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Análise de biestabilidade óptica utilizando cristal de 'LiNbOIND.3'

Édy Carlos Monteiro 01 January 1994 (has links)
Esta tese aprsenta a analise de biestabilidade optica em dispositivos volumetricos que utilizam cristais de ';LiNbOIND.3'; comomaterial eletro-optico linear. Dispositivos biestaveis envolvendo interferometros de Michelson e modulador optico de amplitude com polarizadores cruzados foram analisados e implementados. As potencialidades destes dispositivos na construcao de portas logicas, multivibradores e limitadores opticos foram identificadas experimentalmente. A analise dinamica do modulador de amplitude contendo uma malha de realimentacao com tempo de atraso elevado foi desenvolvida de forma criteriosa. Neste dispositivo o tempo de atraso elevado foi obtido atraves da utilizacao de onda acustica. Esta opcao permite ajustar o tempo de atraso de forma muito pratica e simples. Os resultados experimentais permitiram identificar o comportamento dinamico desde um regime de estabilidade ate o regime caotico. Os resultados experimentais apresentam concordancia satisfatoria com previsoes teoricas.
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Estudo, projeto e desenvolvimento de um dispositivo opto-eletrônico para determinar pequenas variações angulares de um feixe laser

Wilfredo Milquiades Irrazabal Urruchi 01 March 1992 (has links)
Apresenta-se o projeto, calibração e exemplos de aplicações de um dispositivo para medir pequenas deflexão angulares. Este dispositivo se baseia na variação do coeficiente de reflaxão interna da luz em um prisma. Os cálculos mostram que esse sistema apresenta uma grande sensibilidade sendo, pois apto à medida de pequenos ângulos como no caso do efeito mirage. A sensibilidade do sistema é da ordem de 10 - 10 radianos. A calibração do mesmo foi feita utilizando uma célula acústico-ótica. Propõe-se aplicações mais amplas como a construção de um espectrômetro de absorção.
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\"Início de operação e caracterização do sistema injetor do Mícrotron do IFUSP\" / Commissioning of the injector system of the IFUSP Microtron

Silva, Tiago Fiorini da 08 December 2006 (has links)
Neste trabalho apresentamos o início de operação do sistema injetor do Mícrotron do IFUSP. São apresentados estudos inéditos do tratamento de desalinhamentos tanto de uma única lente quanto de um conjunto delas. As lentes magnéticas deste estágio foram alinhadas com precisão melhor que 0,18 mm. Estabelecemos um sistema de aquisição de imagens do feixe e com ele fizemos medidas da emitância, cujo valor foi determinado em (2,32 ± 0,05) pi.mm.mrad, independentemente da tensão de aceleração no canhão de elétrons, devido à limitação imposta pelo colimador da entrada do chopper. / In this work we present the commissioning of the IFUSP Microtron injector system. We developed a new method to treat misalignments on a single lens as well as in a group of them. We installed an image acquisition system to acquire beam images from the fluorescent screen monitor. Emittance was measured and found to be (2,32 ± 0,05) pi.mm.mrad, independently of the beam energy, showing the limitation imposed by the collimator placed at the entrance of the chopper cavity.
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Sistemas poliméricos semicondutores para aplicação como camada ativa em LED. / Polymer semiconductors systems for application as active layer in led.

Oide, Mariane Yuka Tsubaki 07 February 2019 (has links)
Diodos poliméricos emissores de luz (PLEDs) foram produzidos utilizando poli(vinil-carbazol) (PVK), poli(2,7-(9,9-dioctilfluoreno)) (PFO) e poli((1,4-fenileno-2-flúor)-alt-2,7-(9,9-dioctilfluoreno)) (PFPF) dopados com diferentes concentrações de dopante fosforescente tris(2-fenilpiridinato) de irídio(III) [Ir(ppy)3] como camada ativa. Os resultados mostraram que o dispositivo a base de PFO dopado com 4% em massa de Ir(ppy)3 apresentou as maiores eficiências de corrente e de potência luminosa e o espectro eletromagnético do PLED a base de PVK puro apresentou emissão em 540 nm, sugerindo um desbalanceamento de cargas e emissão do óxido de zinco dopado com alumínio (AZO), camada injetora. Assim, estudos da influência da massa molar média do PVK e de sistemas híbridos PVK:AZO nas propriedades elétricas e ópticas dos PLEDs foram elaborados. Resultados mostraram que o AZO possui propriedades foto/eletroluminescentes e é responsável pela emissão larga na região do visível. Os dispositivos híbridos apresentaram emissão próxima ao branco puro, atingindo-se uma pureza de 0,19. / Polymer light emiting diodes (PLEDs) were manufactured using poly(9-vinylcarbazole) (PVK), poly(9,9-dioctylfluorene) (PFO) and poly(9,9-dioctylfluorene-alt-1,4-fluorphenylene) (PFPF) doped with different concentrations of tris-(2-phenylpyridinate) iridium(III) [Ir(ppy)3],a phosphorescent dye, as the active layer. Results showed that PFO based devices doped with 4 wt. % of Ir(ppy)3 presented the highest current and power efficiencies, and the PVK based devices\' electroluminescence spectrum showed an emission centered at 540 nm, suggesting that a charge unbalance and light emission from the injection layer of aluminum doped zinc oxide (AZO) occurred. Therefore, studies based on the PVK:AZO system and different PVK\'s average molar masses were elaborated to observe the PLEDs\' electrical and optical properties. Results showed that AZO is a photo/electroluminescent material and it is responsible for the broad emission in the visible range. The hybrid device showed near pure white light emission and its purity reached 0.19.
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Análise de filtros de microondas não-recursivos implementados com tecnologia fotônica.

Carla de Sousa Martins 26 February 2009 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo teórico detalhado acerca das principais características de algumas arquiteturas de filtros de microondas não-recursivos implementados com tecnologia fotônica, contemplando ainda uma demonstração experimental. São apresentados os conceitos fundamentais de processamento óptico de sinais de microondas, levando-se em consideração que o filtro de microondas optoeletrônico pode ser modelado como um dispositivo de três estágios: um estágio de entrada, composto por uma ou mais fontes ópticas e um dispositivo modulador, um subsistema totalmente óptico e um estágio de saída que corresponde ao processo de fotodetecção. Em seguida são apresentados os conceitos fundamentais de alguns dispositivos fotônicos básicos que permitem a implementação de cada um desses estágios. Com relação ao estágio de entrada, uma ênfase especial foi dada aos fundamentos de modulação eletroóptica, destacando-se moduladores de fase, de polarização e de intensidade tipo Mach-Zehnder. Com relação ao segundo estágio, a unidade de processamento óptico, foram apresentados modelos matemáticos básicos referentes a linhas de retardo ópticas dispersivas e fibras mantenedoras de polarização (PM). A modelagem do estágio de saída foi simplificada por se considerar apenas o processo de detecção direta. Baseando-se nesta compreensão, as figuras de mérito relevantes e os possíveis fatores de limitação de desempenho foram investigados e apresentados. Quatro arquiteturas de filtros de microondas optoeletrônicos, sendo duas baseadas em linhas dispersivas e duas em fibras PM, são analisadas teoricamente e matematicamente, obtendo-se para cada uma delas expressões para as respectivas curvas de resposta em freqüência. Diversas simulações numéricas são efetuadas, identificando as características gerais de empregabilidade de cada arquitetura de filtro teoricamente analisada. Também é realizada a demonstração experimental de um filtro de microondas optoeletrônico de segunda ordem, baseado em modulador Mach-Zehnder, um diodo laser operando em 1300 nm e 300 m de fibra PM, revelando a resposta em freqüência de um filtro passa-baixa operando na banda L de radiofreqüência com um período espectral (FSR) de 1652,9 MHz, largura de banda de 3-dB igual a 823,5 MHz e uma faixa dinâmica devida à compressão de ganho (CDR) melhor que 112 dB.Hz. Por último são tecidas diversas conclusões acerca de todo o trabalho apresentado e são também apresentadas sugestões para trabalhos futuros na linha de pesquisa de filtros de microondas optoeletrônicos.
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Aplicação da abordagem de domínio espectral para análise de moduladores eletroópticos integrados.

Cláudio Kitano 00 December 2001 (has links)
Na tese apresenta-se a aplicação da Abordagem de Domínio Espectral para o estudo de moduladores eletroópticos integrados com substratos estratificados. As configurações dos moduladores utilizam estruturas de microondas do tipo ondas caminhantes, com seção transversal limitada por paredes condutoras. Os substratos são constituídos por material eletroóptico e camadas dielétricas isotrópicas. A rede de eletrodos planos, utilizada para configurar o campo de modulação, é posicionada em uma interface apropriada do substrato estratificado, e os guias ópticos do tipo canal, estão localizados na camada eletroóptica. A modelagem da interação eletroóptica, para um modulador faixa larga, deve levar em consideração as características de propagação do sinal óptico e do campo elétrico de modulação. Para os guias ópticos obtém-se uma representação análitica para o campo óptico, aplicando-se hipóteses simplificadoras. Por outro lado, o estudo do campo elétrico de modulação, levando-se em consideração os efeitos de dielétricos em multicamadas, da rede de eletrodos com assimetria geométrica e da blindagem elétrica, é realizado através do método de Abordagem de Domínio Espectral. A formulação desenvolvida é aplicada para moduladores com substratos cujos eixos cristalinos são orientados arbitrariamente em relação aos geométricos. Contudo, ênfase especial especial é dedicada aos moduladores que utilizam CPS e CPW com substratos de LiNbO3 ou LiTaO3, com cortes -Z ou -X e buffer-layer de SiO2, por apresentarem grande importância prática. Para moduladores com multi eletrodos, que utilizam um modo de propagação dominante quase-TEM, é apresentado um modelo fundamentado na representação do sinal de modulação através de uma linha de transmissão equivalente. Leva-se em consideração os efeitos do descasamento entre as velocidades dos sinais óptico e de modulação, e os coeficientes de reflexão nas estremidades dos eletrodos. A largura de faixa e a tensão de meia-onda de moduladores são discutidas em detalhes para diversas configurações de interesse prático.
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Estudos de espelhos dielétricos multicamadas para laser de Nd-YAG.

Luiz Carlos Magalhães Lavras 00 December 1999 (has links)
Foram realizados estudos sobre as propriedades ópticas, através das medidas de índice de refração e coeficiente de absorção, dos materiais pentóxido de tântalo ( Ta2O5 ) e óxido de zircônio ( ZrO2 ), na forma de filmes finos, antes e após tratamento térmico. Os filmes foram produzidos utilizando a técnica de evaporação por feixe de elétrons, com a pressão residual de oxigênio de 1,0.10-4 torr, e a temperatura de 135C, em substrato de vidro BK-7. Foram utilizadas duas técnicas de caracterização óptica: elipsometria e o método de envelope. Também foi utilizada a difração de raios-x de baixo ângulo para medida da espessura dos filmes.
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Moduladores eletroópticos integrados empregando cristais de niobato de lítio.

José Antônio Justino Ribeiro 00 December 1998 (has links)
O emprego de sistemas de transmissão óptica de grande capacidade tem-se ampliado de maneira marcante nos últimos anos. A demanda por uma variedade de serviços tem exigido um aumento na largura de faixa que impõe a modulação do feixe óptico por taxas de bits cada vez mais elevadas. A técnica de modulação externa do feixe óptico tem sido uma solução que permite a comunicação em grandes larguras de faixa, através da tecnologia de óptica integrada. Muitos trabalhos têm sido publicados nos últimos anos, procurando sistematizar os métodos de análise e de projeto destes dispositivos. A comparação entre essas publicações mostra a grande dificuldade encontrada na tentativa de se abordarem os problemas que envolvem sinal modulador de freqüência elevada, transmitido em um guia de ondas que utiliza eletrodos de pequenas dimensões tranversais. Neste trabalho, foi feito um estudo dos principais problemas envolvendo o projeto e a análise de desempenho de moduladores eletroópticos em óptica integrada. Estudou-se a influência dos parâmetros geométricos no comportamento desses dispositivos, salientando-se as grandezas responsáveis pela limitação da largura de faixa em altas freqüências. Desenvolveu-se método de cálculo da distribuição do campo modulador em estruturas de múltiplas camadas dielétricas e múltiplos eletrodos e apresentou-se uma abordagem para cálculo das perdas de potência e das características de dispersão. Esta proposta é considerada mais abrangente do que os métodos comumente encontrados na literatura especializada. A maioria das publicações propõem soluções que se aplicam em algumas situações específicas. Os problemas de perda e de dispersão são avaliados a partir da distribuição do campo gerado pelos eletrodos do modulador integrado, levando-se em conta a influência de suas espessuras na distribuição do campo e nas características de propagação. O desenvolvimento teórico foi realizado para uma estrutura com múltiplos condutores e múltiplos dielétricos, com dimensões arbritárias. O tratamento final foi baseado no guia de ondas coplanar, com o qual se garante a propagação de modo único até uma faixa de freqüências bem elevada, determinadas pela geometria do dispositivo.
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Aplicação de dispositivo multifuncional a óptica integrada em interferômetro de Sagnac a fibra óptica birrefringente.

Vilson Rosa de Almeida 00 December 1998 (has links)
Este trabalho apresenta um estudo da aplicação de dispositivo multifuncional a óptica integrada em interferômetros de Sagnac a fibra óptica birrefringente. Inicia-se com o estudo teórico de fundamentos em óptica necessários à análise de um interferômetro de Sagnac que utiliza um dispositivo eletroóptico com junção em Y, em substrato em LiNbO3, como dispositivo multifuncional. A dependência da função de transferência do interferômetro com o espectro de potência da fonte de radiação óptica, as características de propagação em fibras ópticas birrefringentes e o dispositivo multifuncional, para várias formas de onda de modulação, foram investigadas teórica e experimentalmente. A formulação desenvolvida resulta em uma compreensível referência sobre a tecnologia de óptica integrada e moduladores eletroópticos, provendo a fundamentação necessária para uma profunda, e em alguns casos original, análise de modulação de fase usando formas de onda senoidal, dente de serra, quadrada, triangular e parabólica. A partir dos resultados desta análise, um arranjo experimental, composto de um interferômetro de Sagnac e de um dispositivo multifuncional a óptica integrada em LINbO3, foi implementado e caracterizado. Os resultados experimentais obtidos encontram-se em boa concordância com as previsões teóricas, e ainda, conclui-se que o dispositivo multifuncional em LiNbO3 permite a implementação de técnicas confiáveis na caracterização de interferômetro de Sagnac a fibra óptica e de circuitos eletrônicos de processamento do sinal interferométrico.
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Semiconductors for optoelectronic applications : algaInn alloys for ultraviolet and gesn alloys for infrared photoemission

Felipe Lopes de Freitas 17 December 2015 (has links)
A cluster expansion method combined with Density Functional Theory is used to derive structural properties of quaternary AlGaInN and binary GeSn alloys. The energy gaps for both systems are calculated including quasiparticle effects within the framework of the computationally inexpensive and parameter free DFT-1/2 method. The model developed is able to treat the complexity of semiconductor alloys, which have important application in heterostructures, band gap engineering and lattice constant matching. The transition energy of the effective electronic bands is calculated including statistical disored and compared to spectroscopic measurements. The range of the tunable energy gap of cubic and hexagonal AlGaInN alloys lattice matched to GaN is calculated, together with the direct-indirect gap transition region in the cubic alloy. We also discuss trends for phase separation of GeSn alloys and do not observe any significant indication of decomposition in the binodal-spinodal composition range. It is shown that the oscillator strength of the optical transition in the alloy is considerably higher than that of pure Ge. Results are contextualized in light of applications of AlGaInN alloys for ultraviolet and GeSn alloys for mid-infrared photoemission. Differences and similarities between our model and other calculations in the existing literature are also elucidated.

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