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Fundamental Study on SiC Metal-Insulator-Semiconductor Devices for High-Voltage Power Integrated Circuits / 高耐圧パワー集積回路を目指したSiC金属-絶縁膜-半導体素子の基礎研究 / コウタイアツ パワー シュウセキ カイロ オ メザシタ SiC キンゾク - ゼツエンマク - ハンドウタイ ソシ ノ キソ ケンキュウ

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14628号 / 工博第3096号 / 新制||工||1460(附属図書館) / 26980 / UT51-2009-D340 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 鈴木 実, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/78006
Date23 March 2009
CreatorsNoborio, Masato
Contributors木本, 恒暢, 鈴木, 実, 藤田, 静雄, 登尾, 正人, ノボリオ, マサト
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageJapanese
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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