In der vorliegenden Arbeit wird der Punktdefekthaushalt von Galliumarsenid-Einkristallen mit unterschiedlichen
Dotierungen untersucht. Es wird gezeigt, in welcher Weise die Konzentration der einzelnen
Punktdefekte von der Konzentration der Dotierstoffe, der Stöchiometrieabweichung und der Lage
des Ferminiveaus abhängen. Dazu dienen die Ergebnisse der meßtechnischen Charakterisierung einer
großen Anzahl von Proben, bei deren Herstellung diese Parameter gezielt variiert wurden.
Der Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Entwicklung von Modellen, die eine quantitative Beschreibung
der experimentell untersuchten elektrischen und optischen Eigenschaften von Galliumarsenid-
Einkristallen ausgehend von den Punktdefektkonzentrationen erlauben. Da aus Punktdefekten
Ladungsträger freigesetzt werden können, bestimmt ihre Konzentration maßgeblich die Ladungsträgerkonzentration
in den Bändern. Im ionisierten Zustand wirken Punktdefekte als Streuzentren für freie
Ladungsträger und beeinflussen damit die Driftbeweglichkeit der Ladungsträger. Eine thermodynamische
Modellierung der Punktdefektbildung liefert Aussagen über die Gleichgewichtskonzentrationen
der Punktdefekte in Abhängigkeit von Dotierstoffkonzentration und Stöchiometrieabweichung. Es
wird gezeigt, daß die bei Raumtemperatur beobachteten elektrischen Eigenschaften der Kristalle aus
der kinetischen Hemmung von Prozessen folgen, über die die Einstellung eines thermodynamischen
Gleichgewichts zwischen den Punktdefekten vermittelt wird.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18855 |
| Date | 10 December 2007 |
| Creators | Kretzer, Ulrich |
| Contributors | Richter, Frank, Alt, Hans-Christian, Jantz, Wolfgang, Technische Universität Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:doctoralThesis, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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