Supersaturated substitutional alloys formed by ion implantation and rapid liquid-phase epitaxial regrowth induced by pulsed-laser annealing have been studied using Rutherford-backscattering and ion-channeling analysis. A series of impurities (As, Sb, Bi, Ga, In, Fe, Sn, Cu) have been implanted into single-crystal (001) orientation silicon at doses ranging from 1 x 10^15/cm2 to 1 x 10^17/cm2. The samples were subsequently annealed with a Ω-switched ruby laser (energy density ~1.5 J/cm2, pulse duration 15 x 10-9 sec). Ion-channeling analysis shows that laser annealing incorporates the Group III (Ga, In) and Group V (As, Sb, Bi) impurities into substitutional lattice sites at concentrations far in excess of the equilibrium solid solubility. Channeling measurements indicate the silicon crystal is essentially defect free after laser annealing. The maximum Group III and Group V dopant concentrations that can be incorporated into substitutional lattice sites are determined for the present laser-annealing conditions. Dopant profiles have been measured before and after annealing using Rutherford backscattering. These experimental profiles are compared to theoretical model calculations which incorporate both dopant diffusion in liquid silicon and a distribution coefficient (k') from the liquid. It is seen that a distribution coefficient (k') far greater than the equilibrium value (k0) is required for the calculation to fit the experimental data. In the cases of Fe, Zn, and Cu, laser annealing causes the impurities to segregate toward the surface. After annealing, none of these impurities are observed to be substitutional in detectable concentrations. The systematics of these alloys systems are discussed.

La supraconductivité dans la famille des composés de type fermions lourds tel le CeCoIn5 se développe à proximité d’une instabilité antiferromagnétique. La proximité de cette instabi- lité indique un point quantique critique (anglais pour ”quantum critical point” QCP) entre la phase antiferromagnétique et un liquide de Fermi. À ce point, les deux états fondamentaux du système sont en compétition et peuvent être perturbés par une variation de la pression ou de la composition chimique. Dans cette proposition, nous étudions la réciprocité entre les deux méthodes de perturbation du point quantique critique. Pour ce faire, on change la composition chimique du CeCoIn5 en dopant le cristal avec des atomes d’ytterbium qui prennent la place du cérium dans la structure. La substitution de certains atomes de cérium par de l’ytterbium est équivalent électroniquement à enlever un électron de la couche 4f car l’ytterbium est bivalent dans la structure CeCoIn5 . Ainsi, on détruit des moments magné- tiques dans le réseau fortement corrélé de centres de Kondo et pousse le matériau vers la phase antiferromagnétique. Dans la même optique, on utilise un accélérateur de particules pour implanter des atomes d’hélium dans la maille du cristal. Les atomes d’hélium agissent comme une source de pression négative qui dilatent le réseau et réduisent la cohérence entre certaines quasi-particules de Kondo. On propose alors que cette implantation pourrait induire l’ordre antiferromagnétique puisqu’elle favorise l’interaction magnétique longue portée. Dans un premier ordre, on a dopé les échantillons de CeCoIn5 dopé à l'Yb avec une concentration de 5%, 10% et 15%. Tel qu’attendu, suite aux mesures de la chaleur spécifique en fonction de la température, on s’aperçoit que la valeur de la température de transition de phase supraconductrice diminue lorsqu’on augmente le dopage dans le monocristal. On montre ainsi la dépendance entre la concentration de dopant dans le cristal et la destruction inhomogène de l’état corrélé. Lorsqu’on remplace des électrons de l’orbitale 4f par des trous de cette bande, on détruit la cohérence entre les centres de Kondo qui induit la supraconductivité. Cette variation chimique peut être utilisée comme un paramètre de réglage qui favorise le régime de l’interaction magnétique près du QCP. Similairement, suite à une implantation d’atomes d’hélium de 0.1%, 0.5% et 1% des mailles dans les premiers 15 micromètre de CeCoIn5 , on constate que la dilatation du réseau réduit linéairement l’intéraction globale du régime fortement corrélé entre les singulets de Kondo. Cependant, la cohérence entre les centres de Kondo est plus difficile à obtenir, ce qui diminue la température critique (Tc) de la transition de phase supraconductrice. On associe cette diminution de Tc proche d’un QCP à la suppression inhomogène du régime liquide de Fermi. Alors, l’application d’une pression négative par implantation d’hélium est considérée comme un paramètre de réglage qui avantage l’interaction magnétique longue portée et conduit le cristal vers l’ordre AFM. / Superconductivity in the family of heavy fermion compounds such as CeCoIn5 develops near an antiferromagnetic instability. The proximity of this instability indicates a quantum critical point (QCP) between the antiferromagnetic phase and a Fermi liquid ground state. At such a point, the two ground states of the system are in competition and applying pressure or changeing the chemical composition moves the system away from the QCP. In this work, we study the reciprocity between the two methods of perturbation of the QCP. In this sense, the chemical composition of the CeCoIn5 is changed by doping the system with ytterbium atoms, which replace the cerium. The substitution of cerium which is trivalent and carries a magnetic moment atoms by the bivalent ytterbium is electronically and non-magnetic electron of the shell 4f by a hole of the same orbital and removing a magnetic moment. Thus, we destroy magnetic moments causing the Kondo coherence and push the material towards the antiferromagnetic phase. In the same vein, an accelerator is used to implant helium atoms in the lattice of the crystal. Helium atoms act as a source of negative pressure which expands the lattice and which destroys the coherence between certain Kondo singlets. It is then proposed that this implantation should eventually induce antiferromagnetic order since this is favoring the long-range magnetic interaction. First, Ce1−xYbxCoIn5 samples were doped with an Yb concentration of x = 5%, 10% and 15%. As expected, following the measurements of the specific heat as a function of temperature, it is found that the value of the temperature of the superconducting phase transition (Tc) decreases when the level of doping increases in the single crystal. Thus, we conclude that the more electrons in the 4f orbital are replaced by holes of this band, the more we destroy the coherence between the Kondo center which induces superconductivity We also show that this inhomogeneous destruction of the correlated state is linear with the concentration of induced holes in the crystal. we conclude that the more electrons in the 4f orbital are replaced by holes of this band, the more we destroy the coherence between the Kondo center which induces superconductivity. In this sense, this chemical variation used as a tunning parameter favors the magnetic state near the QCP. Similarly, following a helium atom implantation of 0.1%, 0.5% and 1% of the lattices in the first 15 μm of CeCoIn5 , we find that lattice expansion linearly decreases the correlation between Kondo singlets. Thus, the coherence between Kondo centers is more difficult to achieve, which decreases the critical temperature (Tc) towards the superconducting phase transition. This linear decrease of Tc close to a QCP is associated to the suppression of the Fermi liquid regime and thus is expected to lea the crystal to the AFM order. Then, the application of a negative pressure by helium implantation can be considered as a tunning parameter which benefits the long-range magnetic interaction

Call number: LD2668 .T4 1985 K53 / Master of Science

Cette thèse décrit l’incorporation de fer dans l’hétérostructure InGaAsP/InP par implantation ionique à haute énergie (MeV) suivi d’un recuit thermique rapide. L’alliage quaternaire InGaAsP est tout indiqué pour fabriquer des couches photoconductrices qui peuvent absorber dans le proche-infrarouge, à 1.3 µm ou 1.55 µm. Ce procédé vise à développer de nouveaux matériaux de forte résistivité pour l’holographie photoréfractive et la spectroscopie térahertz pulsée. À notre connaissance, cette investigation représente les premiers essais détaillés de l’implantation de fer dans le matériau InGaAsP/InP. Les principaux paramètres de fabrication, tels la fluence d’ions de fer, la température d’implantation et la température de recuit ont été explorés. Les propriétés physiques des matériaux produits ont été étudiées avec des mesures électriques (résistivité et effet Hall avec l’analyse de Van der Pauw), optiques (photoluminescence, absorption et réflectivité différentielle résolue en temps) et structurales (diffraction de rayons X, canalisation de la rétrodiffusion Rutherford et microscopie électronique en transmission). Pour fabriquer des couches à forte résistivité pour des applications holographiques à 1.3 µm, nos résultats ont montré qu’il est préférable d’éviter l’amorce de l’amorphisation lors de l’implantation du quaternaire pour maintenir une bonne qualité cristalline après recuit. Ceci favoriserait une compensation par l’activation du fer comme impureté profonde. Une résistivité de l’ordre de 10[indice supérieur 4] Ωcm est mesurée après recuit. Pour fabriquer des couches à forte résistivité pour des applications de spectroscopie térahertz pulsée à 1.55 µm, nous privilégions l’amorphisation par implantation froide et la recristallisation, ce qui réduit le temps de recombinaison des photoporteurs sous la picoseconde. L’émission d’ondes térahertz par ce matériau est démontrée sur une largeur de bande de 2 THz. L’évidence expérimentale montre la formation d’une microstructure polycrystalline dans la couche d’InGaAsP, ayant une forte densité de fautes planaires et une taille de grains nanométrique qui varient avec la température de recuit, ce qui suggère une connexion avec les propriétés optoélectroniques du matériau.

Résumé : Contexte : L'évaluation des besoins est indispensable à l'élaboration d'un plan d'aide chez les personnes âgées ou handicapées. En France, des changements législatifs laissent entrevoir une harmonisation des pratiques d'évaluation. Le Conseil général de Dordogne a donc décidé d'innover en implantant le SMAF et l'outil informatisé eSMAF dans 11 établissements du secteur médico-social. Le projet s'est déroulé d'octobre 2008 à septembre 2010. Objectifs : Cette étude d'implantation poursuivait trois objectifs : 1) mesurer le degré de mise en oeuvre du SMAF et de ses composantes informatisées; 2) identifier les ajustements faits durant la phase d'implantation et 3) identifier les conditions qui favorisent ou limitent l'utilisation du SMAF. Méthodologie : Le devis de recherche a été élaboré à partir d'un modèle logique adapté intégrant les facteurs stratégiques, organisationnels et individuels pouvant influencer le projet. Une approche par étude de cas associant une méthode mixte pour le recueil des informations et une approche déductive pour l'analyse des données furent utilisée. Le niveau de mise en oeuvre a été mesuré en continu durant la fenêtre d'observation. Les ajustements faits au cours de l'implantation ont été répertoriés. Des entrevues de groupe ont été réalisées avec les intervenants évaluateurs de chaque établissement avant et après l'utilisation du SMAF. Des entrevues individuelles ont été faites avec les acteurs stratégiques et les directions des établissements au terme du projet. Résultats : Au total, 34 des 39 intervenants formés au SMAF ont réalisé des évaluations. Durant la fenêtre d'observation de cinq mois, 1,189 évaluations SMAF sur 2,260 évaluations attendues ont été réalisées. Les services d'aide à domicile ont mis cinq mois supplémentaires pour évaluer tous leurs usagers (n =1536). Un Tableau d'aide individualisé et le Profil Iso-SMAF de chaque usager ont été produits. Les ajustements faits durant l'implantation concernent principalement l'assistance informatique et le soutien clinique. Des facteurs stratégiques, organisationnels et individuels expliquant le niveau d'adhésion des acteurs et le déroulement de l'implantation ont été identifiés. Conclusion : Le SMAF a été implanté avec succès dans les établissements. Au terme du projet, un plan d'action pour l'implantation du SMAF et du eSMAF dans des milieux similaires a été proposé.||Abstract : Background : An evaluation of needs is essential to develop a plan to help the elderly and handicapped people. In France, legal changes suggest harmonization of evaluation practices. The Dordogne General council decided to innovate by implementing the SMAF and the computerized tool eSMAF in 11 organisations of the community health sector. The project took place from October 2008 to September 2010. Objectives: The study pursues three goals: 1) to measure the degree of implementation of the SMAF and its computerized components; 2) to identify the adjustments made during the phase of implementation and 3) to identify the conditions that support or limit the use of the SMAF. Methods: The research design was developed from a logic model incorporating the strategic organizational and individual factors that could influence the project. A case study approach involving a mixed method or collecting information and deductive approach to data analysis were used. The level of implantation was measured continuously during the observation window. Adjustments made during implantation were identified. Focus group interviews were conducted with participants from each institution before and after using the SMAF. Individual interviews were conducted with strategic actors and institution's directors at the end of the project. Results: In total, 34 of the 39 SMAF-trained people conducted evaluations. During the evaluation period of five months, 1.189 out of the 2,260 expected SMAF assessments were carried out. The services of home assistance took five extra months to assess all their users (n = 1536). A synthesis of individualized assistance required and Iso-SMAF individual user's profile was produced. Adjustments made during the implementation mainly concern computer assistance and clinical support. Strategic, organizational and individual factors explaining the level of adhesion and the progress of implementation were identified. Conclusion: The SMAF has been successfully implemented in the targeted institutions. At the end of the project, a plan for implantation of the SMAF and eSMAF in similar environments was proposed.

Au Québec, le programme d'éthique et culture religieuse a influencé les pratiques éducatives des enseignants. (Conseil supérieur de l'éducation, 2003, 2009; Deniger, 2004; Gouvernement du Québec, 1999, 2005). Les réactions lors de son implantation ont stimulé cette analyse sous l'aspect politique, idéologique, organisationnel et pédagogique. Nous cherchions à connaître et comprendre comment les titulaires du primaire se représentent le processus d'implantation du programme ÉCR. Notre méthodologie exploratoire qualitative se fonde sur quatorze entrevues semidirigées dans 4 régions du Québec. Sans être en mesure de généraliser, nos travaux font tout de même ressortir le processus d'implantation d'une innovation scolaire. (Bonami et ai, 1996 ; Cros, 2001). De plus, notre recherche fournit une réflexion sur les facteurs facilitant ou non l'implantation d'un programme scolaire. En effet, la théorie de l'ingénierie de formation, facilite l'analyse des conditions les plus pertinentes à la mise en place d'un changement d'envergure au sein d'une organisation.

published_or_final_version / Orthopaedics and Traumatology / Master / Master of Philosophy

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Cette recherche porte sur les réseaux sociaux d’entreprise. Nous mobilisons la sociologie des usages afin d’étudier les enseignements à tirer de l’implantation d’un réseau social au sein d’une grande entreprise média au Canada, au regard des usages qui se sont développés chez les employés au cours de la première année de déploiement. Nous avons effectué une étude de cas diachronique d’Astral qui a lancé en décembre 2010 son propre réseau social d’entreprise, Astralbook. Ainsi, nous avons analysé les statistiques d’utilisation du site et réalisé deux séries d’entrevues semi-dirigés, en mai et en novembre 2011, auprès de dix employés et d’un gestionnaire. Les résultats révèlent que malgré un engouement initial, l’intérêt pour le réseau social s’est essoufflé et son utilisation s’est considérablement réduite. En cherchant à comprendre les motifs qui sous-tendent les situations de non-usages d’un réseau social d’entreprise, nous avons pu approfondir les connaissances entourant le non-usage des technologies de communication.