Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Description

Herstellung anwendungsbezogener SiO2-
Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch
RIE und ICP-Prozesse.

Links & Downloads

1. urn:nbn:de:swb:ch1-200600953
2. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A18535
3. https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-0/
4. https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A18535/attachment/ATT-1/

Tags

info:eu-repo/classification/ddc/620

ddc:620

Anisotropie

Elektromigration

Fluidik

ICP

Lag

Passivierung

Photoresist

Plasmaätzen

Polymere

Rasterelektronenmikroskop

Siliciumdioxid

Trench <Mikroelektronik>

CF4

CHF3

FIB

Plasmapolymer

RIE

RIE grass

Selektivität

bowing

differential charging

facetting

microtrenching

Ätzrate

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18535
Date	15 June 2006
Creators	Schäfer, Toni
Contributors	Mönch, Ingolf, Geßner, Thomas, Bertz, Andreas, Technische Universität Chemnitz
Publisher	Leibniz-Institut für Festkörper und Werkstoffforschung Dresden
Source Sets	Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Language	German
Detected Language	German
Type	doc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess