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1	Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich Wächtler, Thomas 28 December 2005 (has links) (PDF) High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bauelemente geschah unter Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer vorhandenen Technologie für Transistoren mit kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren), die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs entwickelt, wobei die Metallisierung der Drainkontakte mittels Electroplating von Gold vorgenommen wurde. Zur elektrischen Charakterisierung der Bauelemente wurden sowohl Gleichstromcharakteristiken, d.h. die Ausgangskennlinienfelder und Verläufe der Steilheit, als auch das Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz gemessen. Dabei zeigten die Transistoren eine auf die Gatebreite bezogene Ausgangsleistungsdichte von mehr als 8 W/mm und eine Effizienz größer als 40%, einhergehend mit vernachlässigbarer Drainstromdispersion der unpassivierten Bauelemente. GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor LasiCAD MBE Maskenentwurf ddc:620 Drei-Fünf-Halbleiter Elektronisches Bauelement Galliumnitrid Großsignalverhalten HEMT Heterostruktur Heterostruktur-Bauelement Hochfrequenztechnik Kleinsignalverhalten Metall-Halbleiter-Kontakt Mikroelektronik Molekularstrahlepitaxie Wide-gap-Halbleiter
2	Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich Wächtler, Thomas 28 December 2005 (has links) High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs Lithographieebenen. Die Herstellung der Bauelemente geschah unter Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer vorhandenen Technologie für Transistoren mit kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren), die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs entwickelt, wobei die Metallisierung der Drainkontakte mittels Electroplating von Gold vorgenommen wurde. Zur elektrischen Charakterisierung der Bauelemente wurden sowohl Gleichstromcharakteristiken, d.h. die Ausgangskennlinienfelder und Verläufe der Steilheit, als auch das Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz gemessen. Dabei zeigten die Transistoren eine auf die Gatebreite bezogene Ausgangsleistungsdichte von mehr als 8 W/mm und eine Effizienz größer als 40%, einhergehend mit vernachlässigbarer Drainstromdispersion der unpassivierten Bauelemente. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620 Drei-Fünf-Halbleiter Elektronisches Bauelement Galliumnitrid Großsignalverhalten HEMT Heterostruktur Heterostruktur-Bauelement Hochfrequenztechnik Kleinsignalverhalten Metall-Halbleiter-Kontakt Mikroelektronik Molekularstrahlepitaxie Wide-gap-Halbleiter GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor LasiCAD MBE Maskenentwurf

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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

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