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Temperaturbestimmung an IGBTs und Dioden unter hohen Stoßstrombelastungen / Temperature measurement of IGBTs and Diodes under high surge current loads

Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-qucosa-166595
Date03 June 2015
CreatorsSimon, Tom
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, M. Sc. Jens Kowalsky, Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis
Formatapplication/pdf, text/plain, application/zip

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