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Herstellung und Charakterisierung duenner Schichten aus BornitridHahn, Jens 30 October 1997 (has links) (PDF)
Mit den ionengestuetzten Schichtabscheideverfahren HF-Magnetronzerstaeubung mit
h-BN-Target und Bortarget und mit der DC-Magnetronzerstaeubung mit Bortarget wurden in
Argon/Stickstoffatmosphaere Bornitrid-Schichten abgeschieden. Die DC-
Magnetronzerstaeubung mit einem Bortarget stellt dabei eine relevante Eigenentwicklung dar.
Es wird gezeigt, daß die verwendeten Magnetronzerstaeubungsverfahren unter definierten
Bedingungen die Abscheidung von c-BN-Schichten mit guter Homogenitaet bezueglich
Schichtdicke und Phasenreinheit auf der standardmaeßig beschichteten Substratflaeche
erlauben. Der fuer die c-BN-Nukleation notwendige Ionenbeschuß kann mit Hilfe
plasmadiagnostischer Methoden quantifiziert werden. Es wurden fuer die drei
Zerstaeubungsverfahren unterschiedliche Parameter Ionenenergie und Ionenstrom fuer eine
c-BN-Nukleation gefunden. Ein relativ niedriger Ionenstrom kann durch eine hohe
Ionenenergie kompensiert werden und umgekehrt. Die Mikrostruktur und
Wachstumsmechanismen werden in Abhaengigkeit von den Beschichtungsbedingungen
beschrieben und auf einen Wert des physikalisch relevanten Parameters Totalimpulseintrag
pro Boratom zurueckgefuehrt. Ein Schwerpunkt ist die getrennte Untersuchung von
Keimbildung und Wachstum. Nach der c-BN-Nukleation können Ionenenergie und
Ionenmasse deutlich reduziert werden bei Aufrechterhaltung des c-BN-Wachstums. Die
mögliche Reduzierung des Ionenbeschusses waehrend des Wachstums wird hinsichtlich des
Totalimpulseintrages in die Schicht quantifiziert und die Auswirkungen auf das
Schichtwachstum beschrieben. Die haftfesten, homogenen und phasenreinen h-BN und c-BN-
Schichten wurden einer umfassenden Charakterisierung unterzogen. Es werden optische und
mechanische Eigenschaften vorgestellt.
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Herstellung und Charakterisierung duenner Schichten aus BornitridHahn, Jens 22 October 1997 (has links)
Mit den ionengestuetzten Schichtabscheideverfahren HF-Magnetronzerstaeubung mit
h-BN-Target und Bortarget und mit der DC-Magnetronzerstaeubung mit Bortarget wurden in
Argon/Stickstoffatmosphaere Bornitrid-Schichten abgeschieden. Die DC-
Magnetronzerstaeubung mit einem Bortarget stellt dabei eine relevante Eigenentwicklung dar.
Es wird gezeigt, daß die verwendeten Magnetronzerstaeubungsverfahren unter definierten
Bedingungen die Abscheidung von c-BN-Schichten mit guter Homogenitaet bezueglich
Schichtdicke und Phasenreinheit auf der standardmaeßig beschichteten Substratflaeche
erlauben. Der fuer die c-BN-Nukleation notwendige Ionenbeschuß kann mit Hilfe
plasmadiagnostischer Methoden quantifiziert werden. Es wurden fuer die drei
Zerstaeubungsverfahren unterschiedliche Parameter Ionenenergie und Ionenstrom fuer eine
c-BN-Nukleation gefunden. Ein relativ niedriger Ionenstrom kann durch eine hohe
Ionenenergie kompensiert werden und umgekehrt. Die Mikrostruktur und
Wachstumsmechanismen werden in Abhaengigkeit von den Beschichtungsbedingungen
beschrieben und auf einen Wert des physikalisch relevanten Parameters Totalimpulseintrag
pro Boratom zurueckgefuehrt. Ein Schwerpunkt ist die getrennte Untersuchung von
Keimbildung und Wachstum. Nach der c-BN-Nukleation können Ionenenergie und
Ionenmasse deutlich reduziert werden bei Aufrechterhaltung des c-BN-Wachstums. Die
mögliche Reduzierung des Ionenbeschusses waehrend des Wachstums wird hinsichtlich des
Totalimpulseintrages in die Schicht quantifiziert und die Auswirkungen auf das
Schichtwachstum beschrieben. Die haftfesten, homogenen und phasenreinen h-BN und c-BN-
Schichten wurden einer umfassenden Charakterisierung unterzogen. Es werden optische und
mechanische Eigenschaften vorgestellt.
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