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Interface Control of AlGaN/SiC Heterojunction and Development of High-Current-Gain SiC-Based Bipolar Transistors / AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第16862号 / 工博第3583号 / 新制||工||1541(附属図書館) / 29537 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/157593
Date26 March 2012
CreatorsMiyake, Hiroki
Contributors木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 浅野, 卓, 三宅, 裕樹, ミヤケ, ヒロキ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により要旨・本文は2012-09-26に公開

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