L’objectif de cette thèse est d’étudier les apports et les limitations des dispositifs double grille à grilles indépendantes (IDGMOS) dans la conception de circuits analogiques fonctionnant à basses fréquences. Ce dispositif compte parmi les structures à l’étude pour le remplacement des transistors MOS à substrat massif. Ce remplacement deviendra nécessaire dès lors que ceux-ci auront atteint leurs limites physiques suite à la diminution géométrique dictée par les besoins de l’industrie du semiconducteur. Bien que cette technologie soit conçue pour ses potentialités quant à la réalisation de circuits numériques et RF, le fait de pouvoir déconnecter les deux grilles et de les contrôler séparément ouvre également la voie à de nouvelles solutions pour la conception des systèmes analogiques futurs. Ce travail se focalise tout d’abord sur l’étude du comportement de l’IDGMOS et notamment sur les effets du couplage existant entre les deux interfaces du composant. Cette étude s’appuie sur les caractéristiques du transistor ainsi que sur son modèle. Celui-ci est ensuite simplifié afin d’extraire des lois élémentaires régissant le fonctionnement dynamique de l’IDGMOS. Dans un second temps, ce manuscrit précise l’environnement futur du transistor ainsi que les solutions existantes, conçues à base de dispositifs à substrat massif et permettant de palier les détériorations fonctionnelles futures. Une brève étude comparative est présentée ensuite entre une technologie MOS standard avancée et un modèle IDGMOS ajusté sur les prévisions de l’ITRS. Néanmoins, les paramètres ajustés sont à ce point idéaux qu’il est difficile de conclure. Il reste donc préférable de se cantonner aux considérations analogiques données par la suite du chapitre, celles-ci se basant principalement sur les équations du modèle de l’IDGMOS ainsi que sur sa structure. La troisième partie de se chapitre met en œuvre le transistor IDGMOS au sein de circuits représentant les blocs de base de l’électronique analogique. Chacun de ces blocs est étudié afin de mettre en valeur un apport fonctionnel particulier du composant. Cette étude se termine par une comparaison entre les résultats simulés d’un amplificateur complet IDGMOS et ceux d’un autre circuit réalisé quant à lui en utilisant l’accès substrat de transistors MOS standard, tous deux fonctionnant sous une tension d’alimentation de 0; 5V. / The aim of this thesis is to study the contributions and the limitations of Independently Driven Double Gate MOS transistors in regard of the low frequency analog design. This device is one of the candidates for the replacement of the current bulk MOS technology since the gate length of the transistors cannot be efficiently decreased under 30nm. Even if the IDGMOS technology is mainly designed for digital and radio frequency applications, the independent drive of the gates should also improve the design of analog circuits ant it would provide solutions to the future circuits issues. First, this work focuses upon the IDGMOS’s behaviour, going a little deeper into the effects of the coupling that exists between its interfaces. Using the electrical characteristics of the transistor and simplifying its model, this report then reviews the static and dynamic laws of the component in order to extract a simple description of its operation modes. Secondly, a state of the art concerning both the future environment and issues is presented, followed by the solutions which currently exist using the standard MOS technology. A brief comparison between an advanced MOS technology and an IDGMOS model fitted on the ITRS parameters is given. However, these ideal parameters prevent this work from establishing a practical conclusion whereas the aforementioned theoretical studies can be used for providing a better understanding of the IDGMOS contributions. Those are reviewed just before the last part of the report which presents some basic analog circuits and their enhancement using double gate transistors. This chapter first emphasizes each important aspect of the device operating within the circuits and it thus concludes on an interesting comparison between two complete low supply voltage amplifiers, the first one designed using IDGMOS transistors and the other one based on bulk driven MOS devices.

Mémoire (M.Ed.)--Université du Québec à Chicoutimi, 1999. / Document électronique également accessible en format PDF. CaQCU

Les applications émergentes dans la gamme des fréquences Térahertz (THz, 10¹² Hz) stimulent le développement des composants actifs et passifs rapides ainsi que des émetteurs et des détecteurs de radiation travaillant dans ce domaine. Les dispositifs actuels ne répondent pas à tous les besoins de l'industrie à cause de la consommation, la taille et le coût très importants. La solution pour la réalisation des émetteurs et des détecteurs peut venir des transistors à ondes plasma que nous avons étudiés. Ce sont les composant à base de HEMT Ill-V exploitants les nouvelles propriétés de transport électronique. Les mesures de ces dispositifs ont montré les possibilités de l'émission et de la détection de la radiation autour de 1 THz, à température basse et ambiante. Une détection résonante avec une fréquence ajustable est possible. D'un autre côté il est nécessaire de réaliser les composants actifs électroniques (transistors) capables de fonctionner aux fréquences proches du THz. Ceci est nécessaire pour la réalisation des circuits rapides comme les amplificateurs, les mélangeurs et autres. Pour répondre à cette demande, nous avons étudié deux types de transistors double-grilles. Les mesures ont prouvé l'amélioration des performances statiques et dynamiques (saturation de courant de drain et courant de drain maximal, efficacité de commande, transconductance et conductance de sortie, fréquences de fonctionnement). De plus, la consommation aux performances équivalentes est plus faible. Les simulations montrent que les performances peuvent être améliorées d'avantage. / The emergent applications in the Terahertz (THz) frequencies range stimulate the development of active and passive rapid devices as much as of emitters and detectors working in this domain. Actually existent devices do not respond to all industry needs because of too high consumption, size and cost, and other inconvenient. A solution for realisation of emitters and detectors could come from plasma-wave transistor that we studied. These devices are based on 1I1-V HEMT and utilised a particular behaviour of electronic transport. Measurements have shown the possibility of emission and detection of radiation at about 1 THz. From the other hand it is necessary to realize electronic active devices (transistors) able to operate near the THz range. This is necessary for realisation of rapid integrated circuits such as amplifiers, mixers and so on. To do this we have chosen to study two kinds of double-gate transistors. Measurements have shown the increasing of static and dynamic performances (maximum drain current and drain current saturation, efficiency of charge control, transconductance, output conductance, operation frequencies). Besides, the same performances can be obtained at lower consumption. Simulations show that performances could be improved even more.

Thèse doctorat : Informatique : Rennes 1 : 2005. / Bibliogr. p. 207-220.

Reproduction de : Thèse doctorat : Informatique : Reims : 2005. / Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. f. 166-177.

Thèse de doctorat : Informatique : INPL : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Dynamique des fluides : Toulouse, INPT : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 114 réf.

Reproduction de : Thèse de doctorat : génie civil : Clermont Ferrand 2 : 2005. / Thèse avec annexes. Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. p.115-122.

Thèse doctorat : Instrumentation, Système, Signal & Image : Villeurbanne, INSA : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 157-163.

Thèse doctorat : Informatique : Rennes 1 : 2009. / Titre provenant de la page du titre du document électronique. Bibliogr. p. 151-163.