The ever increasing diversity in communication systems has created a demand for constant improvements in receiver components. This thesis describes the design and characterisation of front-end receiver components for various challenging applications, including characterisation of low noise foundry processes, LNA design and multi-band antenna design. It also includes a new theoretical analysis of noise coupling in low noise phased array receivers.In LNA design much depends on the choice of the optimum active devices. A comprehensive survey of the performance of low noise transistors is therefore extremely beneficial. To this end a comparison of the DC, small-signal and noise behaviours of 10 state-of-the-art GaAs and InP based pHEMT and mHEMT low noise processes has been carried out. Their suitability in LNA designs has been determined, with emphasis on the SKA project. This work is part of the first known detailed investigation of this kind. Results indicate the superiority of mature GaAs-based pHEMT processes, and highlight problems associated with the studied mHEMT processes. Two of the more promising processes have then been used to design C-band and UHF-band MMIC LNAs. A new theoretical analysis of coupled noise between antenna elements of a low noise phased array receiver has been carried out. Results of the noise wave analysis, based on fundamental principles of noisy networks, suggest that the coupled noise contribution to system noise temperatures should be smaller than had previously been suggested for systems like the SKA. The principles are applicable to any phased array receiver. Finally, a multi-band antenna has been designed and fabricated for a severe operating environment, covering the three extremely crowded frequency bands, the 2.1 GHz UMTS, the 2.4 GHz ISM and the 5.8 GHz ISM bands. Measurements have demonstrated excellent performance, exceeding that of equivalent commercial antennas aimed at similar applications.

High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bauelemente geschah unter Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer vorhandenen Technologie für Transistoren mit kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren), die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs entwickelt, wobei die Metallisierung der Drainkontakte mittels Electroplating von Gold vorgenommen wurde. Zur elektrischen Charakterisierung der Bauelemente wurden sowohl Gleichstromcharakteristiken, d.h. die Ausgangskennlinienfelder und Verläufe der Steilheit, als auch das Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz gemessen. Dabei zeigten die Transistoren eine auf die Gatebreite bezogene Ausgangsleistungsdichte von mehr als 8 W/mm und eine Effizienz größer als 40%, einhergehend mit vernachlässigbarer Drainstromdispersion der unpassivierten Bauelemente.