Fundamental Study on Carrier Transport in Si Nanowire MOSFETs with Smooth Nanowire Surfaces / 表面平坦化処理を施したSiナノワイヤMOSFETにおけるキャリヤ輸送の基礎研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18286号 / 工博第3878号 / 新制||工||1595(附属図書館) / 31144 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 白石 誠司, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Links & Downloads

1. http://hdl.handle.net/2433/188599
2. 14301甲第18286号
3. 10.14989/doctor.k18286
4. 14301

Tags

Silicon nanowire

MOSFET

Surface smoothing

Hydrogen annealing

Carrier transport

Mobility

Quantum confinement effect

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/188599
Date	24 March 2014
Creators	Morioka, Naoya
Contributors	木本, 恒暢, 白石, 誠司, 浅野, 卓, 森岡, 直也, モリオカ, ナオヤ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により本文は2015-03-20に公開