SIMSおよびレーザSNMSによる半導体表面分析の高精度定量化に関する研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第13053号 / 論工博第4146号 / 新制||工||1657(附属図書館) / 33143 / (主査)教授 河合 潤, 教授 酒井 明, 准教授 松尾 二郎 / 学位規則第4条第2項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/217115
2. 14301乙第13053号
3. 10.14989/doctor.r13053
4. 14301

Tags

レーザSNMS

表面分析

深さ方向分析

半導体

SIMS

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/217115
Date	23 September 2016
Creators	東, 康弘
Contributors	河合, 潤, 酒井, 明, 松尾, 二郎, Higashi, Yasuhiro, ヒガシ, ヤスヒロ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により本文は2016-10-22に公開