Resumo: O processo de nitretação vem sendo cada vez mais desenvolvido por ser uma técnica extremamente útil para melhorar a vida das ferramentas seja em trabalhos a quente ou a frio. O pleno entendimento do comportamento dos aços ao receber o processo de nitretação é de fundamental importância para o desempenho das ferramentas. O aço H13 é um dos mais utilizados na indústria de extrusão de alumínio, sendo o processo de nitretação de grande importância para elevar a vida de ferramenta ou matrizes e minimizar o custo operacional. Assim nesse trabalho se estudou o comportamento deste aço temperado e revenido para dureza de 48 HRC ao ser submetido ao processo de implantação iônica por imersão em plasma IIIP. Estudouse os principais parâmetros do processo utilizado quanto a temperatura, pressão, pulso, voltagem, frequência, misturas de gases e tempo de exposição de maneira a encontrar uma dureza superficial acima de 1000 sem a ocorrência de camada de compostos. Observou-se que o processo de implantação iônica por imersão ao ser realizado em baixas temperaturas, produz uma camada muito fina com dureza elevada, devido a grande energia imposta aos íons pelo IIIP. A dureza elevada na superfície promovem uma redução no coeficiente de atrito, transformando o desgaste adesivo em desgaste abrasivo, objetivado para ferramentas de corte de alta performance. À medida que se eleva a temperatura de exposição, elevam-se a espessura da camada implantada sem que houvesse a ocorrência de camada de compostos por praticar altas tensões na região catódica. / Abstract: The nitriding processo has been increasingly developed as it is an extremely useful technique to improve the life of tools whether in hot or cold work. A full understanding of the behavior of steels following nitriding is of fundamentals importance for the development of tools The steel H13 is one of the most used in the aluminum extrusion industry, the nitriding process being of great importance to increase tool life or die and to minimize operating costs. Thus in this work the behavior of this steel, tempered and quenched to a hardness of 48 HRC, and exposed to ion implantation by plasma immersion (IIIP) was studied. The principal parameters of the process, namely the temperature, pressure, pulse form, width, voltage, frequency, mixture of gases and exposition time necessary to achieve a superficial hardness of greater than 1000 without the occurrence of a compound layer were investigated. It was observed that ion implantation by plasma immersion at low temperature, produces a very thin layer of high hardness, owing to the high energy imposed on the ions by IIIP. The great hardness of the surface produced a reduction in the friction coefficient, transforming the adhesive wear into abrasive wear, which is advantageous for high-performance cutting tools. As the exposition temperature was increased, the thickness of the implanted layer increased without the production of a compound layer because of high voltages in the cathodic region. / Orientador: Rogério Pinto Mota / Coorientador: Mário Ueda / Banca: Herman Jacobus Cornelis Voorwald / Banca: Roberto Yzumi Honda / Banca: Munemasa Machida / Banca: Cecília Amélia de Carvalho Zavaglia / Doutor

Orientador : C.I.Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T09:14:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Damiani_Furio_M.pdf: 3573443 bytes, checksum: 4aaecc119d7be2531b5e73247c5f092e (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Este trabalho documenta a experiência obtida no projeto e construção de um implantador de íons no LME-EPUSP e o subsequente projeto de um implantador de íons para o Laboratório de Eletrônica e Dispositivos da Faculdade de Engenharia da UNICAMP. Foram concluÍdos os projetos e desenhos de execução das partes componentes do implantador do LED tendo sido introduzidas diversas modificações baseadas na experiência anteriormente citada e também nas características propostas para o implantador do LED. Entre estas podemos citar a elaboração de uma fonte de íons de concepção mais simples a utilização de um espectrômetro massa tipo setor magnético, uma câmara de alvo aperfeiçoada. O sistema de vácuo é totalmente automático / Abstract: Not informed / Mestrado

Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T17:43:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hernandes_CristianeSilveira_M.pdf: 6751277 bytes, checksum: 938645132eb5de24cda9ec120e628778 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho estudamos duas técnicas de dopagem em semicondutores: difusão e implantação iônica. Realizamos difusão de Estanho em Arseneto de Gálio utilizando como fonte de difusão um filme "Spin-on-Glass" (SOG) dopado, através de processamento térmico rápido. O filme SOG serve tanto de fonte como de proteção da superfície do GaAs contra a perda de Arsênio. Obtivemos camadas n+ rasas, com alta concentração de superfície (1-3.1018cm-3) e boa mobilidade (em média 1000cm2 / V.s). Estabelecemos um modelo para a difusão de Estanho dependente da sobre-pressão de vapor de Arsênio baseado nos defeitos pontuais gerados na interface SiO2/GaAs. O uso de sobre-pressão de As reduz as reações entre o SiO2 e o GaAs, produzindo assim menos defeitos pontuais (VGa e GaI, entre outros), resultando em menor coeficiente de difusão e maior energia de ativação. A adição de Gálio no filme SOG tem o mesmo efeito, porém em bem menor intensidade. Realizamos também implantação iônica de Magnésio em GaAs. Foram feitas implantações simples e dupla, co-implantando Fósforo. Estudamos o comportamento do Magnésio durante o recozimento pós-implantação. Para dose de 1.1014cm-2 e energia de 200ke V, obtivemos altas ativações. Os melhores resultados foram obtidos para recozimento a 900°C/5, 10 e 20s e a 950°C/5s. Com o aumento da dose (1.1015cm-2/100keV), a ativação cai. Porém, quando realizamos a dupla-implantação utilizando mesma .dose e energia, a ativação triplicou. Isto demonstrou que o Fósforo está realmente ocupando as vacâncias de Arsênio, aumentando, assim, as vacâncias de Gálio ( que serão ocupadas pelo Mg). Estudamos os diversos mecanismos de difusão do Magnésio, incluindo difusão "uphill". Portanto, tanto no caso da difusão de Estanho, quanto na ativação do Magnésio durante o recozimento, observa-se o efeito de defeitos pontuais tipo VGa e GaI. Isto é esperado pelo fato de ambos os dopantes tenderem a substituir posições de Gálio. Este conhecimento permite a otimização dos processos pelo controle da geração destes defeitos pontuais / Abstract: In the dissertation, two doping techniques of semiconductors have been studied: diffusion and ion implantation. Diffusion of Tin into GaAs from a Spin-on-Glass (SOG) layer during rapid thermal processing (RTP) has been performed. The SOG film acts as a diffusion source as well as a protecting cap layer against incongruent As loss. Shallow n+ junctions with high electron surface concentration (1-3.1018cm-3) and good mobility (~ 1000cm2 / V.s ) have been obtained. A diffusion model has been established based on the point defects generated at the SiO2/GaAs interface and its dependency on the presence or not of As over-pressure ambient. An As over-pressure ambient reduces the reactions between SiO2 and GaAs, generating less point defects (VGa e GaI, among others), which results in a lower diffusion coefficient and higher activation energy. The addition of Ga to the SOG film presents the same effect, but much less intense. Ion implantation of Mg into GaAs has been studied. The Mg implantation has been performed in a simple and in a dual process, in this case with the co-implantation of P. The behavior of Mg during annealing after implantation has been analyzed. For doses of 1.1014cm-2 and energy of 200keV, high electrical activation is obtained for annealing at 900°C for 5, 10 and 20s, and at 950°C for 5s. By increasing the doses to 1.1015cm-2 (100keV), a strong reduction in activation is observed. However, by means of dual implantation with P, the activation is .increased by a factor of 3. This indicates that P reduces the As vacancies, increasing the Ga vacancies and consequently the activation of the Mg atoms. The different mechanisms of Mg diffusion have been identified, including the uphill diffusion. In both cases, the diffusion of Sn as the activation and diffusion of Mg after ion implantation, the effects of point defects such as VGa and GaI, is observed. This is expected based on the fact that both impurities tend to occupy Ga sites. This knowledge allows the optimization of the process by controlling the generation of the point defects / Mestrado / Física / Mestre em Física

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:28:35Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2004Bitstream added on 2014-06-13T19:37:18Z : No. of bitstreams: 1 silva_paf_me_guara.pdf: 1736419 bytes, checksum: 0ce132430ce6e4ca850e87e586591a1c (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Universidade Estadual Paulista (UNESP) / Neste trabalho, a técnica de implantação iônica e deposição por imersão em plasmas foi utilizada para a síntese de filmes finos de polímero com características distintas dos preparados pelo método convencional de PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Plasmas de radiofrequência (13,56 MHz) de benzeno e de misturas de acetileno/argônio e metano/argônio foram empregados. Para promover bombardeamento iônico do filme em crescimento, os substratos foram polarizados com pulsos de alta tensão negativa (25 kV). A freqüência e o ciclo de trabalho dos pulsos foram variados simultaneamente entre 0 - 125 Hz e 0 - 1, respectivamente. Investigou-se o efeito destes parâmetros nas propriedades dos filmes. Com as técnicas de nanoindentação e nanoriscos, avaliou-se as propriedades mecânicas (dureza, e parâmetro de resistência plástica) e tribológicas (coeficiente de atrito e resistência ao risco) dos filmes. A composição elemental foi determinada por espectroscopia de fotoelétrons de raios-X e a rugosidade por imagens de microscopia de varredura de força atômica. Resultados revelam a presença de oxigênio atmosférico em todas as amostras e que esta incorporação cresce com a intensidade do bombardeamento iônico. Houve aumento de mais de duas vezes na dureza e de cerca de oito vezes no parâmetro de resistência plástica dos filmes quando os parâmetros de pulso foram aumentados de 0 - 125 Hz (0 - 1 ). Para esta mesma faixa, a rugosidade e o coeficiente de atrito diminuíram enquanto a resistência ao risco aumentou. Pôde-se constatar também que a taxa de deposição e a pressão dos gases afetam as características dos polímeros. Filmes mecanicamente mais resistentes foram obtidos quando plasmas de hidrocarbonetos diluídos em argônio foram empregados. Por outro lado, o aumento na pressão dos gases induziu queda... . / In this work, plasma immersion ion implantation and deposition was employed to prepare thin polymer films with properties different from those synthesized by the conventional PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) technique. Radiofrequency (13.56 MHz) benzene, acetylene/argon and methane/argon glow discharges were employed. To promote ion bombardment of the growing layer, the substrates were biased with high voltage negative pulses (25 kV). Pulse frequency and duty cycle were simultaneously varied between 0 - 125 Hz and 0 - 1, respectively. It was investigated the effect of such parameters on the film properties. Nanoindentation and nanoscratch techniques allowed the evaluation of mechanical (hardness and plastic resistance parameter) and tribological (friction coefficient and scratch resistance) properties of the films. Elemental composition was assessed by X-ray photoelectron spectroscopy while roughness was evaluated from scanning probe microscopy images. Results reveal the presence of atmospheric oxygen in all the samples and that such incorporation grows with the bombardment intensity. Hardness increased more than twice and plastic resistance parameter around eight times as the pulse parameter was enhanced from 0 - 125 Hz (0 - 1). In the same range, roughness and friction coefficient decreased while the scratching resistance increased. It could be also verified the influence of the deposition rate and gas pressure on the film characteristics. Films mechanically more resistant were obtained as hydrocarbon plasmas were diluted in argon. On the other hand, the enhancement of the gas pressure induced fall in the hardness due to the lowering of the ion mean energy. The results showed that ion bombardment during film deposition is beneficial to the mechanical and tribological properties of polymers.

Resumo: Neste trabalho, a técnica de implantação iônica e deposição por imersão em plasmas foi utilizada para a síntese de filmes finos de polímero com características distintas dos preparados pelo método convencional de PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Plasmas de radiofrequência (13,56 MHz) de benzeno e de misturas de acetileno/argônio e metano/argônio foram empregados. Para promover bombardeamento iônico do filme em crescimento, os substratos foram polarizados com pulsos de alta tensão negativa (25 kV). A freqüência e o ciclo de trabalho dos pulsos foram variados simultaneamente entre 0 - 125 Hz e 0 - 1, respectivamente. Investigou-se o efeito destes parâmetros nas propriedades dos filmes. Com as técnicas de nanoindentação e nanoriscos, avaliou-se as propriedades mecânicas (dureza, e parâmetro de resistência plástica) e tribológicas (coeficiente de atrito e resistência ao risco) dos filmes. A composição elemental foi determinada por espectroscopia de fotoelétrons de raios-X e a rugosidade por imagens de microscopia de varredura de força atômica. Resultados revelam a presença de oxigênio atmosférico em todas as amostras e que esta incorporação cresce com a intensidade do bombardeamento iônico. Houve aumento de mais de duas vezes na dureza e de cerca de oito vezes no parâmetro de resistência plástica dos filmes quando os parâmetros de pulso foram aumentados de 0 - 125 Hz (0 - 1 ). Para esta mesma faixa, a rugosidade e o coeficiente de atrito diminuíram enquanto a resistência ao risco aumentou. Pôde-se constatar também que a taxa de deposição e a pressão dos gases afetam as características dos polímeros. Filmes mecanicamente mais resistentes foram obtidos quando plasmas de hidrocarbonetos diluídos em argônio foram empregados. Por outro lado, o aumento na pressão dos gases induziu queda... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo). / Abstract: In this work, plasma immersion ion implantation and deposition was employed to prepare thin polymer films with properties different from those synthesized by the conventional PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) technique. Radiofrequency (13.56 MHz) benzene, acetylene/argon and methane/argon glow discharges were employed. To promote ion bombardment of the growing layer, the substrates were biased with high voltage negative pulses (25 kV). Pulse frequency and duty cycle were simultaneously varied between 0 - 125 Hz and 0 - 1, respectively. It was investigated the effect of such parameters on the film properties. Nanoindentation and nanoscratch techniques allowed the evaluation of mechanical (hardness and plastic resistance parameter) and tribological (friction coefficient and scratch resistance) properties of the films. Elemental composition was assessed by X-ray photoelectron spectroscopy while roughness was evaluated from scanning probe microscopy images. Results reveal the presence of atmospheric oxygen in all the samples and that such incorporation grows with the bombardment intensity. Hardness increased more than twice and plastic resistance parameter around eight times as the pulse parameter was enhanced from 0 - 125 Hz (0 - 1). In the same range, roughness and friction coefficient decreased while the scratching resistance increased. It could be also verified the influence of the deposition rate and gas pressure on the film characteristics. Films mechanically more resistant were obtained as hydrocarbon plasmas were diluted in argon. On the other hand, the enhancement of the gas pressure induced fall in the hardness due to the lowering of the ion mean energy. The results showed that ion bombardment during film deposition is beneficial to the mechanical and tribological properties of polymers. / Orientadora: Elidiane Cipriano Rangel / Coorientador: Nilson Cristino da Cruz / Mestre

Orientador: Peter Jurgen Tatsch / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-22T02:44:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Diniz_JoseAlexandre_D.pdf: 12386412 bytes, checksum: f0d41951da83f32542ac72976875a80f (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício ou em substratos de silício com posterior oxidação térmica... Observação: O resumo na integra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to thermal oxidation... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Furio Damiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:54:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pisani_CarlosAlberto_M.pdf: 6319139 bytes, checksum: c83f62b2448c6e233f7ee5908e28c84a (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho apresenta os aspectos teóricos e práticos envolvidos na construção de um Medidor de Dose de íons Implantados (Dosímetro). Nos detivemos na apresentação dos dados referentes à versão final do equipamento deixando de apresentar resultados obtidos com protótipos anteriores, que também construímos e que nos forneceram subsídios muito importantes para o aprimoramento dos circuitos de medida de dose. Outro aspecto que gostaríamos de ressaltar é que o trabalho de desenvolvimento do dosímetro não se limitou exclusivamente ao projeto dos circuitos elétricos do equipamento. Participamos ativamente do desenvolvimento do Implantador Iônico para o qual este equipamento se destina e que possui algumas características particulares que tiveram que ser estudadas para que pudéssemos especificar corretamente o equipamento. Participamos também do projeto da Câmara de alvo que é parte integrante dos sistema de medida de dose. Com relação à dissertação de tese, inicialmente é feito um histórico sobre os implantadores iônicos. Uma descrição sobre o Implantador iônico do LED/FED-UNICAMe aPlgumas aplicações da implantação iônica. São apresentadas as especificações e a teoria básica aplicada à medida de dose de íons implantados. Por fim é apresentado o circuito do protótipo desenvolvido e os resultados da caracterização dos circuitos de medida, além de algumas sugestões para a continuação do trabalho / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:32:50Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2009-11-27Bitstream added on 2014-06-13T20:04:23Z : No. of bitstreams: 1 batocki_rgs_dr_guara.pdf: 753160 bytes, checksum: 45bdf421ee548b969fb254971bfe730c (MD5) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Filmes finos polimerizados a plasma apresentam várias aplicações nas indústrias óticas, elétrica, mecânica de alimentos, de biomateriais entre outras, devido suas interessantes propriedades químicas e físicas. No entanto, as aplicações para os filmes finos podem ser limitadas em função de algumas de suas características mecânicas e de superfície. Neste trabalho, filmes finos poliméricos foram depositados por radiofrequência a partir de plasmas de hexametildissilazano mantido a baixa pressão. Posteriormente, foram implantados íons de argônio, hélio e nitrogênio nestes filmes através da implantação iônica por imersão a plasma (IIIP). Após os tratamentos, os filmes finos provenientes da polimerização a plasma do hexametildissilazano apresentaram modificações em suas estruturas moleculares e composição química através das análises infravermelha e XPS. O XPS revelou um aumento nas concentrações de oxigênio e decréscimo de carbono e nitrogênio. Este fato indica aumento no nível e entrelaçamento, ramificação e reticulação das cadeias poliméricas para todos os íons implantados. Verificou-se também que a IIIP promoveu mudanças na molhabilidade com variações nos ângulos de contato de 100° para 10°; alterações nos índices de refração entre 1,65 a 2,10; modificações na dureza e módulo elástico de 0,8 a 3,3 GPa e 6,0 a 52,0 GPa respectivamente, assim como redução na taxa etching de 34,0 para 20,0 Å/min. / Plasma polymerized thin films have many applications in optical, electrical, mechanical, food, biomaterial industries among others, due to their interesting chemical and physical properties. Polymer thin films applications, however, can be limited because of some mechanical and surface characteristics. In this work, thin polymer films were deposited from radiofrequency plasmas of hexamethyldisilazane at low pressure. Then, these films were implanted with argon, helium and nitrogen ion, by plasma immersion ion implantation (PIII). After the treatments, plasma polymerized hexamethyldisilazane thin films presented modifications in their molecular structure and chemical composition by infrared and XPS analysis. XPS revealed an increase in the oxygen, decrease in nitrogen and carbon concentrations. This fact indicates increased crosslinking of the polymeric chains of all implanted ions. It was also verified that a PIII caused modification in wettability, changing the contacts angles from 100° to 10°. Modifications were also observed in the refractive index from 1,65 to 2,10; in hardness and in the elastic modulus from 0,8 a 3,3 GPa and 6,0 to 52,0 GPa respectively. The study showed a decrease in etching rate from 34,0 to 20,0 Å/min.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:34:59Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2005Bitstream added on 2014-06-13T20:06:01Z : No. of bitstreams: 1 leandro_cas_dr_guara.pdf: 1518088 bytes, checksum: fc451e8c43716da613ce19792c0f1db4 (MD5) / Universidade Estadual Paulista (UNESP) / O processo de nitretação vem sendo cada vez mais desenvolvido por ser uma técnica extremamente útil para melhorar a vida das ferramentas seja em trabalhos a quente ou a frio. O pleno entendimento do comportamento dos aços ao receber o processo de nitretação é de fundamental importância para o desempenho das ferramentas. O aço H13 é um dos mais utilizados na indústria de extrusão de alumínio, sendo o processo de nitretação de grande importância para elevar a vida de ferramenta ou matrizes e minimizar o custo operacional. Assim nesse trabalho se estudou o comportamento deste aço temperado e revenido para dureza de 48 HRC ao ser submetido ao processo de implantação iônica por imersão em plasma IIIP. Estudouse os principais parâmetros do processo utilizado quanto a temperatura, pressão, pulso, voltagem, frequência, misturas de gases e tempo de exposição de maneira a encontrar uma dureza superficial acima de 1000 sem a ocorrência de camada de compostos. Observou-se que o processo de implantação iônica por imersão ao ser realizado em baixas temperaturas, produz uma camada muito fina com dureza elevada, devido a grande energia imposta aos íons pelo IIIP. A dureza elevada na superfície promovem uma redução no coeficiente de atrito, transformando o desgaste adesivo em desgaste abrasivo, objetivado para ferramentas de corte de alta performance. À medida que se eleva a temperatura de exposição, elevam-se a espessura da camada implantada sem que houvesse a ocorrência de camada de compostos por praticar altas tensões na região catódica. / The nitriding processo has been increasingly developed as it is an extremely useful technique to improve the life of tools whether in hot or cold work. A full understanding of the behavior of steels following nitriding is of fundamentals importance for the development of tools The steel H13 is one of the most used in the aluminum extrusion industry, the nitriding process being of great importance to increase tool life or die and to minimize operating costs. Thus in this work the behavior of this steel, tempered and quenched to a hardness of 48 HRC, and exposed to ion implantation by plasma immersion (IIIP) was studied. The principal parameters of the process, namely the temperature, pressure, pulse form, width, voltage, frequency, mixture of gases and exposition time necessary to achieve a superficial hardness of greater than 1000 without the occurrence of a compound layer were investigated. It was observed that ion implantation by plasma immersion at low temperature, produces a very thin layer of high hardness, owing to the high energy imposed on the ions by IIIP. The great hardness of the surface produced a reduction in the friction coefficient, transforming the adhesive wear into abrasive wear, which is advantageous for high-performance cutting tools. As the exposition temperature was increased, the thickness of the implanted layer increased without the production of a compound layer because of high voltages in the cathodic region.

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-26T03:43:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rangel_ElidianeCipriano_D.pdf: 787803 bytes, checksum: 0b3afb1a1012d775c5984bbf14f79319 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste trabalho, investigou-se a influência da implantação iônica sobre as propriedades de filmes finos de polímero depositados a partir de plasmas de radiofrequência (40 MHz, 70 W) de dois compostos orgânicos (acetileno e benzeno) e de suas misturas com gases nobres. As irradiações foram realizadas em um implantador iônico, com íons He+ , N+ e Ar+ , à fluências entre 1018 e 1021 íons/m2 e energias de 50 a 150 keV. As propriedades estruturais e ópticas dos filmes foram analisadas por espectroscopias no infravermelho e no ultravioleta-visível, respectivamente. Através de Ressonância Paramagnética de Elétrons, foi verificado que o bombardeamento iônico produz radicais livres na estrutura polimérica. A concentração destas espécies no filme foi investigada em função da energia e da fluência do feixe iônico. Variações nas concentrações dos elementos químicos presentes nas amostras com o bombardeamento iônico foram investigadas por Espectroscopia de Retro-espalhamento Rutherford. A espessura dos filmes foi medida com um perfilômetro, e associada aos dados obtidos por RBS, permitiu a determinação da densidade dos polímeros. Medidas de dureza dos filmes foram realizadas com a técnica de nanoindentação. Usando o método de duas pontas foi determinada a resistividade elétrica dos filmes e, através da exposição a plasmas de oxigênio, foi avaliada a resistência à oxidação. A interpretação dos resultados foi baseada nos perfis de perda de energia dos íons obtidos com o programa TRIM (TRansport of Ions in Matter) / Abstract: This work reports the influence of the ion implantation on the properties of thin plasma polymer films deposited from radiofrequency (40 MHz, 70 W) plasmas of two organic compounds (acetylene and benzene) and from their mixtures with noble gases. The irradiations were performed with an ion implanter, using He+, N+ and Ar+ ions, in the fluence and energy range of 1018 to 1021 ions/m2 and 50 to 150 keV, respectively. Infrared and ultraviolet-visible spectroscopies were employed to characterize the structural and optical properties of the films, respectively. Using Electron Paramagnetic Resonance spectroscopy, the formation of free radicals in the film structure was investigated as a function of the ion beam energy and fluence. Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) was employed to determine the elemental composition of the samples and its change induced by the irradiation. Thicknesses of the films were measured with a profilemeter. Combination of the RBS and film thickness data allowed the determination of the density of the films. Hardness measurements were performed using the nanoindentation technique and the electrical resistivity of the films was determined by the two-point probe. The resistance to oxidation was determined from the etching rate of the polymers in an oxygen plasma. Interpretation of various experimental results were based on the implanted ion and energy loss simulation profiles, obtained with the TRansport of Ions in Matter ¿ TRIM code / Doutorado / Física / Doutor em Ciências