A Study on Plasma Process-Induced Defect Creation in Si-Based Devices / シリコン系デバイスにおけるプラズマプロセス誘起欠陥生成に関する研究

Description

京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第24580号 / 工博第5086号 / 新制||工||1974(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 江利口 浩二, 教授 土屋 智由, 教授 平方 寛之 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/283699
2. 10.14989/doctor.k24580
3. 14301

Tags

Plasma-induced damage

Plasma etching

Defect

Leakage current

P–n junction

Silicon devices

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/283699
Date	23 March 2023
Creators	Sato, Yoshihiro
Contributors	佐藤, 好弘, サトウ, ヨシヒロ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation