L'objectif de ce travail est de mieux maîtriser le processus de texturation par faisceau laser sur trois matériaux : 304L, TA6V et AA6056. Dans ce but, nous avons mis en œuvre deux types de modélisation, expérimentale et numérique, que nous voulons complémentaires. A l'aide de la méthode des plans d'expériences on a observé que le processus de texturation par faisceau laser pour les alliages 304L et TA6V est fortement influencé par l'énergie et la fréquence des impulsions. Afin d'obtenir une rugosité Sa < 5 µm avec la plus grande productivité possible, il faut travailler avec une énergie de 5 mJ et une fréquence comprise entre 10 et 12 kHz. Malheureusement, pour l'alliage d'aluminium AA6056 il faut choisir soit une bonne qualité de surface soit une productivité élevée. Les simulations numériques des phénomènes couplés (thermique-hydrodynamique-mécanique) complètent les informations expérimentales et ont montré l'existence d'une forte pression de recul qui repousse le liquide vers les bords du cratère (vitesse de mouvement de qq m.s-1) même après la fin d'impulsion (effet d'inertie). Le fait que le déplacement du liquide est plus important pour AA6056 que pour 304L et TA6V, conduit à une formation de bourrelets plus importante autour de l'impact. Ils ont une influence négative sur la rugosité de la surface. Dans ce cas, afin de minimiser la rugosité, il faut assurer le meilleur compromis qui permet de favoriser la vaporisation, de diminuer l'épaisseur de la couche de liquide, ainsi que d'optimiser le taux de recouvrement des impacts. En conclusion, le faisceau laser peut être utilisé avec succès pour la texturation de surfaces métalliques.

CETTE THESE PROPOSE UNE MISE EN EVIDENCE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DE L'AUTO-FOCALISATION D'UN FAISCEAU LASER DANS PLUSIEURS ECHANTILLONS DE CRISTAL PHOTOREFRACTIF (BI#1#2TIO#2#0, SR#XBA#1#-#XNB#2O#6 ET BATIO#3). ELLE PROPOSE EN OUTRE D'ETUDIER COMMENT ET DANS QUELLES CONDITIONS L'AUTO-FOCALISATION PEUT CONDUIRE A LA PROPAGATION DE FAISCEAU NON-DIVERGENTS, C'EST-A-DIRE DE SOLITONS SPATIAUX. NOUS AVONS PU, GRACE A DES HYPOTHESES ADAPTEES A LA PROPAGATION DE SOLITONS SPATIAUX, DERIVER DU MODELE DE TRANSPORT PAR BANDE DE KUKHTAREV UNE EQUATION DE PROPAGATION DEPENDANT EXPLICITEMENT DU TEMPS. ELLE PERMET DE DECRIRE LA PROPAGATION DE TOUT PROFIL DE FAISCEAU RESPECTANT LES HYPOTHESES. NOUS AVONS ANALYSE CETTE EQUATION EN MONTRANT QU'ELLE PERMETTAIT LA PROPAGATION DE SOLITONS SPATIAUX, DONT NOUS AVONS ETUDIE LE COMPORTEMENT. NOUS AVONS EGALEMENT PU METTRE EN EVIDENCE DIVERS PHENOMENE QUE CETTE EQUATION DECRIT, TELS QUE LE BRANCHEMENT OPTIQUE. GRACE A LA CONCEPTION D'UN BANC EXPERIMENTAL ORIGINAL, NOUS AVONS OBSERVE LE PHENOMENE D'AUTO-FOCALISATION DANS LES TROIS CRISTAUX MENTIONNE CI-DESSUS, AINSI QUE DES PHENOMENE DE BRANCHEMENT OPTIQUE DANS BATIO#3. L'ANLYSE THEORIQUE CONDUITE CI-DESSUS NOUS PERMET D'AFFIRMER QUE NOUS AVONS OBSERVE LA PROPAGATION DE SOLITONS SPATIAUX PHOTOREFRACTIFS : L'EXPERIENCE A PERMIS DE VALIDER NOTRE MODELE THEORIQUE

Les composants reprogrammables de type FPGA à base de mémoire SRAM sont des candidats appréciés pour les applications aéronautiques et spatiales. Cependant les particules énergétiques présentes dans l'environnement naturel peuvent engendrer une mutation de l'application implémentée en créant des erreurs dans la mémoire de configuration. Les travaux réalisés au cours de cette thèse ont eu pour but principal l'étude d'une stratégie de prédiction du taux d'erreurs pour un système implémenté dans ce type de composant. La pertinence d'une telle approche a été évaluée par confrontation des prédictions des taux d'erreurs, issus de sessions d'injections matérielles/logicielles de fautes, avec les mesures obtenues lors de campagnes de test en accélérateur de particules. Le second objectif fut le développement d'une expérience embarquée, dans un satellite scientifique de la NASA, afin d'obtenir des informations sur le comportement du FPGA étudié et son application en environnement réel.

Les composants électroniques embarqués dans des applications spatiales sont exposés à différents types de particules qui composent l’environnement radiatif spatial. L’interaction de ces particules avec les matériaux constituant les circuits intégrés est à l’origine d’effets singuliers ou d’effets de dose qui peuvent altérer la fiabilité des systèmes en induisant différents types de défaillances à l’échelle des fonctions électroniques élémentaires, et mettre en péril les missions satellitaires. En vue de prédire les taux d’évènement au cours d’une mission ou la durée de vie des composants en environnement radiatif, préalablement à leur intégration dans une application spatiale, il est nécessaire de comprendre les mécanismes physiques induits et de caractériser le fonctionnement des composants sous irradiation.Dans ce contexte, nous présentons l'élaboration et la mise en oeuvre de méthodes de caractérisation de la sensibilité des mémoires dynamiques SDRAM DDR3 aux effets des radiations en vue de leur future intégration dans des modules mémoires pour application spatiale. Le développement d’un banc de test fonctionnel et paramétrique compatible avec différents moyens d’irradiations est présenté. Les résultats d’essais obtenus sous rayonnement gamma, sont analysés et complétés par une estimation de la sensibilité des composants obtenue sous rayons X. Une campagne de caractérisation sous ions lourds, associée à l’utilisation d’un outil laser, permet de présenter une analyse comparative de la sensibilité des composants aux évènements singuliers. La complémentarité de ces techniques ainsi que les avantages et inconvénients des outils laser et rayons X sont discutés. / Electronic components, embedded in space applications, are exposed to different types of particles that make up the space radiation environment. The individual or cumulative interaction of these particles with the integrated circuits materials is the source of single-event effects or dose effects that can alter the reliability of the systems by inducing different types of failures at basic electronic functions level and threaten the mission success. In order to predict the event rate during a mission or the components lifetime in a radiative environment, prior to their integration into a space application, it is necessary to model these failures and to characterize the functioning of the components under irradiation.In this context, the objectives of this thesis are the development and implementation of models and methods for characterizing the sensitivity of DDR3 SDRAM memories to the radiation effects for their future integration into memory modules for space applications. The development of a functional and parametric test bench compatible with various irradiation facilities is presented. Results obtained under gamma radiation, are analyzed, and supplemented by sensitivity estimation using X-rays. A characterization campaign under heavy ions, combined with laser testing, allows us to present comparative analysis of the components SEE sensitivity. The complementarity of these

Ce travail présente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l’étude de la sensibilité au phénomène SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l’étude est décrit par un état de l’art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une étude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de dégager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d’analyser les dégâts causés par le faisceau TPA. L’utilisation du montage expérimental sur la plateforme ATLAS dédié spécifiquement au test de matériaux à grand gap a permis de mettre en place une méthodologie de test sur des diodes schottky en SiC. L’efficacité de cette méthodologie est prouvée par l’obtention de résultats expérimentaux très originaux. La susceptibilité au SEB induit par la technique laser TPA a été démontrée. Les mesures SOA ont permis d’évaluer la robustesse des diodes schottky SiC face aux événements singuliers. Une modélisation analytique a été menée afin de comprendre la cause du mécanisme du SEB et la localisation des défauts induits par le faisceau TPA. / This work presents the implementation of the TPA laser beam testing to study the SEB phenomenon in silicon carbide Schottky diodes. The context of the study is described by a state of the art of SEB on Si and SiC MOSFETs and Diodes. Technological and structural study of SiC components has identified the benefits of SiC compared to conventional Si and permits to analyze the damage caused by the TPA beam. Using the experimental setup of the ATLAS platform dedicated specifically to test large gap materials has set up a test methodology on SiC Schottky diodes. The effectiveness of this methodology is demonstrated by obtaining original experimental results. Susceptibility to SEB induced by TPA laser technique has been demonstrated. SOA measurements were used to assess the robustness of SiC Schottky diodes to single event effects.An analytical modeling was conducted to understand the cause of the SEB mechanism and the location of defects induced by the TPA beam.

Calcul, dans le cadre de la théorie des champs gaussiens d'intensité stationnaire, de l'effet de groupement absolu d'ordre quelconque d'un champ gaussien généralisé, ainsi que celui d'une classe plus générale. Etude dans le cadre de la théorie des fonctions aléatoires de plusieurs effets de groupements des champs périodiques. Réalisation du premier laser déclenché a cohérence variable (a nombre de modes axiaux variables). Concept de surintensité. Influence de la cohérence du champ laser sur la section efficace apparente d'ionisation multi photonique. Mesure, en optique statistique appliquée, des moments d'ordre élevé du champ émis par un laser déclenché multi mode. Modèle statistique du champ multi mode.

Ce travail constitue une contribution à l'étude de la synergie entre le vieillissement accéléré et l'évolution de la robustesse aux évènements singuliers pour les technologies MOS avancées. Ce manuscrit expose le travail fait autour de la Caractérisations des mécanismes de dégradation NBTI, HCI, TDDB et Electromigration sur les structures de tests conçues dans le véhicule de test NANOSPACE en technologie CMOS LP 65 nm. Il décrit aussi l'évaluation de la robustesse face aux évènements singuliers après un vieillissement de type NBTI sur les chaines de portes logiques (inverseurs, NOR, bascules D). Cette dernière partie nous a permis de démontrer que le vieillissement de type NBTI améliore la robustesse face aux SET dans ce cas d'étude.

Ce travail présente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l'étude de la sensibilité au phénomène SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l'étude est décrit par un état de l'art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une étude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de dégager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d'analyser les dégâts causés par le faisceau TPA. L'utilisation du montage expérimental sur la plateforme ATLAS dédié spécifiquement au test de matériaux à grand gap a permis de mettre en place une méthodologie de test sur des diodes schottky en SiC. L'efficacité de cette méthodologie est prouvée par l'obtention de résultats expérimentaux très originaux. La susceptibilité au SEB induit par la technique laser TPA a été démontrée. Les mesures SOA ont permis d'évaluer la robustesse des diodes schottky SiC face aux événements singuliers. Une modélisation analytique a été menée afin de comprendre la cause du mécanisme du SEB et la localisation des défauts induits par le faisceau TPA.

La turbulence atmosphérique générée par une différence de température entre le sol et l'atmosphère, provoque des effets sur les ondes optiques et présente un grand intérêt scientifique depuis de nombreuses années. Les distorsions du front d'onde optique induites par le résultat de la turbulence atmosphérique génèrent un étalement du faisceau au-delà de celles dues à la diffraction pure, à des variations aléatoires de la position du centre de gravité du faisceau, et à une répartition aléatoire de l'énergie du faisceau qui conduit à des fluctuations de l’irradiance.Ces effets ont des conséquences sur les communications optiques en espace libre (OFS), la désignation de cible, le LiDAR hyper spectral, et d'autres applications qui nécessitent la transmission d'ondes optiques dans l'atmosphère sur une grande portée.Tout au long de cette thèse, nous introduisons le concept général de la turbulence, en se concentrant sur la turbulence atmosphérique. Diverses expériences ont été réalisées, par exemple, la propagation de deux faisceaux parallèles dans les conditions de l'optique géométrique pour l'étude des paramètres de turbulence optiques. La même configuration optique a été utilisé pour étudier la meilleure fréquence d'échantillonnage pour la turbulence optique. En outre, nous avons indirectement mesuré l'évapotranspiration de couverts végétaux, pour laquelle nous tenons compte des fluctuations de l'indice de réfraction de la turbulence à travers les variations d’intensités du faisceau laser. Enfin, certaines expériences qui considèrent de nouvelles formes spatiale ou spectrale du faisceau ont également été développées, telles que le saut de mode et un super continuum spectral respectivement, montrant une réduction expérimentale des fluctuations de l'irradiance induite par la turbulence. Ces faisceaux ont une meilleure performance comme émetteur d'informations pour la communication optique en espace libre. / Atmospheric turbulence, generated by a differential temperature between the Earth's surface and the atmosphere, causes effects on optical waves that have been of great interest to scientists for many years. Wave front distortions in the optical wave induced by atmospheric turbulence result in a spreading of the beam beyond that due to pure diffraction, random variations of the position of the beam centroid, and a random redistribution of the beam energy within a cross section of the beam leading to irradiance fluctuations. Those effects have far-reaching consequences on astronomical imaging, free space optics (FSO) communications, remote sensing, laser satellite communication, astronomical imaging, adaptive optics, target designation, hyperspectral LiDAR, and other applications that require the transmission of optical waves through the atmosphere. Throughout this thesis, we introduce a globally concept of turbulence, focusing in atmospheric turbulence.Diverse experiments have been carried out, for instance, the propagation of two parallel thin beams under geometrical optics condition for studying the parameters of optical turbulence, and besides, the same optical configuration was used to investigate the best sampling rate for optical turbulence. Furthermore, we have measured evapotranspiration by remote sensing, in which we have heeded the fluctuations of the refractive index through the intensities of the turbulence. Finally, experiments which involve a new beam are also developed, such as phase-flipped Gaussian beam. This beam shows an experimental reduction on its irradiance fluctuations induced by the turbulence, which means that it has a high performance in optical communications. The experimental reduction aforementioned is proved through the comparison with the theory developed.

Cette thèse s’inscrit dans le domaine de la localisation de défauts de type «soft» dans les Circuits Intégrés (CI) analogiques et mixtes à l’aide des techniques dynamiques de stimulation laser en faible perturbation. Les résultats obtenus à l’aide de ces techniques sont très complexes à analyser dans le cas des CI analogiques et mixtes. Ce travail porte ainsi particulièrement sur le développement d’une méthodologie facilitant l’analyse des cartographies laser. Cette méthodologie est basée sur la comparaison de résultats de simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI avec des résultats expérimentaux (cartographies laser). L’influence des phénomènes thermique et photoélectrique sur les CI (niveau transistor) a été modélisée et simulée. La méthodologie a été validée tout d’abord sur des structures de tests simples avant d’être utilisée sur des CI complexes que l’on trouve dans le commerce. / This thesis deals with Soft failure localization in the analog and mixed mode Integrated Circuits (ICs) by means of Dynamic Laser Stimulation techniques (DLS). The results obtained using these techniques are very complex to analyze in the case of analog and mixed ICs. In this work we develop a methodology which facilitates the analysis of the laser mapping. This methodology consists on combining the experimental results (laser mapping) with the electrical simulations of laser stimulation impact on the device. The influence of photoelectric and thermal phenomena on the IC (transistor level) has been modeled and simulated. The methodology has been validated primarily on test structures before being used on complex Freescale ICs existing in commerce.