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半極性GaNバルク基板上へのInGaN量子構造の成長と偏光物性 / ハンキョクセイ GaN バルク キバンジョウ エ ノ InGaN リョウシ コウゾウ ノ セイチョウ ト ヘンコウ ブッセイ

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14626号 / 工博第3094号 / 新制||工||1460(附属図書館) / 26978 / UT51-2009-D338 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 藤田 静雄, 教授 木本 恒暢 / 学位規則第4条第1項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/78004
Date23 March 2009
Creators上田, 雅也
Contributors川上, 養一, 藤田, 静雄, 木本, 恒暢, Ueda, Masaya, ウエダ, マサヤ
Publisher京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source SetsKyoto University
LanguageJapanese
Detected LanguageJapanese
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により本文は2009-12-25に公開

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