L'objet de ce rapport est l'étude de la croissance épitaxiale de systèmes métalliques sur Si(001). Nous présentons dans un premier temps une étude de la croissance du cuivre à température ambiante en s'appuyant sur un grand nombre de techniques de caractérisation : RHEED, AES, TEM, GIXRD. Pour la première fois nous mettons en évidence l'effet de l'hydrogénation de la surface du silicium et sa nécessité pour la croissance épitaxiale du cuivre. L'hydrogénation en inhibant l'interdiffusion conduit à la formation contrôlée d'une couche épitaxiée quasi continue de siliciure de 2 nm d'épaisseur. La structure cubique centrée identifiée est proche de la phase b-Cu0.83Si0.17 avec un paramètre de maille a = 0,288 nm. Une étude de la morphologie de croissance du cuivre par STM et TEM est présentée. Le cuivre métallique en épitaxie sur ce siliciure présente une forte texturation {001} de pseudo grains colonnaires dont la taille latérale homogène augmente avec l'épaisseur de cuivre déposé.<br />La dernière partie de ce rapport présente deux études de systèmes à anisotropie magnétique perpendiculaire épitaxiés sur Si(001) : Cu/Ni et FePd. Dans le système Cu/Ni, nous montrons à partir d'expériences de AES et d'un modèle de ségrégation la présence d'une zone d'interdiffusion de 1 à 2 nm qui explique en grande partie la diminution du moment magnétique mesuré sur des couches de nickel de faible épaisseur. Finalement, à partir de la formation contrôlée d'un siliciure de cuivre ou de fer, nous rapportons pour la première fois la possibilité d'épitaxier sur Si(001) des couches d'alliage ordonné L10-FePd(001) présentant une forte anisotropie magnétique perpendiculaire.

Thèse doctorat : Mécanique : Lille 1 : 2003. / N° d'ordre (Lille 1) : 3379. Résumé en français et en anglais. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.

Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 1997. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 222-231.

Reproduction de : Thèse d'Etat : Sciences physiques : Toulouse, INPT : 1980. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 83 réf.

Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2003. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre. Publications de l'auteur, 1 p.

Thèse doctorat : Nucléaire et Thermique : Villeurbanne, INSA : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique et nanophysique : Toulouse 3 : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin des chapitres.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique et nanophysique. Chimie théorique, physique et recherche de la structure des matériaux : Toulouse 3 : 2007. Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique et nanophysique. Chimie théorique, physique et recherche de la structure des matériaux : Université Eötvös Loránd de Budapest, Hongrie : 2007. / Thèse soutenue en co-tutelle à l'Université Paul Sabatier-Toulouse III et à l'Université Eötvös Loránd de Budapest, Hongrie. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin des chapitres.

Thèse doctorat : Mécanique des Fluides : Villeurbanne, INSA : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. [173]-176.

Thèse doctorat : Physique : Strasbourg 1 : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 7 p.