Afin de satisfaire aux exigences de plus en plus contraignantes imposées par la Roadmap ITRS, l'industrie microélectronique doit aujourd'hui envisager un certain nombre de révolutions dans ses procédés de fabrication des composants. En effet, la seule miniaturisation des dimensions du transistor à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) ne suffit plus à améliorer les performances des dispositifs électroniques et de nouvelles approches doivent être imaginées. Parmi les solutions envisagées, l'une des plus prometteuses consiste à remplacer l'isolant de grille «historique» en oxyde de silicium (SiO2) et la grille en polysilicium par un couple constitué d'une grille métallique et d'un matériau isolant possédant une plus forte permittivité diélectrique. Ce travail présente ainsi les effets du couple grille TiN/dioxyde d'hafnium HfO2 sur les performances électriques d'un MOSFET en étudiant un paramètre caractéristique du transport électrique dans le canal de conduction, à savoir la mobilité des porteurs libres en régime d'inversion. Pour ce faire, une étude théorique des différentes interactions limitant la mobilité des porteurs dans ces nouvelles architectures a d'une part été réalisée. D'autre part, des techniques expérimentales innovantes d'extraction de la mobilité ont été développées (magnétorésistance, split C-V pulsé) pour caractériser finement nos dispositifs. La conjonction de ces deux approches a ainsi permis de déterminer avec précision les interactions prédominantes dans la réduction de mobilité des porteurs liées à l'utilisation d'une grille métallique TiN et d'un oxyde de grille de forte permittivité HfO2.