In diesem Beitrag werden das hochschuldidaktische Instrument der „Lehrhospitation“ und seine Relevanz im Professionalisierungsprozess von Hochschullehrenden als subjektwissenschaftlich begründetes vorgestellt. Damit richtet sich der Beitrag an Praktikerinnen und Praktiker in der hochschuldidaktischen Weiterbildung, deren Gegenstand die Professionalisierung des Lehrhandelns von Hochschullehrenden ist sowie an interessierte Hochschullehrende, die ihre Handlungsoptionen in der Lehre professionalisieren möchten. / This publication focuses on „Lehrhospitation“ as an instrument to audit and evaluate teaching in higher education. In doing so, it is figured how the implementation of it has an impact on the professionalisation of teaching staff. This contribution addresses on one hand practitioners who train the teachers in higher education and on the other hand interested teachers in higher education themselves, who are looking for improvement to their teaching - as a way of professionalisation.

Very little is known in the UK about how parental church-based ministry impacts the lives of their children. Clergy children themselves have rarely, if ever, been afforded the opportunity to formally express their views and opinions on this crucial aspect of their lives, to the extent that they have been described as a ‘lost voice’ in the Church. This thesis seeks to fill this gap in our knowledge with a combination of extensive literature reviews, data obtained from a Pilot Study using the social network system Facebook, and semi-structured interviews with six adult clergy children from different denominational backgrounds who are now ministers in their own right, and by so doing help raise their profile in the Christian community. Taken together, the data confirms that the church-based ministry of clergy parents does impact their children’s lives and that if responses are any indication, other clergy children too, are able to make their views and insights known if asked. In other words, their voices need no longer be “lost,” but can be heard. In so doing they offer a fresh perspective on the practice of church-based ministry. Based on these findings the thesis proceeds to outline the theological and practical implications for the practice of ministry with a call to affirm the importance of a person’s story in the task of theological reflection; to recognise the contribution of children’s insights to faith and practice, and the values on which pastoral care should be based as outlined by the participants themselves. It concludes by proposing that further research is required in order to ascertain the full extent on how church-based ministry impacts the lives of clergy children, a topic which in the UK still remains a largely unexplored aspect of Church life and practice.

Diese Arbeit behandelt das Wachstum des ferromagnetischen Metalls MnAs auf halbleitendem GaAs. Die MnAs-Filme werden auf GaAs mittels der Molekularstrahlepitaxie (MBE) abgeschieden. Nukleation, Entwicklung von Gitterverzerrungen, Morphologie und Grenzflächenstruktur werden in-situ während des MBE Wachstums mit Hilfe von Beugung unter streifendem Einfall (GID) und der Beugung hochenergetischer Elektronen (RHEED) untersucht. Mit azimuthalen RHEED Messungen wurden vier Abschnitte des Nukleationsprozesses von MnAs auf GaAs(001) bestimmt. GID Messungen zeigen, dass das weitere Wachstum des MnAs Films bei einer nominellen Bedeckung von 2.5 ML über die Bildung relaxierter Inseln erfolgt, welche an Größe zunehmen und schließlich einen durchgängigen Film bilden. In einem Frühstadium bildet sich ein geordnetes Versetzungsnetzwerk an der Grenzfläche, welches die Verzerrungen aufgrund der Fehlanpassung bereits vor der vollständigen Ausbildung des durchgängigen Films abbauen. Der faszinierend komplexe Nukleationsprozess von MnAs auf GaAs(0 0 1) beinhaltet sowohl Elemente von Volmer-Weber, als auch von Stranski-Krastanov Wachstum. Die nicht einheitliche Gitterfehlanpassung beträgt 0.66% entlang der [1 -1 0] Richtung und 0.54% entlang der [1 1 0] Richtung, wie sich aus den Röntgenbeugungsmessungen ergibt. Entlang der [1 1 0] Richtung wird eine hohe Korrelation der Defekte beobachtet. Ein hochgradig periodisches Versetzungsnetzwerk mit einer Periode von 4.95 +- 0.05 nm entlang der [1 1 0] Richtung wird an der Grenzfläche gebildet und relaxiert 7.5% der Fehlanpassung. Die inhomogenen Verzerrungen aufgrund dieser periodischen Versetzungen an der Grenzfläche sind auf eine Schicht von 1.6nm Dicke beschränkt. Die Fehlanpassung entlang der [1 -1 0] Richtung wird durch die Bildung eines Koinzidenzgitters abgebaut. / The present work is devoted to the growth of the ferromagnetic metal MnAs on the semiconductor GaAs by molecular-beam epitaxy (MBE). The MnAs thin films are deposited on GaAs by molecular-beam epitaxy (MBE). Grazing incidence diffraction (GID) and reflection high-energy electron diffraction (RHEED) are used in situ to investigate the nucleation, evolution of strain, morphology and interfacial structure during the MBE growth. Four stages of the nucleation process during growth of MnAs on GaAs(001) are revealed by RHEED azimuthal scans. GID shows that further growth of MnAs films proceed via the formation of relaxed islands at a nominal thickness of 2.5 ML which increase in size and finally coalesce to form a continuous film. Early on, an ordered array of misfit dislocations forms at the interface releasing the misfit strain even before complete coalescence occurs. The fascinatingly complex nucleation process of MnAs on GaAs(0 0 1) contains elements of both Volmer-Weber and Stranski-Krastanov growth. A nonuniform strain amounting to 0.66%, along the [1 -1 0] direction and 0.54%, along the [1 1 0] direction is demonstrated from x-ray line profile analysis. A high correlation between the defects is found along the GaAs[1 1 0] direction. An extremely periodic array of misfit dislocations with a period of 4.95 +- 0.05 nm is formed at the interface along the [1 1 0] direction which releases the 7.5% of misfit. The inhomogeneous strain due to the periodic dislocations is confined at the interface within a layer of 1.6 nm thickness. The misfit along the [1 -1 0] direction is released by the formation of a coincidence site lattice.