Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T13:35:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferrari_CarlosAlberto_D.pdf: 1756486 bytes, checksum: 733e9d4fab7e574f062c980b1c06b29e (MD5) Previous issue date: 1977 / Resumo: Neste trabalho, estuda-se o mecanismo pelo qual se dá o espalhamento Raman de luz em semicondutores. Inicialmente faz-se este estudo na região de ressonância ( hwL ~ Eg ) em semicondutores com banda de condução não populada ( T ~ 0 ), usando-se a técnica de propagadores. Como estado intermediário para o processo considera-se o polaron. Para a interação elétron-fonon toma-se o hamiltoniano na forma do hamiltoniano de Fröhlich. Obtem-se resultados numéricos que estão em bom acordo com experiências em CdS e GaP. Posteriormente, aplica-se o mesmo formalismo ao caso de semicondutores com a banda de condução densamente populada e com hwL longe da região de ressonância. Devido a interação coulombiana entre as partículas, há a formação de excitações longitudinais ( plasmon ) que poderão hibridizar-se com os fonons LO do semicondutor. A fim de se conseguir resultados mais realísticos, desenvolve-se uma teoria na qual se associa a cada um dos sistemas envolvidos, eletrônico e iônico, uma temperatura efetiva. Isto requer uma adaptação do Teorema da Flutuação-dissipação. A interação entre elétrons e fonons é considerada na forma do hamiltoniano de Fröhlich, e é usada a aproximação de fase aleatória ( R.P.A. ) para o cálculo da secção de choque para espalhamento. Apresentam-se gráficos ilustrando a sensibilidade da teoria à concentração eletrônica, às temperaturas dos sistemas envolvidos, ao tempo de relaxação devido a colisão entre partículas, à largura do fonon LO, todos os quais repercutem na largura de linha e intensidade dos modos híbridos. Finalmente estudam-se estes modos na região de ressonância / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

O presente trabalho é um estudo detalhado do cálculo de perfis de excitação Raman pelo método de transformada. A principal característica do método é o emprego do espectro de absorção para gerar diretamente os perfis Raman. Os programas aqui desenvolvidos para microcomputador foram testados pela comparação com perfis conhecidos da literatura, e usados para o estudo teórico de novas possibilidades de modelagem em sistemas conhecidos e também aplicados para novas espécies. Investigamos, a nível teórico , o uso do método de transformada em casos onde ocorre interferência eletrônica, e em perfis de modos não-totalmente simétricos . As novas espécies estudadas pelo método de transformada foram os íons complexos [Zn(dmit)2 ]2- and [Ni(dmit)2]2- , além da espécie TiI4, onde calculamos simultaneamente o perfil da fundamental e de harmônicas, tanto Stokes como anti-Stokes, do modo totalmente simétrico de estiramento Ti - I. Através do ajuste das intensidades relativas dos vários perfis, foi possível obter a variação da distância de equilíbrio Ti - l no estado eletrônico excitado em relação ao fundamental / The present work is a detailed study on the calculation of Raman excitation profiles by the transform method . The main feature of the transform method is to use the absorption spectra to generate the Raman excitation profiles. The computer programs here developed were tested by comparison with known profiles from the literature, and used to explore new possibilities in modelling the Raman profiles of new chemical species, as well as to improve already investigated profiles . We investigated , by use of the transform method, cases where electronic interference must be taken into account, and Raman excitation profiles of non-totally simetric modes [Zn(dmit)2 ]2- and [Ni(dmit)2]2- were now studied for the first time by the transform method. For TiI4 of the resonance profiles for the v1 fundamental and overtones, both Stokes and anti-Stokes, were calculated with a single set of parameters being possible to evaluate the displacement of the Ti - I equilibrium distance in the resonance electronic state relative to the ground state

BATISTA JÚNIOR, Francisco Florêncio. Propriedades de Transportes em Fios e Poços quânticos. 2009. 73 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Curso de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2009. / Submitted by francisco lima (admir@ufc.br) on 2014-02-12T13:23:49Z No. of bitstreams: 1 2009_dis_ffbatistajunior.pdf: 2130158 bytes, checksum: b1fb8a073525f92e04312329bc0c9f5a (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2014-02-28T21:37:54Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2009_dis_ffbatistajunior.pdf: 2130158 bytes, checksum: b1fb8a073525f92e04312329bc0c9f5a (MD5) / Made available in DSpace on 2014-02-28T21:37:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2009_dis_ffbatistajunior.pdf: 2130158 bytes, checksum: b1fb8a073525f92e04312329bc0c9f5a (MD5) Previous issue date: 2009 / Semiconductor materials are responsible for the large development in electronic industry, what made it possible the creation of new devices. The heterostructures gave a large impulse to the solid-state physics. Semiconductors study is nowadays concentrated in the low-dimensional systems, as quantum wells, quantum wires, quantum dots and quantum rings. In this work, we investigate the transport properties of heterostructured quantum wires of double barrier. We begin with calculation of radial confinement energy in a quantum wire InAs/InP of double barrier. We use a cylindrical model of wire with gradual and abrupt interfaces. Transmission coefficients are calculated. We study its behavior varying barriers width,distance between them and the wire radius. In the future, we will use these results to calculate electric current through the device. We also investigate transport properties of bidimensional systems with self-energy potential. We use heterostructures of Si/SiO2 and Si/HfO2. We solve Poisson’s equation with " depending on z, expanding the potential in a Fourier-Bessel series, finding the image potential of the barriers. We calculate the electric current through this potential in function of the applied voltage, varying temperature and the distance between the barriers. We also consider gradual interfaces for the simple barrier case. / Materiais semicondutores são os principais responsáveis pelo grande crescimento da indústria eletrônica e pelo surgimento de novas tecnologias. A criação de heteroestruturas possibilitou um grande impulso à física do estado sólido. Atualmente, o estudo de semicondutores está concentrado em sistemas de dimensionalidade reduzida, como os poços, fios, pontos e aneis quânticos. Neste trabalho, investigamos as propriedades de transporte em fios quânticos heteroestruturados de barreira dupla e em sistemas bidimensionais de barreira simples e dupla. Iniciamos com o cálculo da energia do confinamento radial no fio quântico InAs/InP de barreira dupla. Usamos um modelo de fio cilíndrico com e sem interfaces graduais. Calculamos as transmissões através das barreiras e estudamos o comportamento das mesmas variando a largura das barreiras, a distância entre elas e o raio do fio. Futuramente utilizaremos estes resultados para o cálculo da corrente elétrica através do dispositivo. Também investigamos as propriedades de transporte em sistemas bidimensionais com potencial de auto-energia. Utilizamos heteroestruturas formadas por Si/SiO2 e Si/HfO2. Sendo as constantes dielétricas dos óxidos diferentes do silício, resolvemos a equação de Poisson com " dependente de z. Expandimos o potencial em uma série de Fourier-Bessel, encontrando, por fim, o potencial imagem para as barreiras. Calculamos a corrente elétrica através deste potencial em função da voltagem, variando a temperatura, a distância entre as barreiras. Também levamos em conta as interfaces graduais para o caso de barreira simples.

O presente trabalho é um estudo detalhado do cálculo de perfis de excitação Raman pelo método de transformada. A principal característica do método é o emprego do espectro de absorção para gerar diretamente os perfis Raman. Os programas aqui desenvolvidos para microcomputador foram testados pela comparação com perfis conhecidos da literatura, e usados para o estudo teórico de novas possibilidades de modelagem em sistemas conhecidos e também aplicados para novas espécies. Investigamos, a nível teórico , o uso do método de transformada em casos onde ocorre interferência eletrônica, e em perfis de modos não-totalmente simétricos . As novas espécies estudadas pelo método de transformada foram os íons complexos [Zn(dmit)2 ]2- and [Ni(dmit)2]2- , além da espécie TiI4, onde calculamos simultaneamente o perfil da fundamental e de harmônicas, tanto Stokes como anti-Stokes, do modo totalmente simétrico de estiramento Ti - I. Através do ajuste das intensidades relativas dos vários perfis, foi possível obter a variação da distância de equilíbrio Ti - l no estado eletrônico excitado em relação ao fundamental / The present work is a detailed study on the calculation of Raman excitation profiles by the transform method . The main feature of the transform method is to use the absorption spectra to generate the Raman excitation profiles. The computer programs here developed were tested by comparison with known profiles from the literature, and used to explore new possibilities in modelling the Raman profiles of new chemical species, as well as to improve already investigated profiles . We investigated , by use of the transform method, cases where electronic interference must be taken into account, and Raman excitation profiles of non-totally simetric modes [Zn(dmit)2 ]2- and [Ni(dmit)2]2- were now studied for the first time by the transform method. For TiI4 of the resonance profiles for the v1 fundamental and overtones, both Stokes and anti-Stokes, were calculated with a single set of parameters being possible to evaluate the displacement of the Ti - I equilibrium distance in the resonance electronic state relative to the ground state

Made available in DSpace on 2018-08-02T00:01:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_3848_Tese_TiaraRSFreitas.pdf: 3688998 bytes, checksum: e95e71bd31d909af188216252316081e (MD5) Previous issue date: 2015-12-11 / Apresentam-se duas topologias retificadoras controladas, aplicadas em aerogeradores síncronos a ímã permanente, de baixa potência. Para sistemas de baixa potência, ou sistemas de operação isolada (stand-alone), onde a energia proveniente da geração eólioelétrica é parte significante da energia total do sistema, os geradores e os conversores têm o papel de manter a tensão e a frequência da rede constantes, apesar das oscilações de potência na turbina eólica. Em geradores síncronos a ímã permanente (GSIP) com velocidade variável, a solução preferencial tem sido a conversão em duas etapas: CA-CC-CA. Diversas topologias de conversores têm sido exploradas, porém, o que se tem observado, é que essa conversão dispõe de muitos elementos controlados na conversão CA-CC, a maioria a seis chaves, dificultando e encarecendo o seu controle. Cada nova topologia apresenta novos aspectos, sempre buscando um conversor que melhor se adapte ao sistema e influenciando minimamente possível a qualidade da potência de geração. As topologias apresentadas pela literatura são eficientes para as potências maiores, mas quando se trata de sistemas com potências menores, conversores mais simples (com uma ou três chaves controladas) podem atender ao objetivo de retificação com um custo menor, e sem que a qualidade da conversão seja reduzida. A contribuição desta tese de doutorado é o desenvolvimento de uma nova topologia retificadora SEPIC, a três chaves controladas, e a análise e a aplicação de uma topologia Buck-ressonante, a uma chave controlada, para aerogeradores. São soluções retificadoras mais simples, aplicadas à geração eólioelétrica de baixa potência com gerador síncrono de ímãs permanentes, oferecendo simplicidade e facilidade de controle. Apresentam-se o projeto dos conversores, as equações que os definem, os resultados de simulação e os resultados experimentais. Verificou-se que ambas as soluções conseguem operar com alto fator de potência e conteúdo harmônico reduzido empregando um único sinal de comando, em ampla faixa de velocidade do vento e sem laço de controle da corrente do gerador.

Orientador: Volia L. Crivelenti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-21T23:10:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Inoki_CarlosKazuo_M.pdf: 4778701 bytes, checksum: bf6f9005961622c02bed9be7c86bcc1f (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Medidas ópticas e de raios-x foram feitas em diversas superredes tencionadas de InxGa1-xAs/GaAs para diferentes composições da liga. Uma das superredes foi selecionada para o estudo por Espalhamento Raman Ressonante induzido por pressão. A condição de ressonância foi obtida por meio de sintonia da energia de gap do material com energia da luz espalhada. Dois máximos foram observados tanto na seção de choque de LO como na de 2LO. Estas ressonâncias correspondem a energia da primeira transição na barreira e no poço, respectivamente. Como os estados eletrônicos de ambas as camadas constituintes produzem ressonância com o mesmo fônon, este não pode estar confinado em nenhuma destas camadas. O efeito de tripla ressonância resulta em máximos bastante pronunciados no perfil ressonante de 2LO. No sentido de determinar a superrede para a qual a condição de tripla ressonância ocorre, foi feita uma caracterização prévia das amostras. Esta caracterização incluiu medidas de fotorefletância e a análise em termos de campos elétricos intrínsecos. Os resultados forneceram as energias de buraco-pesado e de buraco-leve, que eram de nosso interesse. Um cálculo destes níveis foi realizado simultaneamente. Um dos parâmetros para este cálculo era a tensão em cada uma das camadas constituintes. A tensão foi medida utilizando resultados de fotorefletância na região de energia E1 e E1 + D1 do GaAs. Este método e particularmente útil para superredes de InxGa1-xAs/GaAs / Abstract: Optical and x-ray measuremnts were performed on several InxGa1-xAs/GaAs strained-layer superlattices. One of the superlattices was selected for pressure-induced Resonant Raman Scattering studies. The resonance conditions were attained by tuning the energy gaps of the material to the scattered light energy. Two resonant enhancements were observed for either the LO or the 2LO cross section. These enhancement correspond to the first transition energies in the barrier and well, respectively. As electronic states of both constituent layers produce resonance with the same phonon, it cannot be confined in either of these layers. Triple resonance conditions yielded well defined maxima in the 2LO profile. In order to determine the superlattice for which the triple resonance conditions held, we performed a previous characterization of the samples. This characterization included phoreflectance measurements and analisis in terms of built-in fields. The results delivered the heavy-hole and light-hole energies of our interest. A calculation of these levels were performed simultaneously. One of the parameters in thi8 calculations was the strain in each constituent layer. The strains were measured in the E1, E1 + D1, energy region of GaAs. This determination is particularly affective for InxGa1-xAs/GaAs superlattices / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roy E. Bruns / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-12T00:57:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guadagnini_PauloHenrique_D.pdf: 1175328 bytes, checksum: 1d90b1cecc2001bf1f665148300c3852 (MD5) Previous issue date: 2000 / Doutorado

Orientador: Roy Edward Bruns / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T16:09:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Borges_CleberNogueira_M.pdf: 1387457 bytes, checksum: ce0ce2f697f4f0cc4d74355461ceecbf (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: A exatidão das estimativas teóricas de intensidades e freqüências experimentais no infravermelho é limitada por diversos fatores. Um método para calcular fatores de escala de grupos característicos é proposto aqui. Fatores de escala para as intensidades e freqüências vibracionais de grupos característicos para três moléculas pequenas de referência: HCN, CzHz e CZH6 foram obtidos de resultados experimentais conhecidos e valores teóricos calculados. Estes fatores foram aplicados às freqüências das moléculas maiores: HC3N, C4Hz, C6Hz, CzNz, C4N2 e C6Nz. Além disso, fatores foram também aplicados às intensidades teóricas do HC3N. Melhor concordância entre freqüências vibracionais teóricas escaladas e seus valores experimentais correspondentes foi obtida pelo método proposto para os estiramentos C-H, C=C e C=N do que a determinada usando a técnica do cálculo da média relatada recentemente na literatura. Entretanto a técnica do cálculo da média fornece estimativas com maior exatidão para freqüências de deformação. Isto pode ser explicado pelo fato de que as deformações, ao contrário dos estiramentos, não são bons grupos característicos, pois sua forma varia muito entre moléculas diferentes. Os fatores de escala aplicados às intensidades foram menos eficazes em corrigir os valores teóricos. Além disso, estudos usando a análise de componentes principais na correção das intensidades não parecem promissores / Abstract: The accuracy of theoretical estimates of experimental frequencies and infrared intensities is limited by several factors. Here a method for calculating group characteristic scale factors is proposed. Scale factors for the vibrational frequencies and intensities of characteristic group for three small reference molecules: HCN, C2H2 and C2H6 are obtained from know experimental results and ca1culated theoretical values. These escale factors were applied to frequencies of larger molecules: HC3N, C4H2, C6H2, C2N2, C4N2 and C6N2. Furthermore scale factors were applied also to the theoretical intensities of HC3N. Better agreement between scaled theoretical vibrational frequencies and their corresponding experimental values were obtained by proposed method for the C-H, C=C and C=N stretches than are determine using averaged technique recent1y reported in the literature. However the averaged technique provides more accurate estimates for bending frequencies. This can be explained by the fact of that the bending, in contrast of the stretchings, are not good characteristic groups, therefore its form varies very between different molecules. The scale factors applied to intensities were less effective in correcting theoretical values. Furthermore studies using principal component analysis for correcting intensities does not seems promising / Mestrado / Mestre em Química

Nesta dissertação o processo de adsorção da tiossemicarbazona do formilferroceno (TFF) em eletrodos de prata e ouro, em soluções aquosas 0,1 mol.L-1 de KCl e de acetonitrila. 0,1 mol.L-1 de NaClO4, foi caracterizado através da técnica espectroscópica SERS. Verificou-se através das variações espectrais que a adsorção da TFF ocorre através dos átomos N1 do grupo imínico e do S do grupo tiocarbonílico. Os processos faradáicos do TFF foram monitorados pela técnica SERS e de absorção no UV-visível. Os espectros SERS para potencial de -1,4 V (Ag/AgCl) sugerem a formação de um novo composto, produto de redução da TFF, o aminometilferroceno. Através da técnica de absorção no UV-visível verificou-se, neste potencial, o aparecimento no espectro de absorção de uma nova banda em 240 nm, atribuída à formação de tiouréia. A identificação deste dois produtos de redução indica que, para o composto TFF, o mecanismo geral de redução dos derivados de tiossemicarbazonas é obedecido. Nenhuma variação espectral, tanto utilizando a técnica SERS como a absorção no UV-visível, foi detectada durante o processo redox FeII/FeIII (E1/2=0,55 V). Os comportamentos de adsorção e faradáico da tiossemicarbazida (TSC), em eletrodo de prata em soluções aquosas neutra e ácida, foram estudados através da técnica SERS. Verificou-se que em meios neutro e ácido, a TSC está adsorvida na configuração cis para potenciais próximos de 0,0 V, interagindo com a superfície através do átomo de S do grupo tiocarbonílico e dos átomos de H ligados ao N1 hidrazínico, através da formação de pares iônicos com os ânions Cl- adsorvidos. Para potenciais mais negativos, os íons cloreto deixam a superfície e a TSC sofre reorientação, assumindo a conformação trans. Não foi observado através da técnica SERS nenhum processo faradáico em solução ácida para potenciais negativos, como havia sido proposto na literatura. A não redução do composto foi confirmada através da técnica de eletroforese capilar. Foi estudado o comportamento Raman ressonante da TFF, verificando-se a ocorrência de um mínimo no perfil de excitação experimental devido à interferência destrutiva das transições dos grupos tiossemicarbazona e ferrocenil. Os perfis de excitação teóricos foram calculados utilizando o método da transformada e os resultados dos ajustes obtidos indicam que existe considerável distorção dos modos do grupo ferrocenil na transição eletrônica em 312 nm, atribuída a n-p* do grupo tiossemicarbazona, caracterizando uma grande interação eletrônica entre os cromóforos da TFF. Para comparar o comportamento Raman ressonante do TFF com o do ferroceno, os espectros Raman ressonante deste composto foram obtidos. Verificou-se que o ferroceno apresenta, também, o efeito Raman anti-ressonante, mas as bandas vibracionais do ferroceno apresentam perfis distintos dos apresentados no composto TFF, indicando que a incorporação do grupo tiossemicarbazona no anel ciclopentadienil modifica a estrutura eletrônica do grupo ferrocenil. / In this dissertation, the adsorption process of the formylpyridine thiosemicarbazone (TFF) at silver and gold surfaces in aqueous and in acetonitrile solutions has been characterized by using the SERS (Surface-enhanced Raman Scattering) technique. It has been verified that TFF adsorbs through N1’ and S atoms on the metallic surfaces. The faradaic processes of TFF have been monitored through the SERS and UV-visible absorption spectroscopies. The SERS spectra at -1,4 V (Ag/AgCl) suggest aminomethylferrocene as one of the reduction products of TFF. By using the UV-visible absorption technique, it has been verified, at this potential, a new band at 240 nm in the spectrum, which indicates the presence of thiourea. The observation of these two reduction products has confirmed that the general reduction mechanism for thiosemicarbazonas works for TFF. Neither SERS nor UV-vis spectral changes have been observed during the redox process of FeII/FeIII (E1/2= 0,55 V). The adsorption and faradaic processes of thisemicarbazide (TSC) at silver electrode have also been studied by SERS technique. It has been verified that, in acidic and neutral media, the TSC is adsorbed through a cis-configuration at a potential close to 0,0 V, showing an interaction of the S atom through bond formation with the surface and through the H atoms bonded to N1 via ion pair formation with the adsorbed Cl- anions. At more negative potentials, the chloride anions leave the electrode surface and the TSC changes to trans-configuration. No faradaic process has been observed as reported in the literature. This result has been confirmed by using the capillary electrophoresis technique. The resonance Raman effect of the TFF has been studied, and the excitation profiles of the bands have been shown as minimum, which indicates an electronic interaction between the two cromophores of the TFF (thiosemicarbazone and ferrocenyl). The theoretic excitation profiles have been calculated by using the transform method, and the results of the obtained adjustment has indicated that there has been a distortion of the ferrocenyl vibrational modes for an electronic transition at 312 nm, assigned to the n-p* of thiosemicarbazone moiety. This result has indicated a great interaction between the two cromophores of TFF. In order to compare the resonance Raman behavior of the TFF with that of the ferrocene, the resonance Raman spectra of the ferrocene have been obtained. It has been verified that the two compounds present an anti-resonant Raman effect, even though the bands have presented very different excitation profiles from those observed in the TFF, which indicates that the incorporation of the thiosemicarbazone group into the ciclopentadienyl has changed the electronic structure of the ferrocenyl group.

Neste trabalho, é apresentada uma variação da técnica de espectroscopia por cavidade ressonante tipo ring-down CRDS (do acrônimo em inglês Cavity Ring-Down Spectroscopy) para a obtenção simultânea do espectro de absorção de multicomponentes numa faixa espectral larga do visível. Esta nova técnica se resume no uso do espectro supercontinuum (resultante da irradiação de meios não lineares através de lasers de femtossegundo, ou simplesmente gerada por fontes compactas) como fonte de luz para iluminar a cavidade. Neste contexto são descritas as características dos módulos para a montagem de um MC-SC-CRDS (Multicomponent Supercontinuum Cavity Ring-Down Spectroscopy): os pares de espelhos altamente refletivos, a cavidade ressonante e o sistema de detecção. Alguns problemas relacionados à excitação de multimodos, à luz difusa, ao uso efetivo do intervalo dinâmico de detecção, à baixa resolução do instrumento em resolver linhas estreitas de absorção são situados. Apresentamos os espectros de absorção de H2O (políades 4nu, 4nu + delta ) e O2 (transições proibidas de spin b-X) simultaneamente medidos por essa técnica na faixa do visível, e uma comparação com as linhas de absorção baseadas do banco de dados HITRAN é feita para demonstrar a funcionalidade deste método. / In this work, we present a variation of the technique CRDS (Cavity Ring-Down Spectroscopy) to obtain simultaneously a multicomponent absorption spectrum in a broad visible range. This new approach uses the Supercontinuum (SC) spectrum (resulting from irradiation of nonlinear media by femtosecond lasers, or simply generated by compact sources) as a light source to illuminate the cavity. In this context it is described the features of the modules assembling a MC-SC-CRDS (Multicomponent Supercontinuum Cavity Ring-Down Spectroscopy): a set of high refletivity mirrors, the resonant cavity and the detection system. Some problems related to the multimode excitation, stray light, effective use of the dynamic range of the detector, the poor resolution of the instrument to resolve narrow absorption lines are issued. We present the absorption spectra of H2O (polyads 4nu, 4nu + delta ) and O2 (spin-forbidden b-X branch) measured simultaneously by this technique in the visible range and a comparison with the absorption lines based on HITRAN database is made to demonstrate the functionality of this method.