Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2008

Zugl.: Dortmund, Techn. Univ., Diss., 2008

Zugl.: Zürich, Techn. Hochsch., Diss., 2008

Zugl.: München, Univ., Diss., 2008

Regensburg, Univ., Diss., 2009.

Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 2009

Marburg, Univ., Diss., 2004.

Techn. Universiẗat, Diss., 2002--Berlin.

University, Diss., 2003--Heidelberg.

In dieser Arbeit wurden Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistoren im Experiment untersucht und wesentliche Ergebnisse durch Modellierung nachgebildet. Der Einzel-Quantenpunkt-Speichertransistor ist ein Bauelement, welches durch eine neuartige Verfahrensweise im Schichtaufbau und bei der Strukturierung realisiert wurde. Hierbei sind vor allem zwei Teilschritte hervorzuheben: Zum einen wurde das Speicherelement aus positionskontrolliert gewachsenen InAs Quantenpunkten gebildet. Zum anderen wurden durch eine spezielle Trockenätztechnik schmale Ätzstrukturen erzeugt, welche sehr präzise an der lateralen Position der Quantenpunkte ausgerichtet war. Durch diese Verfahrensweise war es somit möglich, Transistorstrukturen mit einzelnen Quantenpunkten an den charakteristischen Engstellen des Kanals zu realisieren. / In this thesis single-quantum-dot memory-transistors have been studied in experiment and the experimental findings have been reproduced by modeling. The studied single-quantum-dot memory transistor is a device which has been realized by a novel process technique as regards layer composition and structuring. According to this there are two steps to be emphasized: First the memory element is based on site-controlled grown InAs quantum dots. Second, there has been used a unique dry etching technique to define narrow etched structures, which have been precisely aligned laterally with respect to the position of the quantum dots. Due to this method it was possible to realize transistor structures with single quantum dots centered in a quantum wire.