Formation temperature is an important parameter in geothermal drilling since it affects all the components of the system such as drilling fluid, drilling operations and equipment through mud temperatures. The main objective of this study is to estimate the formation temperatures of five geothermal wells in Germencik-&Ouml / merbeyli geothermal field by using inlet and outlet mud temperatures obtained during drilling. For this purpose, GTEMP, a wellbore thermal simulation model is used to simulate the process of drilling and to estimate the formation and bit temperatures of five wells. With the formation and bit temperature estimations of GTEMP and inlet and outlet mud temperature data from field / temperatures vs. depth graphs are plotted for five wells for two cases. In Case 1, cooling tower effect on mud temperatures is neglected whereas in Case 2 it is taken into account. For the estimation of formation temperature of the final depth, Case 2 showed better results with % 1,5-24,5 deviation compared to the % 3,6-25,2 deviation obtained in Case 1.

Inhibitor containing systems were investigated for hydrate structures I and II. The kinetic inhibitor PVCap was added to the water phase for each hydrate structure. Dissociation temperatures were determined for various formation temperatures and PVCap concentrations. Obtained dissociation temperatures were compared with corresponding values calculated with CSMHYD. Differences between experimental and calculated values were compared for various formation temperatures and inhibitor concentrations. Comparison revealed that these parameters (formation temperature and concentration) had an effect on the dissociation temperature. Dissociation temperatures for hydrates formed at low degrees of subcooling were higher than for hydrates formed at large subcooling. The effect depended on the system pressure; apparently decreasing or vanishing with increasing pressure. Furthermore, the temperature of dissociation increased with the inhibitor dose.

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Schottky-Kontakten auf halbleitenden Zinkoxid- und β-Galliumoxid-Dünnfilmen. Nach einer kurzen Einführung in die verwendeten Materialsysteme und die Theorie von Schottky-Kontakten werden die Eigenschaften von verschiedenartig hergestellten Schottky-Kontakten auf Zinkoxid aufgezeigt. Dazu werden typischerweise Strom-Spannungs- und Kapazitäts-Spannungs-Messungen genutzt. Für die Zinkoxid-basierten Schottky-Kontakte konnte anhand verschiedenartig hergestellter Schottky-Kontakte gezeigt werden, dass deren Barrierenformation maßgeblich von Sauerstoffvakanzen nahe der Metall-Halbleiter-Grenzfläche beeinflusst wird. Zur Realisierung von Galliumoxid-basierten Schottky-Kontakten wurden zunächst die Eigenschaften von undotierten und Silizium-dotierten Galliumoxid-Dünnfilmen untersucht. Diese Dünnfilme sind mittels gepulster Laserabscheidung auf c-plane Saphir hergestellt. Als Prozessparameter sind in dieser Arbeit die Wachstumstemperatur, der Sauerstoffpartialdruck in der Kammer und der Silizumgehalt bspw. in Bezug auf Leitfähigkeit, Oberflächenmorphologie oder Kristallinität zur Realisierung von Schottky-Kontakten optimiert. Auf diesen Dünnfilmen wurden mit verschiedenen Herstellungsverfahren, wie thermischer Verdampfung, (reaktiver) Kathodenzerstäubung oder (reaktiver) Distanz-Kathodenzerstäubung, Metall- bzw. Metalloxid-Schottky-Kontakte aufgebracht. Dabei werden unter anderem die elektrischen Eigenschaften direkt nach der Herstellung und deren Entwicklung im weiteren zeitlichen Verlauf untersucht. Des Weiteren werden die Temperaturstabilität oder aber die Spannungsstabilität der Schottky-Kontakte studiert. Ein Vergleich zu Schottky-Kontakten auf β-Galliumoxid-Volumenmaterial wird anhand mittels reaktiver Distanz-Kathodenzerstäubung hergestellter Platinoxid-Dioden durchgeführt.