nm até 15 nm, através de analises baseadas em medidas experimentais e simulações numéricas. Para diâmetros maiores que 30 nm, os dispositivos são pouco influenciados pela redução do diâmetro. Para diâmetros menores que 30 nm, ao diminui-los, o tunelamento entre bandas (BTBT) passa a ser o mecanismo dominante, aumentando a corrente de dreno normalizada. Reduzindo o diâmetro em baixa condução, a maior parte da junção passa a ser dominada por BTBT, aumentando a eficiência devido ao melhor acoplamento eletrostático, reduzindo a inclinação de sublimiar (SS). A análise em diferentes temperaturas (de 10 K a 423 K) destes TFETs de estruturas de nanofios mostrou que o aumento da temperatura aumentou tanto a corrente de estado ligado (ION) quanto a de estado desligado (IOFF), sendo que o aumento de IOFF é responsável pela degradação da eficiência em baixa condução. Para melhorar o desempenho dos dispositivos TFET de Si, que possuem baixa corrente, foram utilizados dispositivos experimentais com fontes de Germânio (Ge) e de uma liga de Si e Ge (Si0,73Ge0,27). O aumento da concentração de Ge na fonte reduz a largura da banda proibida (EG), resultando em um aumento da corrente de BTBT nos dispositivos. Esse aumento da corrente de BTBT também aumenta a transcondutância (gm) e o ganho intrínseco de tensão (AV). Para melhorar ainda mais o desempenho dos TFETs, foram estudados novos dispositivos fabricado com Arseneto de Indio-Galio (InXGa1-XAs), com leiaute em anel, com comprimento de canal de 5 µm e largura de canal de 400 µm, utilizando dispositivos experimentais e simulados. O uso desse material gera um grande aumento de ION devido ao aumento considerável de BTBT, alcançando valores de SS próximos a 60mV/dec, valor muito menor que 200mV/dec obtido nos dispositivos de Si. Os dispositivos com InXGa1-XAs apresentaram alto AV (~50 dB) mesmo em baixas polarizações, sendo promissores em aplicações de baixa tensão e baixa potência. Aumento da concentração de In (In0,7Ga0,3As) reduz EG, aumentando BTBT. O aumento de BTBT aumenta gm, porém, aumenta também a condutância de saída (gD), aumentando AV para alto VGS e reduzindo para baixos VGS. A redução da espessura de HfO2, de 3nm para 2nm, resultou em melhoria em todos os dispositivos devido ao melhor acoplamento eletrostático, onde o dispositivo de In0,53Ga0,47As apresentou um SS de 56mV/dec. A temperatura influencia mais gD que gm, aumentando AV em baixas temperaturas. O uso de fonte gasosa na difusão de Zinco (Zn), no lugar de fonte sólida, resultou em uma junção mais abrupta, aumentando ION e melhorando SS. Pode-se obter um dispositivo otimizado utilizando In0,7Ga0,3As utilizando difusão de Zn na fonte por fase gasosa, para dispositivos que vão atuar em aplicações digitais, ou utilizando difusão de Zn na fonte por fonte sólida, para dispositivos que vão atuar em aplicações analógicas, ambos à 520ºC por 1 minuto, utilizando 2 nm de HfO2 na porta. / In this work, initially it was studied Silicon (Si) n type tunnel field effects transistors (TFET) in nanowire structures (NW-TFET), analyzing the diameter reduction effect of the nanowires, from 167 nm to 15 nm, using experimental measurements and numerical simulations. For diameters higher than 30 nm, the devices are less influenced by the diameter reduction. For diameters lower than 30 nm, decreasing the diameter, band-to-band tunneling (BTBT) start to become the dominant mechanism, increasing the normalized drain current. Reducing the diameter, in low conduction, the most of the junction becomes dominated by BTBT, increasing the transistor efficiency due to the better electrostatic coupling, reducing the subthreshold swing (SS). The analysis of this nTFETs at different temperatures (from 10 K to 423 K) showed that at high temperatures both the on and the off state current (ION and IOFF) of these NW-TFETs have raised, degrading SS, and consequently the efficiency at low conduction. In order to improve ION, which is very low in pure Si nTFETs, experimental devices using source made by Ge and Si0.73Ge0.27 was studied. The increase of the Ge concentration in the source reduces the bandgap results in higher BTBT current. This high BTBT current also lead the transconductance (gm) and the intrinsic voltage gain (AV) to increase. To further improve the TFETs performance, new devices made of InGaAs with ring layout, with channel length of 5 µm and channel width of 400 µm was studied, using experimental and simulated data. The use of InGaAs generates a large increase of ION due to its low bandgap, enabling to reach values of SS near 60 mV/dec, much steeper than the 200mV/dec obtained on Si nTFETs. These InGaAs nTFETs have presented high AV (~50 dB), even at low bias, being promising devices in low power low voltage applications. When increasing the In concentration in the InXGa1-XAs TFET the bandgap is reduced, improving the BTBT current. The BTBT raise leads both gm and the output conductance (gD) to increase, improving AV for high VGS bias and degrading it at low VGS bias. The reduction of the HfO2 thickness, from 3 nm to 2 nm, have resulted in improvement all devices due to the better electrostatic coupling, where the In0.53Ga0.47As device have presented SS of 56mV/dec. As the temperature have more influence in gD than gm, AV is improved at low temperatures. The use of gas phase Zn diffusion at the source doping, instead of solid source Zn diffusion, have increased ION and improved SS. The possibly reason to this behavior is the higher abruptness of the source/channel junction when using gas phase Zn diffusion. An optimized device can be obtained using a device with In0,7Ga0,3As with the source diffusion made by gas phase, for devices to be used in digital applications, or with the source diffusion made by solid source, for devices to be used in analog applications. Both diffusion process made at 520 ºC, using 2 nm of HfO2 in the gate stack.

In the context of the future hydrogen economy, effective production of hydrogen (H2) from readily available and sustainable resources is of crucial importance. Hydrogen generation via water splitting by solar energy or electricity has attracted great attention in recent years. In comparison with photocatalytic water-splitting directly using solar light, which is ideal but the relevant technologies are not yet mature, electrolysis of water with catalyst is more practical at the current stage. The Pt-group noble metals are the most effective electrocatalysts for hydrogen evolution reaction (HER) from water, but their high costs limit their applications. Due to the earth-abundance and low price, MoS2 is expected to be a good alternative of the Pt-group metals for HER. Plenty of researches have been conducted for improving the HER activities of MoS2 by optimizing its synthesis method. However, it remains challenging to prepare MoS2 catalysts with high and controllable activity, and more investigations are still needed to better understand the structure-performance correlation in this system. In this thesis, we report a new strategy for fabricating MoS2 eletrocatalysts which gives rise to much improved HER performance and allows us to tune the electrocatalytic activity by varying the preparation conditions. Specifically, we sulfurized molybdenum oxide on the surface of a Ti foil electrode via a facile chemical vapor deposition (CVD) method, and directly used the electrode for HER testing. Depending on the CVD temperature, the MoO2-MoS2 nanocomposites show different HER activities. Under the optimal synthesis condition (400ºC), the resulting catalyst exhibited excellent HER activity: an onset potential (overpotential) of 0.095 V versus RHE and the Tafel slope of 40 mv/dec. Such a performance exceeds those of most reported MoS2 based HER electrocatalysts. We demonstrated that the CVD temperature has significant influence on the catalysts in crystallinity degree, particle size and dispersion, morphology, and density of the edge sites etc., and these factors in turn determine the HER activity.

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Inversores de sistemas fotovoltaicos são equipamentos de eletrônica de potência que fornecem energia elétrica em corrente alternada (CA) a partir de uma fonte de energia elétrica em corrente contínua (CC), no caso, os módulos fotovoltaicos. Estes inversores quando em operação aumentam sua temperatura. Este aumento de temperatura é indesejável, porém é inerente ao seu funcionamento. Equipamentos eletrônicos possuem um limite seguro de temperatura de operação, acima do qual podem ocorrer instabilidades de operação, redução da vida útil ou até mesmo falha drástica. O conhecimento da eficiência de conversão elétrica e das perdas responsáveis pelo aquecimento é importante para o adequado dimensionamento de inversores quando aplicados em sistemas fotovoltaicos conectados à rede, assim como para o desenvolvimento do inversor como produto. Para proteção, para aumento da vida útil, para maior confiabilidade, para maior estabilidade e para maior segurança de operação de componentes, inversores possuem rotinas em seus algoritmos de controle com estratégias automatizadas dedicadas ao gerenciamento térmico. Estas rotinas de proteção e gerenciamento térmico, sempre quando acionadas, tendem a reduzir a capacidade de conversão de potência do inversor, seja pelo acionamento de um ventilador auxiliar, seja pelo deslocamento do ponto de operação em máxima potência. Fabricantes de inversores tratam deste assunto pelo termo “temperature derating” (em inglês) Esta tese apresenta um estudo relacionado a influência da temperatura sobre o desempenho de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Avalia tipos de estratégias de gerenciamento térmico e proteção de uso corrente em inversores comerciais. Apresenta resultados de ensaios experimentais para determinação de parâmetros térmicos característicos dos inversores. Descreve um modelo preditivo da temperatura de operação em regime transiente. A partir da determinação experimental de parâmetros térmicos, o modelo preditivo de temperatura de operação foi implementado no software de simulação dinâmica para dimensionamento e avaliação de sistemas fotovoltaicos FVCONECT, desenvolvido no LABSOL/UFRGS, estando o mesmo apto para simular a operação e estimar perdas anuais de desempenho energético decorrentes das rotinas de gerenciamento térmico, dos seus efeitos e das limitações impostas durante a operação de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Um dos resultados da simulação é a evolução da temperatura do inversor, permitindo avaliar a frequência e amplitude dos ciclos térmicos ao qual o inversor é submetido e, consequentemente, determinar uma estimativa para durabilidade do inversor. / Photovoltaic inverters are electronic power devices that provide electrical energy in alternating current (AC) from a source of electrical energy in direct current (DC) - a photovoltaic generator, in this case. Inverters increase their temperature when in operation. This rise in temperature is not desirable, but inherent to its operation. Any electronic equipment has a safe operating temperature limit. When this limit is surpassed, operating instability, life reduction or even drastic failure may occur. The knowledge of the electrical conversion efficiency and the losses responsible for the heating is important for the proper sizing of grid-tie inverters in photovoltaic systems, as well as for the development of the inverter as a product. In order to increase the useful life of the device and its components, for greater reliability, safety, stability and security of operation, inverters have routines in their algorithms of control with automated strategies dedicated to the thermal management. These protection and thermal management routines, whenever activated, tend to reduce the power conversion capacity of the inverter, either by the activation of an auxiliary fan or by the displacement of the operating point at maximum power. Inverter manufacturers address this issue by the term "temperature derating". This thesis presents a methodology to evaluate the influence of the performance of different strategies to avoid excessive temperature of the inverter components on its performance and durability It is also made an evaluation of different thermal management strategies and protection used in commercial inverters. Results of experimental tests for determination of thermal parameters characteristic of the inverters are presented. A predictive model of transient operating inverter temperature is also described. From the experimental determination of thermal parameters, the predictive model of operating temperature was implemented to the FVCONECT, a dynamic simulation software for sizing and evaluation of photovoltaic systems developed in LABSOL / UFRGS. With this modification, the software was able to simulate the operation and estimate losses of energy due to the thermal management routines, their effects and the limitations imposed during the operation of grid-tie inverters. One of the results of the simulation is the evolution of the inverter temperature, allowing to evaluate the frequency and amplitude of thermal cycles to which the inverter is subjected and, as a consequence, an estimate of durability of the inverter.

Inversores de sistemas fotovoltaicos são equipamentos de eletrônica de potência que fornecem energia elétrica em corrente alternada (CA) a partir de uma fonte de energia elétrica em corrente contínua (CC), no caso, os módulos fotovoltaicos. Estes inversores quando em operação aumentam sua temperatura. Este aumento de temperatura é indesejável, porém é inerente ao seu funcionamento. Equipamentos eletrônicos possuem um limite seguro de temperatura de operação, acima do qual podem ocorrer instabilidades de operação, redução da vida útil ou até mesmo falha drástica. O conhecimento da eficiência de conversão elétrica e das perdas responsáveis pelo aquecimento é importante para o adequado dimensionamento de inversores quando aplicados em sistemas fotovoltaicos conectados à rede, assim como para o desenvolvimento do inversor como produto. Para proteção, para aumento da vida útil, para maior confiabilidade, para maior estabilidade e para maior segurança de operação de componentes, inversores possuem rotinas em seus algoritmos de controle com estratégias automatizadas dedicadas ao gerenciamento térmico. Estas rotinas de proteção e gerenciamento térmico, sempre quando acionadas, tendem a reduzir a capacidade de conversão de potência do inversor, seja pelo acionamento de um ventilador auxiliar, seja pelo deslocamento do ponto de operação em máxima potência. Fabricantes de inversores tratam deste assunto pelo termo “temperature derating” (em inglês) Esta tese apresenta um estudo relacionado a influência da temperatura sobre o desempenho de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Avalia tipos de estratégias de gerenciamento térmico e proteção de uso corrente em inversores comerciais. Apresenta resultados de ensaios experimentais para determinação de parâmetros térmicos característicos dos inversores. Descreve um modelo preditivo da temperatura de operação em regime transiente. A partir da determinação experimental de parâmetros térmicos, o modelo preditivo de temperatura de operação foi implementado no software de simulação dinâmica para dimensionamento e avaliação de sistemas fotovoltaicos FVCONECT, desenvolvido no LABSOL/UFRGS, estando o mesmo apto para simular a operação e estimar perdas anuais de desempenho energético decorrentes das rotinas de gerenciamento térmico, dos seus efeitos e das limitações impostas durante a operação de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Um dos resultados da simulação é a evolução da temperatura do inversor, permitindo avaliar a frequência e amplitude dos ciclos térmicos ao qual o inversor é submetido e, consequentemente, determinar uma estimativa para durabilidade do inversor. / Photovoltaic inverters are electronic power devices that provide electrical energy in alternating current (AC) from a source of electrical energy in direct current (DC) - a photovoltaic generator, in this case. Inverters increase their temperature when in operation. This rise in temperature is not desirable, but inherent to its operation. Any electronic equipment has a safe operating temperature limit. When this limit is surpassed, operating instability, life reduction or even drastic failure may occur. The knowledge of the electrical conversion efficiency and the losses responsible for the heating is important for the proper sizing of grid-tie inverters in photovoltaic systems, as well as for the development of the inverter as a product. In order to increase the useful life of the device and its components, for greater reliability, safety, stability and security of operation, inverters have routines in their algorithms of control with automated strategies dedicated to the thermal management. These protection and thermal management routines, whenever activated, tend to reduce the power conversion capacity of the inverter, either by the activation of an auxiliary fan or by the displacement of the operating point at maximum power. Inverter manufacturers address this issue by the term "temperature derating". This thesis presents a methodology to evaluate the influence of the performance of different strategies to avoid excessive temperature of the inverter components on its performance and durability It is also made an evaluation of different thermal management strategies and protection used in commercial inverters. Results of experimental tests for determination of thermal parameters characteristic of the inverters are presented. A predictive model of transient operating inverter temperature is also described. From the experimental determination of thermal parameters, the predictive model of operating temperature was implemented to the FVCONECT, a dynamic simulation software for sizing and evaluation of photovoltaic systems developed in LABSOL / UFRGS. With this modification, the software was able to simulate the operation and estimate losses of energy due to the thermal management routines, their effects and the limitations imposed during the operation of grid-tie inverters. One of the results of the simulation is the evolution of the inverter temperature, allowing to evaluate the frequency and amplitude of thermal cycles to which the inverter is subjected and, as a consequence, an estimate of durability of the inverter.

Inversores de sistemas fotovoltaicos são equipamentos de eletrônica de potência que fornecem energia elétrica em corrente alternada (CA) a partir de uma fonte de energia elétrica em corrente contínua (CC), no caso, os módulos fotovoltaicos. Estes inversores quando em operação aumentam sua temperatura. Este aumento de temperatura é indesejável, porém é inerente ao seu funcionamento. Equipamentos eletrônicos possuem um limite seguro de temperatura de operação, acima do qual podem ocorrer instabilidades de operação, redução da vida útil ou até mesmo falha drástica. O conhecimento da eficiência de conversão elétrica e das perdas responsáveis pelo aquecimento é importante para o adequado dimensionamento de inversores quando aplicados em sistemas fotovoltaicos conectados à rede, assim como para o desenvolvimento do inversor como produto. Para proteção, para aumento da vida útil, para maior confiabilidade, para maior estabilidade e para maior segurança de operação de componentes, inversores possuem rotinas em seus algoritmos de controle com estratégias automatizadas dedicadas ao gerenciamento térmico. Estas rotinas de proteção e gerenciamento térmico, sempre quando acionadas, tendem a reduzir a capacidade de conversão de potência do inversor, seja pelo acionamento de um ventilador auxiliar, seja pelo deslocamento do ponto de operação em máxima potência. Fabricantes de inversores tratam deste assunto pelo termo “temperature derating” (em inglês) Esta tese apresenta um estudo relacionado a influência da temperatura sobre o desempenho de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Avalia tipos de estratégias de gerenciamento térmico e proteção de uso corrente em inversores comerciais. Apresenta resultados de ensaios experimentais para determinação de parâmetros térmicos característicos dos inversores. Descreve um modelo preditivo da temperatura de operação em regime transiente. A partir da determinação experimental de parâmetros térmicos, o modelo preditivo de temperatura de operação foi implementado no software de simulação dinâmica para dimensionamento e avaliação de sistemas fotovoltaicos FVCONECT, desenvolvido no LABSOL/UFRGS, estando o mesmo apto para simular a operação e estimar perdas anuais de desempenho energético decorrentes das rotinas de gerenciamento térmico, dos seus efeitos e das limitações impostas durante a operação de inversores fotovoltaicos conectados à rede. Um dos resultados da simulação é a evolução da temperatura do inversor, permitindo avaliar a frequência e amplitude dos ciclos térmicos ao qual o inversor é submetido e, consequentemente, determinar uma estimativa para durabilidade do inversor. / Photovoltaic inverters are electronic power devices that provide electrical energy in alternating current (AC) from a source of electrical energy in direct current (DC) - a photovoltaic generator, in this case. Inverters increase their temperature when in operation. This rise in temperature is not desirable, but inherent to its operation. Any electronic equipment has a safe operating temperature limit. When this limit is surpassed, operating instability, life reduction or even drastic failure may occur. The knowledge of the electrical conversion efficiency and the losses responsible for the heating is important for the proper sizing of grid-tie inverters in photovoltaic systems, as well as for the development of the inverter as a product. In order to increase the useful life of the device and its components, for greater reliability, safety, stability and security of operation, inverters have routines in their algorithms of control with automated strategies dedicated to the thermal management. These protection and thermal management routines, whenever activated, tend to reduce the power conversion capacity of the inverter, either by the activation of an auxiliary fan or by the displacement of the operating point at maximum power. Inverter manufacturers address this issue by the term "temperature derating". This thesis presents a methodology to evaluate the influence of the performance of different strategies to avoid excessive temperature of the inverter components on its performance and durability It is also made an evaluation of different thermal management strategies and protection used in commercial inverters. Results of experimental tests for determination of thermal parameters characteristic of the inverters are presented. A predictive model of transient operating inverter temperature is also described. From the experimental determination of thermal parameters, the predictive model of operating temperature was implemented to the FVCONECT, a dynamic simulation software for sizing and evaluation of photovoltaic systems developed in LABSOL / UFRGS. With this modification, the software was able to simulate the operation and estimate losses of energy due to the thermal management routines, their effects and the limitations imposed during the operation of grid-tie inverters. One of the results of the simulation is the evolution of the inverter temperature, allowing to evaluate the frequency and amplitude of thermal cycles to which the inverter is subjected and, as a consequence, an estimate of durability of the inverter.

This work deals with determination defects in solar cells using non-destructive methods. Defects are determinating by electroluminescence method and microplasma method in temperature influence. Temperature will be changed by Peltier cells. By using this various temperatures during the testing we can receive more objective results thanks to simulated operation conditions.

The thesis deals with 3D printing by the FDM and ambient temperature on print quality. The thesis describes the principle of printing by the FDM method and the occurrence of errors caused by the influence of ambient temperature. The aim of the thesis is to design a heated chamber for RepRap Prusa i3 printer, its construction and subsequent testing of ambient temperature influence on print quality. To test the occurrence of the described errors, specific tests and materials are selected in the work. The result of this work is the recommended ambient temperature in the heated chamber for improved FDM printing.