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Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Herstellung anwendungsbezogener SiO2-
Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch
RIE und ICP-Prozesse.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18535
Date15 June 2006
CreatorsSchäfer, Toni
ContributorsMönch, Ingolf, Geßner, Thomas, Bertz, Andreas, Technische Universität Chemnitz
PublisherLeibniz-Institut für Festkörper und Werkstoffforschung Dresden
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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