Transparent Conductive Oxide thin films (TCO) with low resistivity and high light transmission act as transparent electrode for many kinds of display panel. At present, Indium Tin Oxide (ITO) is common transparent electrode material. Because Indium is classified rare element, and it has toxicity. Moreover ITO is unstable in high temperature. Recent years many researches are searching adaptive materials to replace ITO. Al doped ZnO (AZO) has same characteristics of low resistivity and high light transmission, it is one of the adaptive materials. In this study, we choice AZO and ITO target. Sputtering is a common method to deposition TCO. We sputtered the AZO film and ITO film on glass substrate and measured the characteristics respectively. In addition, because Liquid Phase Deposition (LPD) has advantages of simple process, low cost and large amount of wafers can be used. Therefore, in this study we growth ZnO thin film on glass substrate simultaneously, and doped Aluminum to increase conductivity.

Tungsten trioxide (WO3) films are important for various optical devices and especially for electrochromic materials. Sputtered WO3 thin films were deposited on conductive glass substrate (ITO/glass) by RF sputtering from a WO3 target(diameter 2¡¨x 6 mm) in a reactive atmosphere of oxygen and argon flow ratio(0 to 1) mixture in a total gas pressure of 10m Torr. The RF power was 100W operating at 13.56MHz.We will improve the WO3 films by post-annealing in different atmosphere ambient. In addition, to prepare treatment solution of growing WO3 films were dissolved tungsten to aqueous which mixed hydrofluoric acid and nitric acid until it supersaturate. This solution was then diluted to 0.02 M of tungsten ions with distilled water. And we can get the treatment solution (WO3-HF aqueous). The WO3 thin films have been deposited at 40oC with the treatment solution (WO3-HF aqueous) which full of W ions, the 0.1M boric acid (H3BO3) solution and added aluminium metal by liquid phase deposition (LPD) technique. The deposition rate could be controlled to 45 nm/h. In our experiment, the WO3 films morphology and thickness was characterized by scanning electron microscopy(SEM), structure was characterized by X-ray diffraction(XRD), chemical properties was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy(FT-IR), optical properties was characterized by spectrophotometer(MP-100M), and electrochromic characterized by cyclic voltammetry(CHI627C). In our results, it will be improved the optical and electrochromic properties of sputtered-WO3 films by post-annealing in O2 ambient. we also have try a novel and very simple process for the thin films of WO3 by the LPD process. Adherent and conformal WO3 electrochromic films were prepared on ITO/glass from aqueous fluoride solution.

Thesis (Ph.D.)--University of Nebraska-Lincoln, 2009. / Title from title screen (site viewed January 5, 2010). PDF text: xxiv, 292 p. : ill. (some col.) ; 11 Mb. UMI publication number: AAT 3365710. Includes bibliographical references. Also available in microfilm and microfiche formats.

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Orientador: José Humberto Dias da Silva / Banca: Francisco Eduardo Gontijo Guimarães / Banca: Ignez Caracelli / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Descreve-se a preparação de várias amostras de filmes finos de Nitreto de Gálio (GaN), depositados sobre diferentes tipos de substratos pela utilização da técnica de RF-Magnetron Sputtering Reativo, utilizando-se atmosfera de nitrogênio ('N POT. 2') com diferentes temperaturas de substrato (< 400ºC). As amostras foram caracterizadas estruturalmente pelo uso da técnica de difração de raio-X (DRX), permitindo a obtenção de informações sobre tamanhos de cristalito, padrões de texturação e parâmetros de rede. A ocorrência de textura de orientação bem definida e a relação desta com as condições do alvo utilizado são analisadas no trabalho. / Abstract: The preparation of several samples of Gallium Nitride (GaN) thin films, deposited onto different kinds of substrates by Reactive RD - Magnetron Sputtering, in pure Nitrogen ('N POT. 2') atmosphere with different substrate temperatures (< 400ºC) is described. The samples were structurally characterized by the use of X-ray diffraction, allowing obtain of information about cristalite size, texture pattern, and lattice parameters. The occurence of orientation texture and its relationship with target conditions are analysed. / Mestre

Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.

Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.

Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:05:51Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7695_1.pdf: 2537717 bytes, checksum: 60ca15ac8000b97ca710ead44bed4782 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 1996 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Neste trabalho é estudado a deposição de filmes finos metálicos e refratários por magnetron sputtering utilizando-se tanto de uma fonte de como rf. Os pontos ótimos de trabalho foram determinados em função da pressão na câmara de deposição e da potência das fontes para os seguintes materiais: Nb, Ti, Mo, W e Si, obtendo assim um treinamento na utilização da máquina de deposição ao mesmo tempo que preparando-a para futuros usuários. Especial atenção é dada à deposição e caracterização de filmes finos de Nb com espessura entre 300 Å e 10000 Å. As características supercondutoras destes filmes são analisadas através de medidas de susceptibilidade ac, magnetização dc e da razão de resistência. O diagrama de fase campo magnético temperatura (H-T), obtido de seqüências de esfriamento a campo nulo (ZFC) e em campo (FC), revela uma forte dependência da linha de irreversibilidade com a espessura do filme. Em filmes mais finos a região de irreversibilidade diminui. Este efeito é atribuído a danos superficiais causados por tensões ou por defeitos

Angular distributions and total yields of atoms sputtered from bismuth targets by normally incident 10 keV -50 keV Ne+ and Ar+ ions have been measured both experimentally and by computer simulation. Polycrystalline Bi targets were used for experimental measurements. The sputtered atoms were collected on high purity aluminum foils under ultra-high vacuum conditions, and were subsequently analyzed using Rutherford backscattering spectroscopy. The Monte-Carlo based SRIM code was employed to simulate angular distributions of sputtered Bi atoms and total sputtering yields of Bi to compare with experiment. The measured sputtering yields were found to increase with increasing projectile energy for normally incident 10 keV - 50 keV Ne+ and Ar+ ions. The shapes of the angular distributions of sputtered Bi atoms demonstrated good agreement between experiment and simulation in the present study. The measured and simulated angular distributions of sputtered Bi exhibited an over-cosine tendency. The measured value of the degree of this over-cosine nature was observed to increase with increasing incident Ne+ ion energy, but was not strongly dependent on incident Ar+ ion energy. The differential angular sputtering yield and partial sputtering yields due to Ar ion bombardment of an inhomogeneous liquid Bi:Ga alloy have been investigated, both experimentally and by computer simulation. Normally incident 25 keV and 50 keV beams of Ar+ were used to sputter a target of 99.8 at% Ga and 0.2 at% Bi held at 40° C in ultra-high vacuum (UHV), under which conditions the alloy is known to exhibit extreme Gibbsian surface segregation that produces essentially a monolayer of Bi atop the bulk liquid. Angular distributions of sputtered neutrals and partial sputtering yields obtained from the conversion of areal densities of Bi and Ga atoms on collector foils were determined. The Monte-Carlo based SRIM code was employed to simulate the experiment and obtain the angular distribution of sputtered components. The angular distribution of sputtered Ga atoms, originating from underneath the surface monolayer, was measured to be sharply peaked in angle about the surface normal direction compared to the Bi atoms originating from surface monolayer. The simulation study produced contradicting results, where the species originating from surface monolayer was strongly peaked around the surface normal compared to the species originating from beneath the surface monolayer.