アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究 / アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ 二カンスル ケンキュウ

Description

ポリSi薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化について、理論的、技術的な観点から種々の問題点を導き、特にトラップ密度や粒径の大小がTFTの電気的特性に与える影響を詳細に解析し、イオン注入やその後のアニール技術などによって充分に実証を行ったものである。特にエキシマレーザアニール（ELA）を用いた、全工程が下地に影響を与えない低温プロセスは、LSIの微細化とガラス上素子特性の向上に資するものとして有益な知見と考えられる。 / 博士(工学) / Doctor of Philosophy in Engineering / 同志社大学 / Doshisha University

Links & Downloads

1. https://doshisha.repo.nii.ac.jp/?action=repository_uri&item_id=27529
2. http://id.nii.ac.jp/1707/00027521/
3. 理工学研究科
4. Graduate School of Science and Engineering
5. https://doshisha.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=27529&item_no=1&attribute_id=21&file_no=1
6. 34310乙第96号

Tags

薄膜トランジスタ

エキシマレーザアニール

多結晶シリコン

TFT

ELA

poly Si

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:doshisha.ac.jp/oai:doshisha.repo.nii.ac.jp:00027529
Date	28 February 1992
Creators	野口 隆, Takashi Noguchi
Source Sets	Doshisha University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Source	https://doors.doshisha.ac.jp/opac/opac_link/bibid/BB10019016/?lang=0