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Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Schäfer, Toni 15 June 2006 (has links) (PDF)
Herstellung anwendungsbezogener SiO2- Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.
CF4
CHF3
FIB
Plasmapolymer
RIE
RIE grass
Selektivität
bowing
differential charging
facetting
microtrenching
Ätzrate
ddc:620
Anisotropie
Elektromigration
Fluidik
ICP
Lag
Passivierung
Photoresist
Plasmaätzen
Polymere
Rasterelektronenmikroskop
Siliciumdioxid
Trench <Mikroelektronik>
2

Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Schäfer, Toni 15 June 2006 (has links)
Herstellung anwendungsbezogener SiO2- Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.
info:eu-repo/classification/ddc/620
ddc:620
Anisotropie
Elektromigration
Fluidik
ICP
Lag
Passivierung
Photoresist
Plasmaätzen
Polymere
Rasterelektronenmikroskop
Siliciumdioxid
Trench <Mikroelektronik>
CF4
CHF3
FIB
Plasmapolymer
RIE
RIE grass
Selektivität
bowing
differential charging
facetting
microtrenching
Ätzrate

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