Eine wichtige Eigenschaft von Leistungsdioden ist ihre Stoßstromrobustheit, also die Fähigkeit, einem kurzeitigen hohen Strom standzuhalten. Bei Dioden aus SiC wird dabei häufig auf die MPS-Struktur zurückgegriffen. In dieser Arbeit wird das Stoßstromverhalten von neuen 1200V-SiC-MPS-Dioden von Infineon untersucht. Dabei wird gemessen, welchem Strom die Dioden bei einem Halbsinus-Puls von 10ms standhalten. Das Ergebnis wird mit der Robustheit herkömmlicher SiC-Schottky-Dioden verglichen. Die Stoßstromrobustheit bei Parallelschaltung wird untersucht. Mittels elektro-thermischer Simulationen werden Möglichkeiten zur Verbesserung der Stoßstromrobustheit der Dioden erörtert. Hierbei wird die Schichtdicke erhöht und Kupfer statt Aluminium als Anodenmetallisierung angenommen. Des Weiteren wird das Simulationsmodell hinsichtlich der Lotschicht und eines reduzierten SiC-Substrats variiert. Die MPS-Dioden weisen bei hohem Strom einen negativen differentiellen Widerstand auf, hervorgerufen durch die Injektion von Minoritätsladungsträgern aus den p-dotierten Gebieten. Die Aktivierung der Injektion von Minoritätsladungsträgern in Abhängigkeit der Größe der p-dotierten Gebiete wird ebenfalls mittels Simulationen untersucht. Ein Vergleich verschiedener Caughey-Thomas-Parameter zur Modellierung der Ladungsträgermobilität in FEM-Bauelementsimulatoren wird durchgeführt. Das Ausschaltverhalten der MPS-Dioden wird unter verschiedenen Bedingungen gemessen. Dazu zählen das Abschalten unter Anwendungsbedingungen, das Abschalten unter Überlast von bis zum fünfzehnfachen Nennstrom, das Abschalten mit hohen Strom- und Spannungssteilheiten und das Abschalten in Parallelschaltung und mit zusätzlicher parasitärer Induktivität. Die Untersuchungen zeigen eine hohe Robustheit der neuen 1200V-SiC-MPS-Dioden. / The surge current ruggedness is an import property of power diodes. In case of SiC diodes this is realized by a Merged-pin-Schottky (MPS) structure. In this thesis the surge current ruggedness of novel 1200V SiC MPS diodes from Infineon is investigated. The maximum current during a half sine surge current pulse of 10ms is determined in measurements for various diodes and compared to the surge current ruggedness of conventional Schottky diodes. Furthermore, the surge current ruggedness in parallel arrangement is measured. By the means of electro-thermal simulations options to improve the surge current ruggedness are investigated. The simulation model is varied concerning the diodes anode metalization layer thickness and material. The layer thickness is increased and the typical aluminum is replaced by copper. Additionally, the influence of the silicon carbide substrate thickness and the solder layer thickness and material on the surge current ruggedness is simulated. The MPS diodes possess a negative differential resistance at high currents caused by the injection of minority carriers by the p-doped regions. The injection of minority carriers in dependence of the size of the p-regions is also examined in simulations. Furthermore, different parameter sets of the the Caughey-Thomas formula to describe the carrier mobility are compared. The turn-off behavior of the diodes is measured under different conditions such as the turn-off from fifteen times the rated current, the turn-off with high current and voltage slopes and the turn-off in parallel arrangement and with additional inductance. The investigation show a high robustness of the novel 1200V SiC MPS diodes.

Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.

Diese Arbeit beschäftigt sich mit drei verschiedenen Temperaturmessmethoden VCE, VGTH sowie über die Messung der thermsichen Impedanz mit 10ms langen Lastimpulsen und vergleicht die Messergebnisse mit zwei Simulatoren. Dabei wird ein Schaltungs- sowie ein Halbleitersimulator verwendet und das bisherige Simulationsmodell angepasst.:Aufgabenstellung Inhaltsverzeichnis Nomenklatur Einleitung 1. Grundlagen 1.1. Halbleitermaterialien 1.2. Dioden Grundlagen 1.2.1. pn-Übergang 1.2.2. Temperaturabhängigkeit der Diffusionsspannung des pn-Übergangs 1.2.3. Diodenstrukturen 1.3. IGBT Grundlagen 1.3.1. Funktionsweise und ESB 1.3.2. Statisches Verhalten des IGBTs 1.4. Messtechnische Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur 1.4.1. VCE(T)- und VGth(T)-Methode 1.4.2. Temperaturreferenzmessung – Kalibrierkennlinie 1.4.3. Wurzel(t)-Methode 1.5. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels thermischer Ersatzschaltbilder 1.5.1. Thermische Kenngrößen Rth, Cth 1.5.2. Transiente thermische Impedanz Zth 1.5.3. Ersatzschaltbild – Cauer-Netzwerk 1.6. Simulation der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels Halbleitersimulator 1.7. Stoßstromereignisse 2. Vormessungen 2.1. Prüflinge 2.2. Messung der Sperrfähigkeit 2.2.1. Testaufbau – Schaltung 2.2.2. Testergebnisse 2.3. Messung des Ausgangskennlinienfeldes/ Durchlassmessungen 2.3.1. Testaufbau – Schaltung 2.3.2. Testergebnisse 2.4. Messung der Transferkennlinie 2.4.1. Testaufbau – Schaltung 2.4.2. Testergebnisse 2.4.3. Bestimmung des “pinch-off”-Bereiches 2.5. Aufnahme der Kalibrierkennlinien 2.5.1. Testaufbau – Schaltung 2.5.2. Testergebnisse 3. Temperaturbestimmung mittels thermischer Impedanz Zth 3.1. Testaufbau – Schaltung 3.2. Testergebnisse 4. Temperaturbestimmung am Stoßstrommessplatz 4.1. Ermittlung der Halbleitertemperatur nach einem Stoßstromereignis 4.1.1. Anpassung des Stoßstrommessplatzes 4.1.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.1.3. Testergebnisse 4.2. Ermittlung des Halbleitertemperaturverlaufes während des Stoßstromereignisses 4.2.1. Testaufbau - Schaltung 4.2.2. Pulsmuster VCE(T)-, VGth(T)-Messung 4.2.3. Testergebnisse 5. Simulation der Temperaturverläufe 5.1. Temperatursimulation mittels Halbleitersimulator 5.2. Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 5.3. Angepasste Temperatursimulation mittels Cauer-Netzwerk 6. Zusammenfassung und Ausblick Anhang Literaturverzeichnis Selbstständigkeitserklärung Danksagung