Return to search

A Study on Plasma Process-Induced Defect Creation in Si-Based Devices / シリコン系デバイスにおけるプラズマプロセス誘起欠陥生成に関する研究

京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第24580号 / 工博第5086号 / 新制||工||1974(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 江利口 浩二, 教授 土屋 智由, 教授 平方 寛之 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/283699
Date23 March 2023
CreatorsSato, Yoshihiro
Contributors佐藤, 好弘, サトウ, ヨシヒロ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation

Page generated in 0.0017 seconds