Orientadores: Fernando Alvarez, Florestano Evangeliste / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T11:35:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Montes_CarlaBittencourtPapaleo_D.pdf: 5636330 bytes, checksum: fdcb683611d5c94d8bcafe2f9320f0de (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Apresentamos um novo método experimental para determinar o alinhamento de banda em heterojunções e aplicamos este para estudar a heterojunção c-Si/a-SixC1-x:H. Esse método utiliza uma versão moderna de uma espectroscopía muito utilizada: a espectroscopía de yield fotoelétrico excitada com fótons na região do ultra-violeta próximo. No espectro de yield podemos determinar as bordas da banda de valência do filme e do substrato devido ao grande intervalo dinâmico desta técnica. Também apresentamos um novo método para carbonizar a superfície de silício. Aplicando este método fomos capazes de crescer heterojunções c-SiC/c-Si a temperaturas inferiores das que são reportadas na literatura. A estrutura do filme e a morfologia foram estudadas in situ por RHEED e ex-situ por AFM, respectivamente. Encontramos que o crescimento ocorre em ilhas cristalinas orientadas preferencialmente na direção (001). As propriedades eletrônicas do filme foram investigadas in situ por XPS, UPS e LEYS-CFS. A análise das estruturas associadas aos níveis de caroço e a associadas aos plamons mostrou que temos um interface abrupta entre o filme estequiométrico e o substrato. O uso do LEYS-CFS permitiu a determinação da descontinuidade de banda de valência na interface embora o filme de SiC tenha nucleação em ilhas e não recobra completamente o substrato de Si. O valor encontrado para DEv foi 0.75± 0.08 eV. Esse resultado é discutido dentro da teoria existente na literatura / Abstract: We present a new experimenta1 method for determining band lineups at the semiconductor heterojunctions and apply it to the c-Si(100)/a-SixC1-x:H heterostructure. This method uses a modern version of an old spectroscopy technique: the photoeletric yield spectroscopy excited with photons in the near ultra-violet UV range. It is shown that both substrate and overlayer valence- and tops can be identified in the yield spectrum due to the high escape depth and the high dynamica1 range of the technique, thus a1lowing a direct and precise determination of the band lineup. We a1so present a new method to carbonize silicon surface. Applying this method we were able to grow c-SiC/c-Si heterojunctions at lower temperatures than the one reported in the literature. The c-SiC film structure and morphology were investigated in situ by Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) and ex-situ by Atomic Force Microscopy (AFM), respectively. It was found that the growth proceeds through the nucleation of cubic and relaxed crysta1line islands preferentia1ly oriented in (001) direction. The average island size increases with carbonization time. The electronic properties were investigated in situ by X-ray and UV photoemission spectroscopies and by photoelectric yield spectroscopy excited with low energy photons (visible and near -UV range). The ana1ysis of high resolution core level and plasma excitation spectra unambiguously shows that only stoichiometric SiC is present at the interface and demonstrates that the interface itself is abrupt. The use of the photoelectric yield technique operated in the constant final state mode a1lowed us to determine the va1ence band discontinuity a1though the SiC overlayer was cluster-like and did not cover uniform1y the Si substrate. The found va1ue is 0.75± 0.08 eV. This result is discussed in the framework of the current lineup theories / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Celio Pasquini / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-27T00:32:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guchardi_Renato_D.pdf: 5690686 bytes, checksum: df006e36393aab38616e2a05ec6a256a (MD5) Previous issue date: 2000 / Doutorado

Orientador: Antonio Gomes Trigueiros / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T00:42:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Orloski_RenataVillela_M.pdf: 6248271 bytes, checksum: bc3dae30d5e644fc01f9a426a52c360b (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: O objetivo principal deste trabalho é apresentar as forças de oscilador ponderadas ( gf ) e os tempos de vida para todas as transições de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para os íons de Si II, Si VIII e Si IX. A interpretação do cálculo destas duas grandezas é de importância fundamental por exemplo na astrofísica, pois o silício nos seus vários graus de ionização é um dos elementos mais comuns observados em espectros de absorção e emissão de fontes astrofisicas. Neste trabalho é feito para cada um dos íons uma compilação de todos os valores de energia e dos comprimentos de onda de todas as transições conhecidas experimentalmente, mediante estes valores calculamos os tempos de vida e as forças de oscilador ponderadas. Estes cálculos são realizados em uma aproximação relativística multiconfiguracional Hartree-Fock (HFR). Os parâmetros eletrostáticos foram otimizados por um procedimento de mínimos quadrados afim de produzir um melhor ajuste com valores experimentais dos níveis energéticos. Este método produz valores de gf que estão em melhor acordo com as intensidades observadas bem como tempos de vida mais próximos dos experimentais. Neste trabalho são apresentadas todas as linhas espectrais de dipolo elétrico conhecidas experimentalmente para cada um dos íons e que se resumem: -Silício uma vez ionizado, Si II, onde foram observados 146 níveis energéticos e 405 transições de dipolo elétrico na faixa de 700-9500Å; -Silício sete vezes ionizado, Si VIII, onde foram observados 73 níveis energéticos e 96 transições de dipolo elétrico na faixa de 50-1900Å e -Silício oito vezes ionizado, Si IX, onde foram observados 56 níveis energéticos e 103 transições de dipolo elétrico na faixa de 45-450Å / Abstract: The principal objective of this work is to present the weighed oscillator strengths (gf) and the lifetimes for all the eletric dipole transitions experimentally known for the íons of Si II, Si VIII VIII and Si IX. The interpretation of the calculation of these two values is for instance of fundamental importance in the astrophysics, because the silicon in your several ionization degrees is one of the most common elements observed in absorption and emission spectra of astrophysical sources. In this work it is done for each one of the ions a compilation of alI the values of energy and of wavelengths for all the transitions experimentally known, with these values we calculated the lifetimes and the weigthed oscillator strengths. These calculations are accomplished in a multiconfiguration Hartree-Fock relativistic (HFR) approach. The eletrostatic parameters were optimized by a least-square procedure in order to produce a better adjustment with experimental values of energy levels. This method produces values of gf that are in better agreement with the observed intensities as well as lifetimes closer of the experimental ones. In this work we presented all the spectral lines of electric dipole known experimentally for each one of the ions that are summarized: -Silicon one time ionized, Si II, where 146 energy levels and 405 eletric dipole transitions were observed in the range 700-9500Å; -Silicon seven times ionized, Si VIII, where 73 energy levels and 96 eletric dipole transitions were observed in the range 50-1900Å and -Silicon eight times ionized, Si IX, where 56 energy levels and 103 eletric dipole transitions were observed in the range 45-450Å / Mestrado / Física da Matéria Condensada / Mestre em Física

Orientador: Antonio Gomes Trigueiros / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-27T01:37:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Siems_AnnetteLinaMarie_D.pdf: 8593136 bytes, checksum: 332ac58014776588bbe6802cd4da4c48 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Uma investigação detalhada da excitação do He (1s2) 1S para os estados de He (1snp) 1po (n=2-5) e da excitação - ionização do He (1s2) 1S para os estados de He+ (2p) 2po e He+ (3p) 2po no sistema da colisão de H+ + He é apresentada para uma escala larga de velocidades do projetil (2.2 a.u < v < 6.9 a.u.). Especificamente, os dados experimentais novos são apresentados em medidas do grau da polarização linear para a excitação e a excitação-ionização do hélio depois do impacto do próton nos comprimentos de onda no extremo ultravioleta (EUV). Estas medidas foram executadas usando um polarímetro caracterizado de espelho de multicamadas de molybdenum/silicon (MLM). Os resultados experimentais do próton são comparados com os dados teóricos da polarização usando a primeira aproximação de Born e os cálculos atômicos recentes de "Atomic Orbital Close-Coupling Calculations" (AOCC) para o processo da excitação. Uma comparação detalhada de dados experimentais para projeteis negativamente e positivamente carregados (elétrons e prótons) em velocidades iguais de impacto é dada. Estes resultados são relevantes para diagnósticos astrofísicos tal como "solar flares". Além disso calculamos forças de osciladores ponderada "gf" e tempos de vida para o Si IV usando o método de Hartree-Fock. Nesse cálculo os parâmetros eletrostáticos foram otimizados usando o método dos mínimos quadrados, com a finalidade de melhorar o ajuste dos valores de níveis de energia experimentais. Este método produz valores de gf e tempos de vida mais próximos dos valores experimentais. Nós apresentamos todas as linhas conhecidas experimentais de dipolo elétrico do Si IV. São apresentados também os primeiros espectros da emissão de EUV de fótons depois da captura simples e múltipla em colisões de 80 keV de Ar8+ + N2. Nossa análise fornece a evidência deprocessos de captura de um e dois eletrons que resultam em transições radiativas dos estados Ar7+(nl), n=3-6 e Ar6+ (3lnl'), n=3-5 dos projeteis. Além disso nós identificamos numerosas linhas de alvo de N q+ (q=2,3) na escala do espectro de EUV (10-80 nm), devido à ionização múltipla da molécula de N2 e da dissociação consecutiva mais a excitação dos fragmentos. A emissão de fóton subseqüente vem da excitação para os estados altos do alvo tais como N2+ (1s2 2s2lnl¿) 2,4L, n=2-10 e N3+ (1s2 2lnl¿) 1,3 L,n=2-5 com energias da excitação até 52 eV e 78 eV, respectivamente. Os fragmentos dissociados e excitados de N2+ e de N3+ são devidos aos processos multiples de captura do elétron que envolvem até seis elétrons / Abstract: A detailed investigation of excitation of He (1s2) 1S to He (1snp) 1po (n=2-5) states and ionization-excitation of He (1s2) 1S to He+ (2p) 2po and He+ (3p) 2 po states in H+ + He collision systems is presented for a wide range of projectile velocities (2.2 a.u. < v < 6.9 a.u.). Specifically, new experimental data are presented on measurements of the degree of linear polarization for excitation and excitation-ionization of He following proton impact in the extreme ultraviolet (EUV) wavelengths. These measurements have been performed using a characterized molybdenum/silicon multilayer mirror polarimeter (MLM) whose polarization characteristics have been optimized for EUV emission of He and He+. Furthermore, the proton experimental results are compared with theoretical polarization data using the first Born approximation and recent atomic orbital close coupling (AOCC) calculations for the excitation process. A comprehensive comparison of experimental data for negatively and positively charged projectiles at equal impact velocities is given. These results are relevant for astrophysical diagnostics such as solar flares. Furthermore weighted oscillator strengths gf and the lifetimes for Si IV presented in this work were carried out in a multiconfiguration Hartree-Fock relativistic (HFR) approach. In this calculation, the electrostatic parameters were optimized by a least-squares procedure, in order to improve the adjustment to experimental energy levels. This method produces gf-values that are in better agreement with intensity observations and lifetime values that are closer to the experimental ones. In this work we present all the experimentally known electric dipole Si IV spectral lines. We also present the first EUV Emission spectra following single and multiple-electron capture in 80 keV Ar8+ + N2 highly charged ion-molecular collision system. Our analysis provides evidence of single and double capture processes leading to photon transitions of Ar7+(nl), n=3-6 and Ar6+ (3lnl') n=3-5 projectile states. Furthermore we have identified numerous Nq+ (q=2,3) ionic target lines in the EUV-spectral range (10-80 nm), owing to multiple ionization of the N2 molecule and consecutive dissociation plus excitation of the fragments. The subsequent photon emission arises from high lying states of the target such as N2+ (1s2 2s2lnl¿) 2,4L, n=2-10 and N3+ (1s2 2lnl¿) 1,3L, n=2-5 with excitation energies up to 52 eV and 78 eV, respectively. The N2+and N3+ excited dissociated fragments are due to multiply electron capture processes involving up to six electrons / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Oswaldo Luiz Alves / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-27T12:31:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_MarcelaMohallem_M.pdf: 7740897 bytes, checksum: 61f78edf222c0d4e9f7e7c50d0e31031 (MD5) Previous issue date: 2000 / Mestrado

Orientador: Carola Dobrigkeit Chinellato / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-28T05:49:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bernardini_AlexEduardode_M.pdf: 864108 bytes, checksum: b369a30b9447198635a1c8fb3a71ad93 (MD5) Previous issue date: 2001 / Resumo: Desde a descoberta da QCD (Cromodinâmica Quântica), houve o desenvolvimento de técnicas marcantes para os cálculos perturbativos aplicados aos hádrons. Contudo, é difícil utilizar diretamente a QCD no cálculo das propriedades hadrônicas. Dentro deste contexto, modelos fenomenológicos de potenciais têm proporcionado resultados extremamente satisfatórios na descrição dos hádrons ordinários, mais especi.camente no caso dos estados ligados quark - antiquark (mésons). Neste trabalho propomos e estudamos os principais aspectos na construção de um modelo de potencial e investigamos uma descrição generalizada da espectroscopia de mésons, com ênfase em estados ligados de quarks pesados. Analisamos os aspectos importantes na escolha do tratamento de maior concordância com a dinâmica de interação das partículas, considerando os aspectos relativísticos bem como as possibilidades de uma aproximação não-relativística, aplicada com sucesso aos sistemas de quarkônios pesados segundo uma análise Hamiltoniana efetiva. Inicialmente a "QCD soft" é empregada para determinar os termos do potencial efetivo estabelecendo o termo assintótico Coulombiano decorrente da aproximação pela troca de um glúon. Simultaneamente, um termo linear de confinamento é introduzido em concordância com a QCD e com a prescrição fenomenológica. Calculamos o espectro de massas para algumas famílias de mésons e verificamos até que ponto o modelo de potencial pode ser estendido para o cálculo das larguras de transição eletrônica ( G (q' q ® e - e+ )). Finalizando, discutimos as possibilidades físicas reais de desenvolvimento de um modelo de potencial generalizado (todos os sabores de quarks), suas possíveis vantagens conforme a parametrização experimental, a complexidade nos cálculos numéricos e a descrição da realidade física de acordo com uma teoria quântica de campos (QCD) / Abstract: Since the discovery of QCD (Quantum Chromodynamics), there have been remarkable technical achievements in perturbative calculations applied to hadrons. However, it is difficult to use QCD directly to compute hadronic properties. In this context, phenomenological potential models have provided extremely satisfactory results on description of ordinary hadrons, more speci.cally about quark - antiquark bound states (mesons). In this work we propose and study the main aspects in the construction of a potential model and search a generalized description of meson spectroscopy, with emphasis in heavy quark bound states. We analyze important aspects in the choice of the treatment in good agreement with the dynamics of interacting particles, attempting to relativistic aspects as well as to the possibilities of nonrelativistic approximation, applied with success to heavy quarkonium systems in an effective Hamiltonian analysis. Initially the " soft QCD " is employed to determine effective potential terms establishing the asymptotic Coulomb term from one glúon exchange approximation. At the same time, a linear confinement term is introduced in accordance with QCD and phenomenological prescription. We perform the calculations of mass spectroscopy for particular sets of mesons and we verify whether the potential model could be extended to calculating the electronic transition rate ( G (q' q ® e - e+ )). Finishing, we discuss the real physical possibilities of development of a generalized potential model (all quark .avors), its possible advantages relative to experimental parameterization, complexity in numerical calculations and in the description of physical reality in agreement with a quantum field theory (QCD) / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Munemasa Machida / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-28T16:01:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Daltrini_AndreMascia_M.pdf: 1161432 bytes, checksum: 799c40cd33bc96bb37588fb2b3c31e40 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste trabalho, as emissões de hidrogênio, hélio e impurezas (carbono e oxigênio) no visível e no ultravioleta no vácuo (UVV), foram estudadas através de um conjunto de quatro espectrômetros instalados no tokamak NOVA-UNICAMP. Pela primeira vez no país, foi utilizada a espectroscopia no UVV para diagnóstico de plasmas confinados em tokamaks. Juntamente com o espectrômetro no UVV foi instalado um sistema de vácuo entre este e o tokamak, para impedir a absorção, pelo ar, da radiação com comprimento de onda inferior a 1850 Å. Com um dos espectrômetros no visível, foi montado um conjunto de lentes para aumentar a quantidade de luz incidente no aparelho. Estes dois espectrômetros foram alinhados e tiveram seus alargamentos instrumentais medidos por técnicas diferentes, devido ao máximo comprimento de onda detectado pelo aparelho no UVV (6000 Å, menor que o do laser de He-Ne, 6328 Å ). As descargas do tokamak (ainda que não sejam ideais), apresentaram uma melhora significativa durante este trabalho, principalmente após o estudo da atmosfera no interior da câmara de vácuo da máquina, efetuado com um analisador de gás residual. Ainda assim, detecta-se nos sinais ópticos e da voltagem de enlace, oscilações que podem estar relacionadas com a interação do plasma ou do feixe de elétrons fugitivos (runaway) com o limitador, levando a um aumento da densidade e diminuição da temperatura do plasma. O cálculo da temperatura iônica foi efetuado através das medidas do alargamento Doppler das linhas de HeI e HeII em um plasma de hélio, e de OII, CIII e CIV (este último no UVV) em um plasma de hidrogênio. Em descargas de limpeza, o HeI apresentou temperaturas baixas (alguns poucos eV), mas em descargas tokamak sua temperatura ficou acima dos 20 eV. As medidas de HeII, realizadas com uma pressão de base ruim (10 -6 Torr), revelaram baixas temperaturas, inferiores a 20 eV até 5,3 ms. Os íons de OII apresentaram uma temperatura iônica entre 20 e 30 eV, e os de CIII chegaram a aproximadamente 50 eV após 5,0 ms. Já o CIV atingiu um temperatura de pelo menos 60-80 eV, mesmo nos instantes iniciais da descarga. O perfil da linha de La (1216 Å) foi também medido, mas a temperatura iônica do hidrogênio não foi calculada por causa do grande alargamento instrumental do espectrômetro no UVV. Mesmo assim, a evolução temporal das linhas das séries de Balmer (no visível) e Lyman (no UVV) foram comparadas, servindo como um primeiro teste para medidas posteriores que levarão ao cálculo do tempo de confinamento e taxa de reciclagem de partículas. Com a medida das linhas de impurezas foi determinado o menor comprimento de onda detectado pelo espectrômetro, 904 Å (CII). Além disso, foi também comparado o perfil temporal das linhas de carbono com diferentes graus de ionização em descargas de limpeza. Este trabalho de tese é o primeiro realizado no tokamak NOVA-UNICAMP, antigo tokamak NOVA II (vindo da Universidade de Kyoto-Japão), depois de sua instalação em nosso laboratório pelo professor Masayuki Fukao / Abstract: The hydrogen, helium and impurities (carbon and oxygen) emissions, in visible and vacuum ultraviolet (VUV) spectra, have been studied by a set of four spectrometers installed on NOVA-UNICAMP tokamak. The VUV spectroscopy has been set for the first time to study tokamak confined plasmas in our laboratories. Between the tokamak and the VUV spectrometer, a vacuum pipe system has been installed to avoid the radiation absorption by the air. With one of the visible spectrometers, a lens set has been assembled to improve the light signal. The spectrometers alignment and instrumental broadening measurements were done by different methods (since our VUV spectrometer measures wavelength up to 6000 Å, value lower than He-Ne laser wavelength, 6328 Å, used for usual alignments). Although the tokamak discharges are not the ideal ones, a good advance has been obtained in this work, mainly after the study, using a partial pressure analyzer, of the vacuum chamber residual gas. However, oscillations detected in loop voltage and optical signals seems to be related with a plasma/limiter interaction, resulting in a higher plasma density and lower temperature throughout the discharge. The ion temperature determinations (HeI and HeII in helium plasma, and OII, CIII and CIV in hydrogen plasma) have been done by Doppler broadening line measurements. In glow discharges, from the HeI spectra, the ion temperature reached a few eV, and in tokamak discharges its mean temperature calculated (up to 6.2 ms) was 28,9 eV. The HeII measurements, realized with a worse base pressure (~ 10 -6 Torr), lead to lower temperatures, bellow 20 eV up to 5.3 ms. The temperature calculated from impurities were: OII ~ 20-30 eV; CIII - up to 50 eV; and from CIV, at least 60-80 eV. The La(1216 Å) profile has been also measured, but the hydrogen temperature was not calculated, due to the VUV spectrometer instrumental broadening. Nevertheless, the Balmer and Lyman series emissions have been compared, as a first test for particle confinement time calculations. By the measurements of impurity lines (CII 904 Å), the lower wavelength detectable by our VUV spectrometer is found to be about 900 Å. Also, the temporal profile of carbon lines, with different degrees of ionization, have been compared in glow discharges. This thesis work is the first realized in NOVA-UNICAMP tokamak, former NOVA II tokamak from Kyoto University - Japan, after its installation during the visit of Prof. Dr. Masayuki Fukao in our Plasma Laboratory / Mestrado / Física / Mestre em Física

O presente trabalho descreve a preparação dos diversos padrões que permitem efetuar a análise quantitativa de muitos materiais geológicos discutindo-se suas aplicações. Foram preparados 6 tipos de misturas de base matriz para obtenção de 13 a 16 diluições para 47 elementos, variando as concentrações para cada elemento de 10% ou até 0,0001% e 0,0000464%. É descrito detalhadamente o método de preparação incluindo origem de materiais, que fornecem os padrões. A análise quantitativa dos elementos traços, presentes como impureza na base matriz foi determinada como o "método de adição", obtendo-se 0,0002% de titânio e 0,00002% de vanádio. Discute-se o critério de escolha do método. É descrita detalhadamente a "curva de trabalho" usada e os métodos de análise que podem ser empregados, além da comparação e discussão da vantagem dos métodos semi-quantitativos e quantitativos para a análise de materiais geológicos. É previsto o uso do "método de adição" para análise de poucos elementos e o método quantitativo sem padrão interno para análise de número maior de elementos. / Not available

Orientador: Celio Pasquini / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-12T03:06:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_HenriqueEduardoBezerrada_D.pdf: 4516088 bytes, checksum: b0d96759802609f071fcbdc46d237a13 (MD5) Previous issue date: 1999 / Doutorado

Orientador: Maria Jose Santos Pompeu Brasil / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-01T16:55:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 RasnikFavotto_Ivan_D.pdf: 2571309 bytes, checksum: d298b5877faca4bc4b37875f26f4d8a3 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: O objetivo deste trabalho, é a determinação de efeitos de interface nas propriedades ópticas de heteroestruturas semicondutoras. Sendo esta um área que tem tido intenso desenvolvimento nos últimos 20 anos, cabe perguntar que novas contribuições podem ser feitas. Uma particularidade deste campo de trabalho, está em que modelos simples conseguem explicar as tendências gerais observadas na prática, de modo que novos resultados experimentais vêm sempre acompanhados de interpretações qualitativas. Quando se pretende ir além destas generalizações semi-quantitativas observa-se que a dinâmica dos processos de emissão óptica em heteroestruturas semicondutoras dominada por rugosidade de interfaces é sumamente complexa. Deparamo-nos assim com a necessidade de estabelecer um modelo geral que descreva de forma precisa os fenômenos observados. Neste trabalho, estabelecemos as bases para um modelo quantitativo de interpretação de espectros de emissão óptica de heteroestruturas semicondutoras. Mediante a análise detalhada de experiências de magnetoluminescência e fotoluminescência resolvida no tempo sobre um conjunto de amostras com diferentes níveis de rugosidade de interface, determinamos os ingredientes físicos básicos na descrição dos processos dinâmicos excitônicos associados à emissão óptica. O alto grau de especialização da maioria das áreas de pesquisa atualmente, faz com que seja difícil fazer acessível um texto deste tipo a quem não pertence a essa área. Optamos então por dar uma introdução bastante geral, com idéias físicas simples com o objetivo principal de familiarizar o leitor com os termos utilizados, e discutir em detalhe e com rigor os resultados obtidos só nos Capítulos específicos / Abstract: In this work we study the effects of interface roughness in the optical properties of semiconductor heterostructures. Although simple models can explain general trends observed in practice, quantitative information about the dynamic of the optical emission processes can only be obtained with more general and complex models. We develop a quantitative model in order to interpret optical emission spectra of semiconductor heterostructures. Comparing results of magnetoluminescence and time resolved photoluminescence on a set of samples with different degree of interface roughness we determine the basic physical ingredients necessary to describe dynamic processes of excitons in optical emission / Doutorado / Física / Doutor em Ciências