Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Description

Orientador : Ines Joekes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-14T17:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1988 / Mestrado

Links & Downloads

1. (Broch.)
2. MAIA, Izaque Alves. Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe. 1988. 179f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/250437>. Acesso em: 14 jul. 2018.
3. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/250437

Tags

Gálio

Arsênio

Lasers semicondutores

Epitaxia

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/250437
Date	14 July 2018
Creators	Maia, Izaque Alves
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Joekes, Ines, 1946-2013
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Química
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format	179f. : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess