Si-ULSIデバイス用Cu配線の低抵抗化と信頼性向上

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第16798号 / 工博第3519号 / 新制||工||1532(附属図書館) / 29473 / 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 / (主査)教授 白井 泰治, 教授 酒井 明, 教授 杉村 博之 / 学位規則第4条第1項該当

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1. http://hdl.handle.net/2433/157529
2. 10.14989/doctor.k16798

Tags

Cu(Ti)

合金

自己形成

拡散バリア

薄膜

粒成長

双晶

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/157529
Date	26 March 2012
Creators	小濱, 和之
Contributors	白井, 泰治, 酒井, 明, 杉村, 博之, Kohama, Kazuyuki, コハマ, カズユキ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Unknown
Type	DFAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf