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Herstellung anwendungsbezogener SiO2-Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch RIE und ICP-Prozesse.

Herstellung anwendungsbezogener SiO2-
Grabenstrukturen im sub-μm-Bereich durch
RIE und ICP-Prozesse.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:swb:ch1-200600953
Date15 June 2006
CreatorsSchäfer, Toni
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Maschinenbau, Leibniz-Institut für Festkörper und Werkstoffforschung Dresden,, Dr.-Ing. Ingolf Mönch, Prof Thomas Geßner, Dr.-Ing. Andreas Bertz, Dr.-Ing. Ingolf Mönch
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis
Formatapplication/pdf, text/plain, application/zip

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