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Contribution à la caractérisation diélectrique micro-onde de cristaux liquides application aux circuits agiles en fréquence /Tentillier, Nicolas Legrand, Christian Splingart, Bertrand. January 2003 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Électronique : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3400. Résumé en français et en anglais. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Matrices de commutation optique sur InPBlary, Karine Decoster, Didier. Chazelas, Jean. January 2003 (has links) (PDF)
Thèse doctorat : Électronique : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3387. Résumé en français et en anglais. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Commande et entrainement des machines-outils à dynamique élevée formalismes et applications /Barre, Pierre-Jean. Hautier, Jean-Paul. January 2007 (has links)
Reproduction de : Habilitation à diriger des recherches : Automatique : Lille 1 : 2004. / N° d'ordre (Lille 1) : 441. Résumé en français. Curriculum vitae. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. p. 126-127. Liste des publications et communications.
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Multiplicateurs de fréquences et métamatériaux en technologie finlineDecoopman, Thibaut Vanbésien, Olivier. Lippens, Didier. January 2007 (has links)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Microondes et microtechnologies : Lille 1 : 2004. / N° d'ordre (Lille 1) : 3515. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. p. [213]-223. Liste des publications.
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SUIVI DES EQUIPEMENTS ELECTRIQUES TOURNANTS: ANALYSE ET DIAGNOSTIC DES DEFAILLANCESPeuget, Raphaël 10 December 1997 (has links) (PDF)
Cette thèse est une contribution aux études sur la disponibilité des dispositifs électrotechnique. L'étude présentée* propose des solutions aux problèmes de détection des défauts dans les -entraînements-électriqUes continu et alternatif en utilisant des méthodes de connaissances et de modélisatiOIFde signaux. Les défauts considérés sont ceux de l'alimentation, du convertisseur, des capteurs et de la machine. Pour les défa~ts affectant l'entraînement continu, la méthode retenue se base sur une analyse de la répercussion des défauts sur les grandeurs accessibles (relations de causes à effets) et utilise le symbolisme des arbres de défaillances. Pour l'entraînement ~ernatif diverses approches* utilisant la connaissance du système électrotechnique ont été proposées pour détemlÎner des symptômes temporels (suivi de la trajectoire ou de la fréquence instantanée du vecteur courant, modèles du courant absorbé). Une caractérisation fréquentielle des défauts affectant l'entraînement a été réalisé dans les domaines basses fréquences (les fondamentaux et ses multiples) et hautes fréquences (évolution de la fréquence de modulation). Les diverses approches ont toutes été validés expérimentalement
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DIAGNOSTIC DE DÉFAUT DANS LES ENTRAINEMENTS ÉLECTRIQUESRostaing, Gilles 10 February 1997 (has links) (PDF)
Cette thèse représente une contribution aux études sur la disponiblité des dispositifs électrotechnique. L'étude présentée vise à définir la méthode de redondance analytique, basée sur l'estimation d'état, la mieux adaptée au diagnostic des entraînements électriques en considérant les défauts de l'ensemble du convertisseur, de la commande et des capteurs. La méthode retenue doit permettre d'obtenir un modèle de diagnostic implantable en temps réel et sans ajout de capteurs supplémentaires. L'application retenue est un entraînement à courant continu commandé en couple. Le chapitre II compare deux modèles analytiques nommés modèles parallèle et permet de retenir un modèle parallèle "découplé" qui permet une bonne détection et une bonne localisation des défauts d'électronique de puissance ainsi que des défauts capteur. Malheureusement les modèles parallèles sont dépendants des entrées perturbatrices du procédé. Les perturbations génèrent donc des fausses alarmes La batterie d'observateur à entrées inconnues mise au point au chapitre III permet de s'affranchir de l'entrée perturbatrice que constitue dans notre cas le couple de charge. Cette technique est moins dépendante, en terme de découplage, du système car l'injection de sortie grace à la matrice de gain permet de disposer de degrés de liberté supplémentaires qui autorisent un réglage des découplages et des sensibilités. Les observateurs (à entrées inconnues) sont donc, à priori, les modèles de diagnostic les mieux adaptés à la à la détection et la localisation de défauts dans les entrainements électriques à courant continu.
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A study of interfaces and nanostructures by time of flight mass spectrometry : towards a spatially resolved quantitative analysisPy, Matthieu 30 September 2011 (has links) (PDF)
Les dispositifs avancés pour la microélectronique intègrent divers matériaux et sont de dimensions nanométriques. Une connaissance précise de leur composition est requise pour améliorer leurs procédés de fabrication et comprendre leur comportement électrique. Le ToF-SIMS est un candidat intéressant, qui souffre cependant des effets de matrice et ne possède pas toujours une résolution spatiale suffisante. Le but de ce travail est de permettre une analyse quantitative et résolue en profondeur de matériaux et structures pour la microélectronique avancée à l'aide d'un ToF-SIMS standard. Cette étude porte sur SiGe, sur des matériaux à haute permittivité, des implants basse énergie et des matériaux organiques. Elle se concentre sur la préparation d'échantillons, l'optimisation des conditions expérimentales et le traitement de données pour mettre au point des protocoles d'analyse originaux dont la précision est évaluée grâce à d'autres techniques de caractérisation de pointe. Ces protocoles permettent d'améliorer la qualité des analyses en termes de résolution en profondeur, de précision et de reproductibilité
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Composites multiferroïques pour dispositifs magnéto-électriques intégrésLebedev, Gor 21 September 2012 (has links) (PDF)
Ce travail de thèse porte sur l'étude de composites magnétoélectriques laminaires dans le but de réaliser des dispositifs innovants intégrés sur silicium tel que l'inductance RF variable. Grâce au couplage mécanique entre des couches adjacentes magnétostrictive ultra douce et piézoélectrique, il est possible d'obtenir un couplage magnétoélectrique indirect qui est supérieur de plusieurs ordres de grandeur à celui des matériaux multiferroïques naturels. Dans un premier temps, nous avons utilisé l'approche phénoménologique basée sur les énergies pour décrire le panorama des effets attendus dans des composites magnétoélectriques laminaires (multicouches). Ensuite, des composites magnétoélectriques macroscopiques à base de substrats piézoélectriques de type MFC et de couches minces de FeCoB ont été réalisés. L'étude du couplage magnétoélectrique en fonction de la composition de FeCoB a permis de déterminer les propriétés clés des matériaux, notamment le rapport λs/Ms, qui sont essentielles pour obtenir un effet magnétoélectrique élevé. Un coefficient magnétoélectrique record de 250 V∙cm‐1Oe‐1 a été obtenu. Par ailleurs, un microscope à effet Kerr a été spécialement développé pour pouvoir observer de manière quasi-instantanée la modification de la structure en domaines sous l'effet de la tension électrique dans ces composites. Pour la première fois, l'observation directe de la rotation de l'axe facile d'aimantation sous commande électrique a été réalisée. La deuxième partie de ce manuscrit est consacrée à la conception, simulation, fabrication et caractérisation d'un dispositif MEMS hybride d'inductance variable intégrée. Ce dispositif exploite l'effet magnétoélectrique indirect entre un élément moteur en PZT (sol gel) et un élément inductif à base de FeCoB. Etant donné le caractère multiphysique hors norme de ce dispositif, un ensemble de tests électriques, mécaniques, optiques et magnétiques a été déployé tout au long de la fabrication. Les résultats concluent à une preuve de concept partiellement fonctionnelle en raison principalement d'une mauvaise gestion des contraintes internes liées à la fabrication. Les pistes d'amélioration aux niveaux du design, des matériaux et des procédés sont identifiées.
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Etude aéroacoustique de configurations génériques de dispositifs hypersustentateurs : approches analytique et expérimentaleLemoine, Benoît 24 January 2013 (has links) (PDF)
Depuis plusieurs décennies, le trafic aérien ne cesse de croître. Ainsi, près de 6 milliards de passagers transitent dans le monde par an. Les objectifs européens à l'horizon 2020 en terme d'émission sonore des aéronefs imposent une réduction de 10 dB par point de mesure par rapport aux aéronefs de l'an 2000. Dans ce contexte, le projet européen VALIANT (VALidation and Improvement of Airframe Noise prediction Tools) a pour but principal de tester, valider et améliorer les codes numériques et les modèles de prédiction du bruit de cellule (trains d'atterrissage + voilure) sur des géométries simplifiées afin de disposer de cas tests pour les recherches futures. L'objectif de la thèse, associé à la contribution de l'ECL dans ce projet, est de créer des bases de données expérimentales fiables sur des systèmes à deux éléments - bec/aile et aile/volet - et de modéliser analytiquement le bruit issu de tels systèmes. La thèse s'est concentrée sur un système aile/volet non porteur et parallèle dans un écoulement de soufflerie à veine ouverte, en configuration d'alignement ou de recouvrement partiel, menant à de possibles interactions aérodynamiques et/ou acoustiques. Les mesures ont été faites pour différentes vitesses d'écoulement (30 − 100 m~s), avec une attention particulière à 50 m~s (M0 ∼ 0, 15). Le taux de turbulence de l'écoulement incident est modifiable par l'ajout d'une grille de turbulence à maille large placée dans la section de sortie du convergent. Les résultats aérodynamiques (fil chaud, pression en paroi) ont révélé la présence d'une forte interaction lorsque la distance entre les deux corps est de l'ordre de grandeur de la couche limite turbulente au bord de fuite de l'aile. De plus, le couplage acoustique a lieu lorsque la longueur de recouvrement est positive ou nulle. Des mesures de localisation de sources menées par l'ONERA/DSNA ont permis de valider les mesures de champ lointain en confirmant l'absence de sources de bruit d'installation en dessous de 10 kHz. Par ailleurs, des comparaisons avec les simulations numériques donnent de bons accords. Du point de vue analytique, le problème mathématique de deux plaques planes en recouvrement partiel dans un écoulement uniforme a été posé et une réduction bidimensionnelle a été justifiée. Le problème n'ayant pas de solution exacte, plusieurs modèles issus de la littérature - théories de Howe et d'Amiet - ont été étudiés. Les plus pertinents ont été confrontés aux résultats expérimentaux, révélant les limites asymptotiques de ces modèles. Un modèle original est alors proposé pour la géométrie du problème posé, sans hypothèse restrictive. La démarche est basée sur une procédure de diffraction itérative permettant de prendre en compte la proximité des deux corps et utilisant la fonction de Green exacte du demi-plan en écoulement uniforme. Le modèle prédit des comportements qualitatifs angle/fréquence proches des résultats expérimentaux. La prise en compte de la statistique des rafales incidentes reste néanmoins à effectuer afin de procéder à des comparaisons quantitatives. Une campagne expérimentale complémentaire avec une marche descendante permet de mettre en évidence les écoulements de cavité arrière d'une aile, plus proche de la réalité. De même, des mesures sur une configuration bec/aile a été testée et la prise en compte de la déflexion du jet de la soufflerie pour la réfraction des ondes sonores par la couche de cisaillement a été proposée.
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Etude des interactions matériaux et des mécanismes électrochimiques aux interfaces des électrodes d’un empilement mémoire à base d’oxydes métalliques / Study of materials interactions and electrochemical mechanisms at the interfaces of electrodes of a memory stack based on metal oxidesMarty, Aurélie 30 May 2018 (has links)
Cette thèse porte sur la compréhension des mécanismes de forming dans les mémoires à pont conducteur (CBRAM) à base d’oxydes métalliques. Pour cela nous avons admis que l’empilement mémoire est une cellule électrochimique à l’échelle du nanomètre et considéré que les principaux mécanismes de forming sont basés sur des effets électrochimiques. Nous avons débuté nos études à partir d’un couple de référence CuxTey/Oxyde, analysé par HAXPES et ToF-SIMS avant et après l’electro-forming, dans le but d’observer les diffusions et les modifications de l’environnement chimique durant le forming. Ensuite, la couche fournissant les ions, basée sur un alliage CuxTey, ainsi que le diélectrique (Ta2O5, GdOx, or Al2O3) ont été modifiés étape par étape. Les résultats de leurs analyses ont été comparés avec ceux de l’empilement de référence dans le but de comprendre le rôle de chaque couche et des éléments présents dans l’empilement.Nous avons vu que les propriétés du diélectrique, telles que la force des liaisons métal-oxygène, l’hygroscopicité, ou l’éventuelle présence de défauts comme les lacunes d’oxygène, peuvent favoriser un comportement mémoire plutôt OXRAM, CBRAM ou hybride OXRAM/CBRAM. De plus, quand le cuivre diffuse durant le forming, une contre diffusion d’oxygène apparaît également dans le diélectrique. Ensuite, la présence de tellure dans la couche fournissant les ions est nécessaire pour permettre l’effacement de la mémoire, car il permet la re-dissolution du filament de cuivre dans la couche fournissant les ions. Nous avons également vu que le germanium amorphise l’alliage de CuxTeyGez et donc permet son intégration tout en le protégeant de l’oxydation. De plus, il est possible de remplacer le germanium par du zirconium, réduisant ainsi le diélectrique, ce qui facilite le forming. / This thesis focuses on the understanding of forming mechanisms in oxide-based conductive bridge memories (CBRAM), based on metallic oxides. For this purpose, we compared the memory stack to an electrochemical cell at nanometer scale and consider that the main mechanisms occurring in the memory rely on electrochemical effects. We started our studies from a reference couple CuxTey/Oxide, analyzed by HAXPES and ToF-SIMS before and after electro-forming, in order to observe the diffusions and the modifications of the chemical environment occurring during forming. Then, the ion source layer based on CuxTey alloy and the dielectric (Ta2O5, GdOx or Al2O3) were sequentially modified and results of their analyses were compared to the reference stack, in order to understand the role of each layer and chemical elements present in the memory stack.We evidenced that the properties of the dielectric, such as the strength of its oxygen-metal bonds, its hygroscopicity or the eventual presence of defects such as oxygen vacancies, can promote a given memory behavior from OXRAM to CBRAM or hybrid OXRAM/CBRAM behavior. Moreover, when copper diffuses during the forming, an oxygen counter diffusion also takes place in the dielectric. Also, the presence of tellurium in the ion source layer is required to reset the memory as it enables the dissolution of the copper filament in the ion source layer. We also show that germanium amorphizes the CuxTeyGez alloy, thus enables its integration, and protects it from oxidation. Moreover, it is possible to substitute germanium by zirconium resulting in the dielectric reduction, which eases the forming.
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