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301

Comparação entre métodos digitais de linearização de sensores

Basilio, Osvaldo Andre Betat January 2002 (has links)
Na era de sistemas embarcados complexos, a interface direta de dispositivos e sistemas integrados para o mundo real demanda o uso de sensores e seus circuitos analógicos de suporte. Desde que a maioria das características físicas de um sensor requer algum tipo de calibração, este trabalho compara e discute quatro técnicas digitais de calibração adaptadas para aplicação em sistemas embarcados. Para fins de comparação, estes métodos de calibração foram implementados em Matlab5.3, e em um DSP (Digital Signal Processor) . Através das medidas realizadas durante a operação em regime do DSP, pode-se determinar parâmetros importantes de projeto, como potência dissipada e tempo de processamento. Outros critérios de comparação, como área consumida, tempo de processamento, facilidade de automação e taxa de crescimento do custo área e do custo velocidade com o aumento de resolução também foram analisados. Os resultados das implementações são apresentados e discutidos com o objetivo de descobrir qual o melhor método de calibração para aplicações em sistemas embarcados.
302

Caracterização por microscopia eletrônica do aço SAE1141 microligado ao Nb

Olea, Cesar Afonso Weis January 2002 (has links)
Este trabalho visa a investigação dos aspectos microestruturais, de cunho significativo nas propriedades mecânicas de um aço microligado, através da utilização de técnicas de microscopia eletrônica. Variações em parâmetros de produção e processamento de aços microligados produzem efeitos microestruturais diversos, os quais influenciam diretamente nas propriedades do material. Para tanto, é de suma importância a realização de um acompanhamento da evolução microestrutural de forjados, para que se possa entender os mecanismos de reforço estrutural, e assim, buscar controlá-los. Foram simuladas as condições industriais de forjamento em amostras de aço microligado ao nióbio, SAE 1141, utilizando um simulador termomecânico Gleeble. Esse aço é empregado na produção de garfos (terminal) forjados pela indústria automobilística. As variáveis controladas na simulação foram a temperatura de pré-aquecimento, percentual de deformação e taxa de resfriamento. Os aspectos microestruturais resultantes foram analisados por microscopia de luz visível e eletrônica de varredura. Especial atenção foi dada ao estudo dos aspectos subestruturais através da técnica de microscopia eletrônica de transmissão. Foram utilizadas para tal amostras do tipo réplica de extração em filme de carbono e lâminas finas Os estudos realizados neste trabalho poderão contribuir para otimização do processo de forjamento nessa classe de aços visando garantir boas propriedades mecânicas. Análises por nano-sonda EDS indicam a presença de partículas ricas em Nb. Foi constatado que a temperatura de pré-aquecimento para forjamento desempenha papel importante, pois a temperatura mais baixa, verifica-se fina precipitação de carbonitretos e o refino de grão é mais pronunciado. Este efeito é influenciado também pelo grau de deformação a quente.
303

Avaliação do estágio de implementação da recuperação de serviços nas indústrias de eletroeletrônica filiadas à ABINEE no RS

Xavier, Paulo Antônio Martins January 2004 (has links)
Resumo não disponível.
304

Aplicação de técnicas de gerenciamento por objetivos à área industrial de uma empresa eletro-eletrônica

Mendes, Geraldo Silveira January 2004 (has links)
Este trabalho descreve a implantação da Gestão por objetivos na Área Industrial da Empresa PARKS Comunicações Digitais, que é uma empresa do segmento de telecomunicações que desenvolve, fabrica e distribui equipamentos destinados à comunicação de dados denominados de "última milha", ou seja, dentro de um sistema de tranmissão de dados e voz, seus equipamentos estão instalados próximos ao usuário final do serviço. São apresentados a geração dos indicadores de desempenho, o treinamento dos gestores da empresa e os resultados auferidos no decorrer dos primeiros anos. A implementação desta metodologia de gestão seguiu o processo de pesquisa e ação, usando técnicas de elaboração de objetivos e de seu acompanhamento. Os resultados foram avaliados através de dados financeiros da empresa, usando um indicador geral, o custo do produto vendido gerencial(CPV), e seus componentes, o custo do produto comprado, o de industrialização e o da não qualidade, cada um com seus próprios indicadores. Verificou-se que, tomando-se como base o CPV, ao longo do período, houve uma redução do mesmo que alcançou cerca de 16% do faturamento bruto obtido. Outro resultado positivo foi a formação de um grupo de gestores já treinado em levantamento, análise e determinação de metas, aguardando as diretrizes para desenvolver o Plano Estratégico da Empresa.
305

Arquitetura em hardware para co-processamento de tarefas em sistema operacional tempo real

Gonçalves Júnior, Hermes José January 2004 (has links)
Os sistemas operacionais de tempo real, assim como os sistemas embarcados, estão inseridos no desenvolvimento de projetos de automação industrial segmentado em diversas áreas de pesquisa como, por exemplo, robótica, telecomunicações, e barramentos industriais. As aplicações de sistemas modernos de controle e automação necessitam de alta confiabilidade, velocidade de comunicação, além de, determinismo temporal. Sistemas operacionais de tempo real (SOTR) têm-se apresentado como uma solução confiável quando aplicadas em sistemas que se fundamentam no cumprimento de requisitos temporais. Além disso, o desempenho computacional é totalmente dependente da capacidade operacional da unidade de processamento. Em um sistema monoprocessado, parte da capacidade computacional da unidade de processamento é utilizada em atividades administrativas, como por exemplo, processos de chaveamento e salvamento de contexto. Em decorrência disto, surge a sobrecarga computacional como fator preponderante para o desempenho do sistema. Este trabalho tem por objetivo, analisar e fornecer uma arquitetura alternativa para realizar o co-processamento de tarefas em uma plataforma IBM-PC, aumentando a capacidade computacional do microprocessador principal. No presente trabalho, a plataforma de coprocessamento realiza a execução do algoritmo de escalonamento do sistema operacional, desta forma distribuiu-se o gerenciamento temporal das tarefas entre a plataforma IBM-PC e a unidade de co-processamento.
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Projeto e implementação de um sistema de instrumentação eletro-eletrônica para caracterização de escoamentos através de processamento digital de imagens

Nunes, Roger Pizzato January 2005 (has links)
Historicamente, devido à incompreensibilidade dos fenômenos físicos envolvidos, diversas técnicas de análise experimental de escoamentos foram desenvolvidas. Inicialmente, estas técnicas consistiam em uma simples visualização do escoamento em questão. Visava-se com isto produzir a intuição física a respeito do sistema físico para que futuras teorias pudessem ser formuladas. No entanto, nos anos posteriores, tornou-se necessária a criação de técnicas quantitativas. Neste segmento, a evolução tecnológica da eletrônica propiciou que técnicas intrusivas e não intrusivas fossem criadas. Tal processo culminou com o surgimento da microeletrônica, quando sensores eletrônicos de imagem puderam ser fabricados. Assim, técnicas não intrusivas de velocimetria através de processamento digital de imagens tornaram-se referência, possibilitando a medição de campos de velocidade do escoamento em análise. Tais técnicas são atualmente utilizadas não apenas no meio acadêmico, na investigação da turbulência, como na indústria, em projetos de engenharia que envolvam alta tecnologia. Neste trabalho, apresenta-se uma metodologia para a concepção de um sistema de velocimetria de 2 dimensões por processamento digital de imagens. Para tanto, o sistema de velocimetria foi dividido em duas partes, sendo os equipamentos bem como os conceitos físicos envolvidos em cada uma analisados e descritos Por fim, projetou-se e implementou-se um sistema de velocimetria de 2 dimensões através de processamento digital de imagens, modo PIV. A sua validação foi efetuada sobre um escoamento altamente turbulento interno a um duto circular, cuja solução é conhecida e exaustivamente estudada no decorrer dos anos. O resultado obtido se apresentou totalmente satisfatório e demonstrou a grande importância atual de tal técnica de medição.
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Sistema de aquisição de dados geoposicionado aplicado à medição da resistência ao corte do solo

D'Agostini, Rafael da Rolt January 2005 (has links)
Neste trabalho, a literatura (estado da arte) sobre Agricultura de Precisão é revisada. Um equipamento para a aquisição de dados foi desenvolvido, foi feita uma descrição detalhada do mesmo e são apresentados os testes de campo para sua validação.
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Estrutura eletrônica e propriedades magneto ópticas dos pontos quânticos de dissulfeto de molibdênio

Dias, Alexandre Cavalheiro 15 July 2016 (has links)
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, Programa de Pós-Graduação em Física, 2016. / Submitted by Fernanda Percia França (fernandafranca@bce.unb.br) on 2016-08-16T11:22:56Z No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-08-25T20:48:19Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-25T20:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_AlexandreCavalheiroDias.pdf: 8738859 bytes, checksum: e48f26fc263ba97c0a1ee2c71d971459 (MD5) / Monocamadas de Dicalcogenetos de metais de transição (DCMT) possuem um gap direto na região de espectro visível, ideal para aplicação em optoeletrônica. A monocamada do bulk bidimensional de DCMT com geometria infinita exibe um forte confinamento unidimensional de portadores de carga, mas preserva a dispersão do tipo bulk no plano 2D. Em contraste, o ponto quântico (PQ) de DCMT é restrito nas três dimensões, as quais apresentam propriedades ópticas e eletrônicas ajustáveis ao tamanho, além das notáveis características relacionadas aos graus de liberdade do spin e do vale herdados dos materiais bidimensionais do tipo bulk. Assim PQs de DCMT são promissores blocos de construção em sistemas integrados de informação quântica, spintrônica e optoeletrônica. Nós obtivemos a energia efetiva do efeito Zeeman (EEZ) e o espectro de absorção magneto-óptico em PQs circulares de monocamadas de DCMT sujeitos a um campo magnético perpendicular fora do plano, mais especificamente o MoS2. Em contraste, a monocamada do bulk bidimensional de DCMT, os níveis de energia nos PQs de DCMT apresentam dependência não linear com o campo magnético aplicado. Conforme o aumento do campo magnético, os níveis evoluem de energias atômicas degeneradas no vale para níveis de Landau com quebra de simetria inverso temporal (SIT). Nós calculamos que a energia Zeeman do vale, a qual mede a separação entre os níveis de energia nos vales K e K', mostra uma dependência linear com o campo magnético, e seu sinal pode ser invertido através da mudança de direção do campo magnético aplicado. Notavelmente, a energia Zeeman no vale é robusta em relação ao tamanho do PQ. Além disso, nós também prevemos o espectro de absorção magneto-óptico em PQs de DCMT sob luz circularmente polarizada (CP) e luz linearmente polarizada (LP). Para luz CP, nós observamos um espectro de absorção com seleção do vale pela polarização, conforme mostrado na monocamada do bulk bidimensional. Entretanto, diferente da monocamada, a qual possui um espectro de absorção com freqüências fixas, tanto a intensidade como a freqüência de absorção podem ser ajustadas através da geometria do PQ em conjunto com o campo magnético. Além disso, para luz LP, nós achamos a absorção óptica dependente do spin mas sem a polarização do vale. _________________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / Transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers have a direct band gap in the visible region of the spectrum, ideal for optoelectronic applications. The 2D monolayer bulk TMDCs with infinite geometry exhibit strong carrier confinement in one dimension but preserve the bulklike dispersion in the 2D plane. In contrast, a TMDC quantum dot (QD) is restricted in three dimensions which presents size tunable electronic and optical properties in addition to the remarkable characteristics related to spin-valley degree of freedom inherited from its 2D bulk materials. Thus TMDCs QDs are promising building blocks in integrated quantum information, spintronic and optoelectronic systems. We report effective valley Zeeman energy and magnetooptical absorption in monolayer TMDC circular QDs subject to an out-of-plane magnetic field, more specifically for MoS2 . In contrast to 2D monolayer bulk TMDCs, energy levels in the TMDC QDs display nonlinear dependence on applied magnetic field. As the magnetic field increases from zero, they evolve from valley degenerate atomic energy levels into time-reversal symmetry broken Landau levels. We find that the valley Zeeman energy, which measures the splitting between energy levels in K- and K’- valleys, shows a linear dependence on magnetic field and its sign can be reversed by changing the direction of applied magnetic field. Remarkably, the valley Zeeman energy is robust against dot size. Besides, we also predict the magneto-optical absorption spectra in TMDC QDs under both the circularly polarized (CP) and linearly polarized (LP) light fields. For the CP light, we observe an absorption spectrum with valley selected polarization, as reported in the 2D monolayer bulk. However, unlike the 2D monolayer bulk in which the absorption spectrum having a fixed frequency, both the intensity and frequency of the absorption can be tuned by the dot geometry in addition to by a magnetic field. Furthermore, for the LP light, we find the spin dependent but valley unpolarized optical absorption.
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Injeção de cargas no polímero P3HT em condições ambientais como um controle de processos degradativos em materiais verdes

Pereira, Vilany Santana 08 July 2016 (has links)
Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2016. / Submitted by Fernanda Percia França (fernandafranca@bce.unb.br) on 2016-09-13T17:25:57Z No. of bitstreams: 1 2016_VilanySantanaPereira.pdf: 13638508 bytes, checksum: b0440cfddaa00b1479a57fe8b2dafe8d (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-09-20T21:48:41Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_VilanySantanaPereira.pdf: 13638508 bytes, checksum: b0440cfddaa00b1479a57fe8b2dafe8d (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-20T21:48:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_VilanySantanaPereira.pdf: 13638508 bytes, checksum: b0440cfddaa00b1479a57fe8b2dafe8d (MD5) / A descoberta de polímeros condutores há 40 anos abriu o caminho para a eletrônica orgânica com a promessa de novas aplicações. Desde então, uma gama considerável de dispositivos eletrônicos contendo polímeros condutores (semi) tem sido desenvolvidos, como diodos emissores de luz, dispositivos ópticos não lineares, músculos artificiais, transístores de filmes finos, dispositivos fotovoltaicos, dentre outros. Incorporando compostos orgânicos extraídos de plantas (os chamados materiais "verdes") nestes dispositivos é possível melhorar estabilidade, sustentabilidade e os custos de manufatura. Materiais verdes são processados sob atmosfera ambiente, utilizando técnicas de deposição simples como spin, dip coating ou drop casting. Mesmo os semicondutores orgânicos bem conhecidos comportam-se de maneira diferente nestas condições. Como um sistema de modelo e referência para materiais verdes, foi reinvestigada a injeção de lacunas no polímero semicondutor regiorregular poly(3- hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). Este por sua vez, é conhecido por ser sensível aos contaminantes ambientais, como humidade, oxigênio ou solventes remanescentes. No presente trabalho, é dada especial ênfase para a compreensão da resposta elétrica dos semicondutores orgânicos sob ação de processos degradativos, que afetam tanto o filme quanto as interfaces. Para promover a injeção de carga no P3HT vários cenários de secagem foram monitorados após tratamento térmico (annealing) e envelhecimento. Comparou-se a injeção de carga através de uma interface metal-semicondutor com uma heterojunção orgânica na mesma amostra para distinguir efeitos do filme e de interfaces. Fenômenos de dopagem não intencional, presença de impurezas carregadas, degradação por armadilhas de lacunas profundas e camadas interfaciais não uniformes foram identificados através da análise cuidadosa das características de corrente-tensão, parcialmente com a ajuda de simulações numéricas que resolveram as equações diferenciais não-linear de Poisson e de deriva-difusão. Além disso, a injeção de cargas em materiais verdes como filmes plastificados com base em Buriti e óleo de Urucum revelou diferenças marcantes em relação ao material de referência P3HT, provavelmente relacionado a modificações de interface. O exemplo dado demonstra a utilidade da criação de injeção de carga em filme P3HT por casting como controle para desenvolver materiais verdes com aplicações eletrônicas. _________________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The discovery of conducting polymers 40 years ago paved the way for organic electronics promising exciting new applications. Already a considerable range of electronic devices containing (semi) conducting polymers has been developed like light emitting diodes, non-linear optical devices, artificial muscles, thin film transistors and large area photovoltaic devices. Incorporating organic compounds extracted from plants (so called ’green’ materials) in these devices may improve stability, sustainability and manufacturing costs. Green materials are processed under ambiente atmosphere using simple deposition techniques like spin and dip coating or drop casting. Even well known organic semiconductors behave differently under these conditions. As a model system and reference for green materials, we reinvestigated the injection of holes into the regioregular semiconducting polymer poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT). P3HT is known to be sensitive to ambient dopants, like moisture, oxygen or reminiscent solvents. In the present work, special emphasis is given to understanding the electrical signature of degrading processes, which affect both the bulk and the interfaces of the organic semiconductor. To this extend the charge injection into P3HT was monitored after various drying scenarios, heat treatment (annealing) and aging. Especially fruitful proved the comparison of charge injection across a metal-semiconductor interface and an organic heterojunction in the same sample to distinguish bulk and interface effects. Unintentional doping, the presence of charged impurities, degradation by deep hole traps and non-uniform interfacial layers could be all identified by carefully analysing current-voltage characteristics, partially with the help of numerical simulations solving the coupled nonlinear Poisson and drift-diffusion differential equations. Moreover, charge injection into selected green materials like plasticised films based on Buriti and Annatto oil revealed striking differences compared to the reference material P3HT, most likely related to interface modifications. The given example proves the usefulness of establishing charge injection into casted P3HT film as control when developing green materials for electronic applications.
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Estudo de cerâmicas de SiC e Al2O3 tratadas por expansor de plasma de nitrogênio /

Santos, Carlos do Nascimento. January 2012 (has links)
Orientador: Rogério Pinto Mota / Coorientador: Elson de Campos / Banca: Konstantin Georgiev Kostov / Banca: Roberto Yzumi Honda / Banca: Emerson Ferreira de Lucena / Banca: Alvaro José Damião / Resumo: Hoje em dia a proteção de veículos, aeronaves e pessoas está aumentando mundialmente e em muitos campos de aplicação diferentes, tais como em cobertura estrutural, armadura balística, cobertura térmic, substrato de espelho de alto desempenho, entre outras. Alguns dos principais materiais cerâmicos empregados tem sido o SiCe o Al2O3. A técnica de aplicação de plasma sobre a superfície de cerâmicas SiC e Al2O3 é relativamente recente e pode promover relevantes modificações superficiais. Uma nova técnica de plasma para tratamento superficial de cerâmicas densas de SiC e Al2O3, baseada na técnica Z-pinch inverso e denominada de expansor de plasma, utilizando plasma de nitrogênio reativo, foi usada neste trabalho. Este tipo de plasma pode simular determinadas condições as quais os materiais cerâmicos são submetidos quando da reentrada na atmosfera terrestre. Cerâmica de SiC e Al2O3 foram sinterizadas em 1950ºC e 1600ºC, respectivamente, após prensagem uniaxial e isostática. Para produção das cerâmicas de SiC foi utilizado como aditivo o YAG nas proporções de 5%, 7,6% e 10%, enquanto o Al2O3, utilizou como aditivo o MgO. Todos os conjuntos de amostras passaram pelos processos de lixamento e polimento superficial. Durante o tratamento superficial por plasma, das faces polidas ou conjuntos de amostras de SiC em média 1440 pulsos de descargas, enquanto os conjuntos de amostras de Al2O3, foram divididos em três grupos igualmente separados e receberam em média 700, 1000 e 1480 descargas, respectivamente. Todas as descargas foram feitas em intervalos iguais de 20 minutos.Esta técnica inovadoa de plasma promoveu modificações nas superfícies das cerâmicas. As propriedades superficiais morfológicas e mecânicas das cerâmicas de Al2O3, após o ataque de plasma, sofreram menores... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Nowadays protection of vehicles, aircraft andpeople is increasing worldwide in many different application fields, sucha as, the structural coating, ballistic armor, thermal coating, high performance mirror substrate, among other things. Some of the main ceramics materials like SiC and Al2O3 have beem employed. The plasma treatment of the SiC and Al2O3 ceramics surface is relatively recent technique applied and it is able to promote relevant superficial modifications. A novel plasma techique for surface treatment of high density ceramics such as SiC and Al2O3 is based on the reverse Z-pinch also called plasma expander and uses nitrogen as working gas. This plasma type can simulate certain conditions which the ceramic materials are submitted when of the reentry into Earth's atmosphere. The SiC and Al2O3 ceramics were sintered at 1950 °C and 1600 °C respectively using uniaxial and isostatic pressing method. The SiC ceramics were produced with additive YAG with proportions of 5%,7,6% and 10%, on the other hand, the Al2O3, ceramics were produced with additive MgO in its liquid phase. All samples have undergone the same processes of samples surface sanding and polishing. During the surface treatment by plasma performed on the polished faces, the sets of SiC samples received an average of 1440 plasma pulses, while the series of Al2O3 samples, were divided equally into three gropus and received and average of 700, 1000 and 1440 plasma pulses, respectively. All discharges were made at equal intervals of 20 minutes. The innovative plasma technique produced changes in the surfaces of ceramics and the morphological and mechanical surfaces of Al2O3 suffered smaller alterations after the plasma attack than the ones of SiC. from... (Complete abstract click electronic access below) / Doutor

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