Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung von organischen selbstorganisierenden (Sub-)Monolagen (sog. SAM s) auf Siliziumoxid und deren Metallisierung. Die characteristischen Strukturen dieser Oberflächen sind mit der Rasterkraftmikroskopie (RKM) untersucht worden. Im präparativen Abschnitt wird die Abscheidung des SAM (Octadecyltrichlorosilan (OTS)) in einer Toluol/Wasserlösung auf eine Siliziumoxidoberfläche und deren anschließendem lateralen Erscheinungsbild (als Octadecylsiloxan ODS) beschrieben. Die Submonolagen des ODS auf dem Oxid erscheinen in den Topografiebildern des RKM s als eine Art Insellandschaft . Diese Modellstrukturen mit stark unterschiedlicher Oberflächeneigenschaften sind in dem methodischen Teil der Arbeit unter verschiedenen äußeren Bedingungen untersucht worden. Neben der Lateralkraft (Kontakt-Modus) und der Dämpfung (dyn. Nichtkontakt-Modus) stand hier die Kontrastentstehung der Topografie im RKM im Vordergrund. Im Gegensatz zu der theoretischen Länge des ODS-Moleküls wurde eine geringere Höhe des adsorbierten Moleküls gemessen. Im zweiten Teil dieser Arbeit wurde untersucht, wie die ODS-(Unter)Struktur das Wachstum aufgedampfter Metallschichten beeinflusst. Die Ergebnisse der Evaporation mit Silber und Eisen ergaben zum Teil überraschende Ergebnisse. Frisch aufgedampfte Filme ließen die Unterstruktur anhand der Größe der Metallcluster erkennen, wobei das Silber auf ODS größere Cluster bildete als Eisen auf ODS. Nach einer Temperaturbehandlung unterscheiden sich die Systeme sehr stark, im Falle des Fe-Substrates invertierte sich der Kontrast der Topografie.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:uni-osnabrueck.de/oai:repositorium.ub.uni-osnabrueck.de:urn:nbn:de:gbv:700-2001051861 |
| Date | 18 May 2001 |
| Creators | Reiniger, Michael |
| Contributors | Privatdozentin Dr. Marika Schleberger, Prof. Dr. Werner Heiland |
| Source Sets | Universität Osnabrück |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:doctoralThesis |
| Format | application/zip, application/pdf |
| Rights | http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/ |
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