Fundamental Study on SiC Metal-Insulator-Semiconductor Devices for High-Voltage Power Integrated Circuits / 高耐圧パワー集積回路を目指したSiC金属-絶縁膜-半導体素子の基礎研究 / コウタイアツ パワー シュウセキ カイロ オ メザシタ SiC キンゾク - ゼツエンマク - ハンドウタイ ソシ ノ キソ ケンキュウ

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14628号 / 工博第3096号 / 新制||工||1460(附属図書館) / 26980 / UT51-2009-D340 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 鈴木 実, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当

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1. http://hdl.handle.net/2433/78006
2. 000010316347
3. 10.14989/doctor.k14628

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SiC

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MOSFET

power IC

power electronics

power device

500

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Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/78006
Date	23 March 2009
Creators	Noborio, Masato
Contributors	木本, 恒暢, 鈴木, 実, 藤田, 静雄, 登尾, 正人, ノボリオ, マサト
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	Japanese
Type	DFAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf