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Crescimento epitaxial de InxGa1-xP sobre GaAs pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE)

Bettini, Jefferson 10 March 1997 (has links)
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-22T12:06:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bettini_Jefferson_M.pdf: 2628507 bytes, checksum: 74c8119be7842fd41194505b853e5030 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Apresentamos neste trabalho um estudo do crescimento epitaxial de InXGal-XP sobre GaAs que tem por objetivo a obtenção do ln0,49Ga0,51P. Em nosso trabalho, medimos a composição do InXGal-XP e a taxa de crescimento em função do fluxo de TMIn + H2 e a energia da banda proibida em função da composição. Este conjunto de medidas mostra um comportamento anômalo do material em tomo do casamento com o GaAs. Atribuímos este comportamento ao efeito do ordenamento da liga. Dentro da faixas estudadas, verificamos que a taxa de incorporação do Ga aumenta e que a taxa de incorporação do In diminui com o aumento da temperatura de crescimento e que a composição do InXGal-XP em função do fluxo de PH3 é praticamente constante. Realizamos também crescimentos epitaxiais de InXGaMl-XP sobre GaAs com dopagens intencionais de Silício (tipo N) e de Berílio (tipo P) em duas temperaturas de crescimento . Para as dopagens com o Sílicio, verificamos que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento e que não há uma diferença significativa na taxa de incorporação do Sílicio para as duas temperaturas de crescimento . Para as dopagens com o Berílio, verificamos que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento para valores menores que aproximadamente 3,0xl018 cm-3. Vimos que para menor temperatura de crescimento ocorre um aumento da concentração de portadores e a cristalinidade da camada de InxGal-xP:Be melhora. A análise destes resultados indica a formação de complexos de Berílio. Por fim, iniciamos um estudo das interfaces InGaP-GaAs. A análise preliminar dos resultados experimentais mostra que o aumento do fluxo de PH3 melhora a qualidade das interfaces / Abstract: We present here a study on the epitaxial growth of lnXGal-XP layers on GaAs aiming at the composition InO.49GaO.51P which is lattice matched to GaAs. In this work we evaluated the growth rate and composition of InXGal-xP as a function of TMIn+H2 f1ow, as well as the variation of band-gap energy with layer composition. This set of results pointed out an anomalous behavior of this temary material for compositions close to the lattice-matched oneswhich is attributed to an ordering effect in the alloy. For the temperature range studied here we observed increasing Ga and decreasing In incorporation rates with growth temperature. Also, the InXGal-xP composition does not depend on PH3 flow. We have cauied out intentiona1 doping of the InxGal-xP/GaAs layers for two different growth temperatures. The dopant sources used were Si (n type) and Be (p type). For the Si-doped material, the cauier concentration is proportional to the Si vapor pressure and there is no significant difference in the Si incorporation rate for the two growth temperatures. For the Be-doped material, the cauier concentration is proportional to the Be vapor pressure on1y for values lower than ~ 3xl018 cm-3. For lower growth temperatures we observe an increase in Be electrical activation as well as an improvement in the crystal quality ofthe InXGal-XP layer. These results indicate the formation of Be clusters at the higher temperatures used here. We have also studied the quality of the InGaP-GaAs interfaces. A preliminary analysis has shown an improvement of these interfaces as a result of increasing PH3 flows / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Crescimento de InGaP sobre GaAs por epitaxia de feixe quimico

Bettini, Jefferson 03 August 2018 (has links)
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T21:53:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bettini_Jefferson_D.pdf: 10684984 bytes, checksum: acc6d05aa92c2c01b4b2db3b8e69f1a6 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Apresentamos, neste trabalho, um estudo da dopagem residual e intencional, do ordenamento e das interfaces no crescimento epitaxial de InGaP/GaAs com os parâmetro de rede casados. O objetivo do trabalho é propiciar a obtenção de dispositivos com este material. Para a dopagem residual verificamos que o Carbono é o principal dopante. Sua incorporação ocorre, ao mesmo tempo, tanto como doador quanto como aceitador. A proporção entre a parte doadora e aceitadora depende da temperatura de crescimento. Para as dopagens com o Silício, verificamos, em baixas temperaturas de crescimento e concentrações de Si menores que aproximadamente 4,0x10 18 cm -3, que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento na célula de efusão do Si. Vimos que para maiores temperaturas de crescimento ocorre um aumento da concentração de portadores e a cristalinidade do material melhora. Para as dopagens com o Berílio, verificamos, em altas temperaturas de crescimento e concentrações de Be menores que aproximadamente 3,0x10 18 cm -3 , que a concentração de portadores é proporcional à pressão de vapor deste elemento na célula de efusão do Be. Observamos que para menores temperaturas de crescimento ocorre um aumento da concentração de portadores e a cristalinidade do material melhora. Tanto no caso do Si como no do Be, a análise dos resultados indica a formação de complexos Si-C e Be-P, respectivamente. Dentro da faixa de temperatura estudada (500oC - 580oC), verificamos que o ordenamento no InGaP aumenta linearmente com o aumento da temperatura de crescimento e que a razão V/III influencia levemente o ordenamento. Para altas temperaturas de crescimento observamos uma relação entre as estruturas superficiais e as regiões ordenadas. Realizamos também crescimentos de poços quânticos de InGaP/GaAs/InGaP, para o estudo de suas interfaces. Identificamos a formação de uma camada de InGaAsP na interface InGaP-GaAs. Através do estudo dos parâmetros de crescimento conseguimos minimizar a formação desta camada e aumentar a qualidade das interfaces. Por fim, mostramos a aplicação do nosso estudo em dispositivos / Abstract: In this work we present a study on residual and intentional dopant elements, on ordering and on interfaces of InGaP lattice matched with GaAs. The goal of this study is to obtain semiconductor devices using this material. We have found that Carbon is the main residual dopant. It is incorporated as donor and as acceptor, the ratio between these two incorporation modes depends on the growth temperature. For intentional silicon doping, it was found that, at low growth temperatures and Si concentration lower than 4,0 x10 18 cm -3 , silicon incorporation as donor is proportional to the Si vapour pressure in the Si effusion cell temperature. For higher growth temperatures, Si-donor concentration increases and there is an improvement on crystal quality. For intentional Beryllium doping, it was found that, at high growth temperatures and Be concentration lower than 3,0 x10 18 cm -3 , beryllium as acceptor incorporation is proportional to the Be vapour pressure in the Be effusion cell. For lower growth temperatures, Be-acceptor concentration increases and there is an improvement on crystal quality. In Si as well as in Be dopage, the data analysis indicates the complex formation of Si-C and Be-P, respectively . In the usual growth temperature range (500oC - 560oC) we have also verified that the ordering increases as the temperature increases and it is almost insensitive to the III/V ratio. For higher growth temperatures, we have found a relationship between surface structures and ordered regions. In growing InGaP/GaAs/InGaP quantum wells, we have found an InGaAsP layer formation at the interface InGaP/GaAs. We were able to minimize this layer and improve the interface quality. Finally, we could show the application of our study in some semiconductor devices / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Obtenção de galio a partir de rejeitos industriais

Magalhães, Maria Elizabeth Afonso de 13 July 2018 (has links)
Orientador : Matthieu Tubino / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:06:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Magalhaes_MariaElizabethAfonsode_M.pdf: 2615458 bytes, checksum: 6029eda147e6dd8bf47e4d7cece842c3 (MD5) Previous issue date: 1990 / Mestrado
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Estudo de difusão de zinco em antimoneto de gálio

Santos, Denis Luis de Paula 03 December 1986 (has links)
Orientador: Francisco C. Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T06:35:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_DenisLuisdePaula_M.pdf: 3987403 bytes, checksum: 9f2b7ef2840c0b6dff3afd9e46192fd7 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Difusão de zinco em antimoneto de gálio foi estudada e um modelo para esta difusão foi proposto, baseado em nossos resultados experimentais em comparação com a solução da equação de Transporte de impurezas. Este estudo foi conduzido com o propósito de contribuir para a produção de dispositivos opto-eletrônicos. A variação da profundidade de junção relacionada do tempo e temperatura de difusão, foi investigada para a determinação dos coeficientes de difusão e energias de ativação. A variação da concentração de aceitadores com a profundidade de junção também foi estudada. Estes perfis experimentais de concentração foram comparados com aqueles obtidos da solução analítica da equação de Transporte. Assumimos que o coeficiente de difusão efetivo é dependente da concentração de impurezas (Zn), e que esta dependência é explicada por uma lei simples de potência em n = 1 ou 2 ou 3, dependendo dos estados de carga dos átomos de zinco intersticial e substitucional. Este estudo contribui para proposição de um modelo de difusão de Zn em GaSb que envolve a difusão dissociativa e um mecanismo de difusão por formação de complexos / Abstract: The diffusion of zinc in gallium antimonide was studied and a model to this diffusion was proposed, based in our experimental results compared with the solution of the transport equation of impurity. The purpose of this study was the fabrication of optic-electronic devices. The variation of junction depth as a function of time and temperature of the diffusion was investigated in order to determine the diffusion coefficient and activation energy. The variation of acceptor concentration with the depth of diffused layer was investigated too. The experimental profiles of concentration were compared with those obtained from analytic solution of Transport Equation. We assume that the effective diffusion coefficient is dependent on the impurity concentration (Zn) and that this dependence is explained by power simple law in n = 1 or 2 or 3, depending upon the charge state of interstitial and substitutional zinc atom. This study contributes to the proposal of diffusion model of Zn in GaSb which involves the dissociative diffusion and a mechanism of diffusion by complex formations / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Determinação de galio com rodamina B um metodo simples

Queiroz, Roldão Roosevelt Urzedo de 19 July 2018 (has links)
Orientador : Matthieu Tubino / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-19T03:20:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Queiroz_RoldaoRooseveltUrzedode_M.pdf: 2320941 bytes, checksum: 21b4159ff67b74e08a4af175332cd2e2 (MD5) Previous issue date: 1981 / Mestrado
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Preparação e caracterização de materiais mesoporosos contendo ferro e/ou gálio

Costa, Lilian Sacramento 07 June 2013 (has links)
Submitted by LIVIA FREITAS (livia.freitas@ufba.br) on 2016-06-08T19:26:10Z No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO LILIAN SACRAMENTO COSTA.pdf: 4951750 bytes, checksum: 594e8562bb6f46a7bae69de75ca93aa2 (MD5) / Approved for entry into archive by LIVIA FREITAS (livia.freitas@ufba.br) on 2016-06-20T18:51:56Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO LILIAN SACRAMENTO COSTA.pdf: 4951750 bytes, checksum: 594e8562bb6f46a7bae69de75ca93aa2 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-06-20T18:51:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTAÇÃO LILIAN SACRAMENTO COSTA.pdf: 4951750 bytes, checksum: 594e8562bb6f46a7bae69de75ca93aa2 (MD5) / Uma classe promissora de catalisadores alternativos é constituída por sólidos mesoporosos do tipo MCM-41, que apresentam uma estrutura porosa altamente ordenada e elevadas áreas superficiais específicas, favorecendo uma elevada dispersão da fase ativa. Essas características contribuem para o alto potencial desses sólidos em aplicações como adsorventes, catalisadores e suportes catalíticos. Além disso, a peneira molecular MCM-41 contém grupos silanóis na superfície de seus canais, permitindo a incorporação de espécies reativas dos metais, através da reação com esses grupos. Por isso, metais como ferro e gálio, podem ser introduzidos na estrutura ou na superfície da MCM-41. Por causa dessas propriedades, esses materiais têm sido amplamente estudados como suportes de catalisadores para a síntese de hidrocarbonetos. Visando a encontrar catalisadores alternativos para a síntese do estireno, através da desidrogenação do etilbenzeno, neste trabalho foram preparados catalisadores baseados em ferro e/ou gálio suportados em MCM-41. O estireno é um monômero de alto valor comercial, usado na manufatura de vários polímeros, resinas e borrachas. As amostras foram preparadas por impregnação de nitrato de ferro e de gálio na MCM-41 e caracterizados por termogravimetria, espectroscopia no infravermelho com transformada de Fourier, análise química, difração de raios X, medida da área superficial específica e porosidade, redução à temperatura programada e microscopia eletrônica de varredura. Todas as amostras apresentaram a estrutura hexagonal típica do material mesoporoso MCM-41, indicando que a incorporação de ferro e/ou de gálio não alterou a estrutura de suporte. Nenhum composto de ferro ou de gálio foi detectado por difração de raios X, sugerindo que eles estão bem dispersos no suporte. O material mesoporoso do tipo MCM-41 mostrou alta área superficial específica (1148 m2.g-1), que diminuiu devido à presença de ferro e de gálio, variando na faixa de 493-804 m2.g-1; este efeito aumentou com o teor dos metais. Além disso, o suporte dificultou a redução de compostos de ferro e de gálio. Devido às suas áreas superficiais específicas elevadas, bem como à sua resistência à redução, estes materiais são catalisadores alternativos promissores para a desidrogenação do etilbenzeno, podendo substituir os catalisadores comerciais, que são tóxicos e prejudiciais para os seres humanos e para o ambiente
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Crescimento epitaxial de GaAs pela Tecnica Movpe

Maia, Izaque Alves 14 July 2018 (has links)
Orientador : Ines Joekes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-14T17:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Maia_IzaqueAlves_M.pdf: 13797451 bytes, checksum: 43aec3ddc8a6469ebf5462d910e4e172 (MD5) Previous issue date: 1988 / Mestrado
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Estudo da síntese de zeólitas lamelares contendo átomos de alumínio, boro e gálio /

Catuzo, Gabriel Liscia. January 2016 (has links)
Orientador: Leandro Martins / Banca: Regina Célia Galvão Frem / Banca: Dilson Cardoso / Resumo: Glycerol is the major by-product of biodiesel production. This organic compound has received much attention in recent years due to its growing supply, which has easily surpassed the demand. Therefore, there is a relevant necessity to find a destination for this product. Dehydration reaction is one of the most interesting and challenging routes, which produces acrolein in the presence of an acid catalyst. In order to have a catalytic dehydration of glycerol with high conversion and acrolein selectivity, it's important to develop an efficient acid catalyst. This outlook will be achieved from the coherent combination of several physicochemical characteristics of the catalyst, such as suitable acid strength and porosity. With respect to acidity control, the isomorphous substitution of heteroatoms in zeolite framework may reduce the Brønsted acidity, resulting in decreased coke formation during the catalytic reaction. With respect to porosity, it's possible to obtain hierarchically structured zeolites, which play an important role in molecular diffusion. In this way, the study of the synthesis of MWW and FER lamellar zeolites, incorporated with gallium and boron atoms is proposed. Lamellar zeolites are very interesting materials because they can be exfoliated, enhancing accessibility to active sites. The MWW and FER zeolites were synthesized with boron, aluminum and gallium atoms. The XRD patterns of the samples show that different heteroatoms induce the formation of different cry... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: O glicerol, coproduto da reação de transesterificação da síntese do biodiesel, tem recebido muita atenção nos últimos anos devido a sua ascendente oferta, que tem facilmente superado a sua demanda. Surge, portanto, a necessidade de se encontrar uma destinação adequada a este produto como forma de melhor aproveitamento e também para agregar valor à cadeia produtiva do biodiesel. A desidratação é uma das rotas mais interessantes e desafiadoras, a qual produz acroleína na presença de um catalisador ácido. Para que a reação catalítica de desidratação do glicerol ocorra com alta conversão e seletividade à acroleína, há a necessidade de desenvolvimento de um catalisador ácido eficiente. Isto ocorrerá a partir da combinação de várias características físico-químicas adequadas do catalisador, tais como a força ácida e a porosidade. Com relação ao controle da acidez, há a possibilidade de substituição isomórfica de heteroátomos que diminuem a acidez de Brønsted, o que poderia resultar na diminuição da formação de coque durante a reação e, consequentemente, em um melhor desempenho catalítico. Com relação à porosidade, há a possibilidade de se obter uma zeólita hierarquicamente estruturada, característica importante para solução das limitações difusionais do glicerol que apresenta diâmetro cinético da mesma ordem de grandeza dos poros das zeólitas. Desta forma, é proposto o estudo da síntese das zeólitas lamelares MWW e FER, incorporadas com átomos de gálio e boro. As zeólitas lamelares... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre
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Investigação das propriedades ópticas, morfológicas e elétricas da heterojunção SnO2:Ce3+/GaAs /

Machado, Diego Henrique de Oliveira. January 2016 (has links)
Orientador: Luís Vicente de Andrade Scalvi / Banca: Dayse Iara dos Santos / Banca: Anrea Simone Stucchi de Camargo / O Programa em Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Este trabalho apresenta o desenvolvimento e algumas conclusões do estudo de heterojunção de filmes finos de SnO2 e GaAs. Os filmes de SnO2 dopados com Ce3+, foram depositados a partir do método sol-gel usando as técnicas de dip e spin coating; os filmes de GaAs foram depositadas por evaporação resistiva e por sputtering. As heterojunções foram constituídas de filmes de SnO2 sobre filmes de GaAs, e filmes de GaAs sobre filmes de SnO2. Foram investigadas as propriedades ópticas, estruturais, morfológicas e elétricas de filmes finos constituintes das heterojunções e também a influência do dopante Ce3+. Entre os experimentos realizados estão: transmitância óptica, difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), microscopia óptica, microscopia de força atômica (AFM), fotoluminescência e medidas elétricas na presença de excitações com diferentes fontes de luz monocromáticas (quarto harmônico do laser Nd:Y AG (266nm), laser He-Ne (628nm), LED InGaN (450nm)). Entre as principais conclusões, verificou-se: 1) em algumas situações, condutividade independente da temperatura, sugerindo a participação de um gás de elétrons bidimensional (2DEG) na interface SnO2/GaAs; 2) o tamanho dos cristalitos, calculado a partir das análises de difração de raios X, fornece valores da ordem de 10 nm tanto para filmes de SnO2 como para filmes de GaAs; 3) a energia de bandgap, avaliada com base em dados de medidas de absorbância, fornece um valor máximo de 3,6 eV para filmes de dióxido de estanho e 1,6eV para filmes de GaAs; 4) MEV e microscopia óptica de para filmes de GaAs (depositado por evaporação resistiva e sputtering) apresentam sua superfície heterogênea, com partículas de variados tamanhos. Além disso, a aderência de filmes de SnO2 sobre filmes de GaAs está relacionada com a técnica utilizada para depositar os filmes da camada de base, o melhor resultado foi obtido quando a camada é a GaAs... / Abstract: The aims of this work is to present the development and the main conclusion, related the investigation of thin film SnO2/GaAs. Os filmes de SnO2/GaAs heterojunction. Ce3+ - doped SnO2 thin films were deposited by the sol-gel-dip -spin coating techniques, whereas GaAs films were deposited by resistive evaporation and sputerring. Heterojunctions were deposited by SnO2 layer growth on the oppositive order: GaAs on top of SnO2 Optical, structural, morphologic and electrical properties of heterojunction films were investigated, as well as the influence of Ce-doping in these measurements. Experiments carried out include: optical transmission, X-ray diffraction, scanning eletron microscopy (SEM), optical microscopy, atomic force microscopy (AFM), photoluminescence and electrical measurement under optical excitation. In this last case the excitation sources are monochromatic light from the fouth harmonic of a Nd:YAG laser (266nm), a He-Ne laser (628nm) and a InGaN LED (450nm). Among the main conclusions, it was verified that: 1) in some situations, a temperature independent electrical resistivity was observed and attributed to the possible formation of a two-dimensional electron gas (2DEG) at SnO2/GaAs interface; 2) crystalline size was calculated from X-ray diffraction data, being about 10 nm either for SnO2 films as GaAs films; 3) bandgap energy, evaluated from absorbance data yield a maximum value of about 3.6eV for tin dioxide and 1.6eV for GaAs films; 4) SEM images, obtained for GaAs thin films deposited by resistive evaporation and for the heterojuntion SnO2/GaAs, and optical microscopy, for sputtering deposited GaAs films and heterojunction samples, show that GaAs films present an heterogeneous surface, with particles of several distinct sizes. Besides, the adherence of SnO2 films on the GaAs layer is related to the used technique for deposition the base layer, being better in the case of resistive evaporation deposited GaAs. This was... / Mestre
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Sensor Hall de GaAs por implantação de ions

Maricato, Efeso Francisco de Melo 18 December 2000 (has links)
Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-28T13:25:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Maricato_EfesoFranciscodeMelo_M.pdf: 5710050 bytes, checksum: 922d33a93b7944d93f66aff4dde18594 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Neste trabalho projetamos, fabricamos e caracterizamos sensores magnéticos de efeito Hall. Realizamos um estudo sobre os princípios físicos envolvidos e figuras de mérito dos sensores (Tensão Hall, Sensibilidade, Tensão offset, Linearidade, Ruído e Coeficiente de temperatura) e, então, projetamos sensores Hall de várias geometrias, obtendo dispositivos com diferentes sensibilidades. Fabricamos estes dispositivos em camadas ativas de diferentes espessuras e dopagens com o objetivo de estudar o efeito destas variáveis na sensibilidades e linearidade dos dispositivos. O processo de fabricação desenvolvido é compatível com o processo de fabricação de transistores MESFET. Após o projeto dos sensores e processo de fabricação, fabricamos 5 níveis de máscaras através de um equipamento de feixe de elétrons. As camadas ativas foram obtidas por duas diferentes técnicas: implantação de íons e crescimento epitaxial. As regiões ativas implantadas foram dopadas com íons de 'SI POT. + SOB. 29¿ e a camada epitaxial dopada com silício, de modo que a concentração de portadores na camada ficasse na ordem de 1,0 x ¿10 POT. 17¿ 'CM POT. 3¿ e a espessura entre 0,2 - 0,5 'MU¿m. Após o encapsulamento dos dispositivos, caracterizamos os sensores com polarização de 1 - 7 mA e indução magnética entre O - 1,2 T (tesla). Os sensores fabricados apresentaram alta sensibilidade (88 - 820 V/A.T), tensão offset esperada e alta linearidade. Propomos alguns estudos sobre melhorias do processo de fabricação e sobre circuitos de condicionamento de sinais. ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: In this work we designed, fabricated and characterized Hall-effect magnetic sensors. We studied the involved physical principies and figures of merit of sensors (Hali voltage, Sensitivity, Offset voltage, Linearity, Noise and Temperature coefficient) and, then, we designed Hall sensors of different shapes, obtaining devices with different sensitivities. We fabricated these devices in active layers of different thicknesses and doping levels with the objective to study the effect of these variables on the sensitivity and linearity of the devices. The developed process is compatible with the fabrication process of MESFET transistors. After the design of the sensorsand the process,we fabricateda set of 5 levels of masks through an electron-beam equipment. The active layers have been obtained by two different techniques: ion implantation and epitaxial growth. The implanted active regions have been doped with ions of 'SI POT. + SOB. 29¿ and the doped epitaxial layer with silicon, so that the concentration of carriers in the layer was of the order of 1,0 x ¿10 POT. 17¿¿CM POT. 3¿ and the thickness between 0.2 - 0.5 'MU¿m.After the packaging of the devices, we characterized the sensors with current bias of 1 - 7 mA and magnetic induction between O - 1.2 T (tesla).The fabricated Hall sensors presented high sensitivity (88 - 820 V/A.T), low offset voltage and high linearity. Based on the results, some additional studies on improvements on the fabrication process and the signal conditioning circuits are suggested. ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

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