La compréhension du fonctionnement du cerveau est un des défis majeurs des neurosciences. Pour appréhender cet organe in vivo de nombreux dispositifs sont développés, parmi eux l'électroencéphalographie (EEG). L'EEG mesure directement et d’une manière non invasive les signaux du cerveau avec une haute résolution temporelle. L’activation électrique d’une région dans le cerveau est modélisée par un dipôle de courant. Le principal objectif de l’EEG est le suivi de l'activité cérébrale pendant une tâche spécifique et la localisation/reconstruction des dipôles sources dans le cerveau. Il est utilisé à la fois dans la pratique et dans les recherches en neuroscience. Le processus de localisation des sources implique la résolution d'un problème inverse qui nécessite des modèles de la solution du problème direct. Le problème direct concerne la prédiction du potentiel électrique, résultant de l'activité cérébrale, sur le scalp à partir d'une répartition des sources données dans le cerveau. La précision de la localisation des sources dépend largement des performances de la solution du problème direct, qui est liée à la précision du modèle de tête, du modèle des sources ainsi que de la méthode de résolution du problème direct. Actuellement en pratique, pour des raisons de simplicité de calcul et de rapidité, les algorithmes EEG utilisent principalement le modèle de tête sphérique multicouche ou la méthode des éléments de frontière pour résoudre le problème direct. L’amélioration de la résolution en EEG nécessite l’utilisation de modèles de têtes plus réalistes qui prennent en considération d’avantages de paramètres tels que l’inhomogénéité et l’anisotropie des tissus. C’est pour ces raisons que la méthode des éléments finis (FEM) est la mieux adaptée et a attiré l’attention de plusieurs chercheurs. Néanmoins, avec la discrétisation de la FEM, les sources peuvent présenter une singularité numérique, ceci impacte négativement la solution du problème direct. Afin de remédier à ce problème des techniques tel que la méthode directe, la méthode de soustraction et la méthode de Saint Venant sont utilisées pour traiter la singularité. Cependant, toutes ces méthodes montrent des instabilités numériques dans le cas de sources situées à proximité des interfaces des tissus du cerveau. Pour y remédier une amélioration a été apportée à la méthode de Saint Venant au cours de cette thèse. Le rapport donne un aperçu sur l’activité cérébrale, un rappel de la FEM, son application pour la résolution du problème direct en EEG, le traitement de la singularité numérique et des instabilités près des interfaces, puis une présentation de la version modifiée de Saint-Venant, proposée et mise en œuvre dans ce travail. Nous validerons les résultats de la méthode modifiée de Saint-Venant dans des modèles de têtes sphériques multicouches et des modèles à géométries réelles. Pour finir, on testera cette méthode dans les outils et logiciels actuellement utilisés dans la pratique pour la localisation des zones activé dans le cerveau et nous montrerons les améliorations qui peuvent être apportées en utilisant notre approche de la méthode de Saint Venant modifiée. / Understanding the brain functions is one of the major challenges of neuroscience. To apprehend this organ in vivo many devices are developed, among them the electroencephalography (EEG). EEG measures directly and noninvasively the brain signals with high time resolution. The electrical activation of a region in the brain is modeled by a current dipole. The main objective of the EEG is monitoring the brain activity during a specific task and the location/reconstruction of the dipole sources within the brain. It is used both in practice and in research in neuroscience. The source’s localization process consists of solving an inverse problem that requires models of the solution of the direct or forward problem. The forward problem is the prediction of the electric potential on the scalp from a distribution sources in the brain. The accuracy of the source’s localization depends largely on the performance of the forward problem’s solution, which is related to the accuracy of the head model, the source model and the related method used to solve the forward problem. Currently in practice for reasons of computational simplicity and speed, EEG codes use mainly the multilayered spherical head model or the boundary element method for solving the forward problem. Improving the EEG’s source localization requires the use of more realistic head models which take into account more parameters such as inhomogeneity and anisotropy of the tissues. For these reasons the finite element method (FEM) is best suited and attracted the attention of many researchers. Nevertheless, with the FEM discretization, the sources may bring a numerical singularity; this negatively impacts the solution of the forward problem. To treat this problem some techniques such as the direct method, the subtraction method and the method of Saint-Venant are developed. However, all these methods show numerical instabilities in the case from sources close to the interfaces of brain tissue. To remedy these instabilities a modification was made on the Saint-Venant’s method. The report provides an overview on brain activity, a reminder of the FEM, its application for solving the forward problem in EEG, processing to treat the numerical singularity of the source and the instability near interfaces using the modified method of the Saint-Venant. We validate the results of the modified Venant’s method in models of multilayered spherical head and models with real geometries. Finally, we will test this approach in tools and software currently used in practice for locating areas activated in the brain and shows the improvements that can be made using the method of modified Saint-Venant.

In this work we investigate some aspects of the physics of strongly correlated systems by taking into account both electron-electron and electron-phonon interactions as basic mechanisms for reproducing electronic correlations in real materials. The relevance of the electron-electron interactions is discussed in the first part of this thesis in the framework of a self-consistent theoretical approach, named Composite Operator Method (COM), which accounts for the relevant quasi-particle excitations in terms of a set of composite operators that appear as a result of the modification imposed by the interactions on the canonical electronic fields. We show that the COM allows the calculation of all the relevant Green s and correlation functions in terms of a number of unknown internal parameters to be determined self-consistently. Therefore, depending on the balance between unknown parameters and self-consistent equations, exact and approximate solutions can be obtained. By way of example, we discuss the application of the COM to the extended t-U-J-h model in the atomic limit, and to the two-dimensional single-band Hubbard model. In the former case, we show that the COM provides the exact solution of the model in one dimension. We study the effects of electronic correlations as responsible for the formation of a plethora of different charge and/or spin orderings. We report the phase diagram of the model, as well as a detailed analysis of both zero and finite temperature single-particle and thermodynamic properties. As far as the single-band Hubbard model is concerned, we illustrate an approximated self-consistent scheme based on the choice of a two-field basis. We report a detailed analysis of many unconventional features that arise in single-particle properties, thermodynamics and system's response functions. We emphasize that the accuracy of the COM in describing the effects of electronic correlations strongly relies on the choice of the basis, paving the way for possible multi-pole extensions to the two-field theory. To this purpose, we also study a three-field approach to the single-band Hubbard model, showing a significant step forward in the agreements with numerical data with respect to the two-pole results. The role of the electron-phonon interaction in the physics of strongly correlated systems is discussed in the second part of this thesis. We show that in highly polarizable lattices the competition between unscreened Coulomb and Fröhlich interactions results in a short-range polaronic exchange term Jp that favours the formation of local and light pairs of bosonic nature, named bipolarons, which condense with a critical temperature well in excess of hundred kelvins. These findings, discussed in the framework of the so-called polaronic t-Jp model, are further investigated in the presence of a finite on-site potential U, coming from the competition between on-site Coulomb and Fröhlich interactions. We discuss the role of U as the driving parameter for a small-to-large bipolaron transition, providing a possible explanation of the BEC-BCS crossover in terms of the properties of the bipolaronic ground state. Finally, we show that a hard-core bipolarons gas, studied as a charged Bose-Fermi mixture, allows for the description of many non Fermi liquid behaviours, allowing also for a microscopic explanation of pseudogap features in terms of a thermal-induced recombination of polarons and bipolarons, without any assumption on preexisting order or broken symmetries.

Les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées Fe/MgO/Fe(001) présentent des comportements remarquables dans la limite des faibles ou des fortes épaisseurs de MgO. Ainsi, dans le premier cas, une interaction antiferromagnétique entre les deux couches de fer est observée ; dans le second, des effets de filtrage en symétrie conduisent à l?obtention de fortes valeurs de magnétorésistance. Les expériences réalisées au cours de cette thèse visent à étudier et mettre en relation ces deux régimes de propriétés extrêmes. Des analyses en tension et en température nous permettent d?étudier les conséquences d?une modulation de la structure cristalline des électrodes et/ou de l?interface sur le transport polarisé en spin. Dans ce cadre, nous nous intéressons à trois systèmes : des jonctions hybrides Fe/MgO(001)/CoFeB, où l?électrode de CoFeB est déposée par pulvérisation cathodique puis cristallisée in situ, des jonctions Fe/MgO/Fe à texture (001), ainsi que des jonctions Fe/MgO/Fe monocristallines présentant une rugosité artificielle à l?interface barrière/électrode. Le couplage antiferromagnétique dans des systèmes Fe/MgO/Fe(001) à barrière fine est étudié grâce à des mesures de magnétométrie sur la gamme de température [5 K ; 500 K]. Nous considérons aussi l?effet de modifications structurales et/ou chimiques de l?interface par le biais de l?introduction d?une rugosité contrôlée ou d?un contaminant. Les résultats les plus originaux de cette thèse sont obtenus grâce à l?introduction d?une rugosité artificielle à l?interface Fe/MgO ; contre toute attente, ce désordre contrôlé peut en effet augmenter l?effet de magnétorésistance ou l?intensité du couplage antiferromagnétique / Epitaxial magnetic tunnel junctions Fe/MgO/Fe(001) exhibit noteworthy behaviors for both small and large MgO thicknesses. In the first case, a strong antiferromagnetic interaction between Fe layers is observed, whereas symmetry filtering effects occur for large barriers, leading to high TMR values. The aim of the experiments performed during this thesis is to study and link these two behaviors. We consider the effect of a modulation of electrodes and/or interfaces crystalline structure on spin-polarized transport, by means of temperature and voltage analyses. In this framework, we focus on three systems: Fe/MgO(001)/CoFeB hybrid junctions, where the CoFeB electrode is grown by sputtering and in situ recrystallized, textured Fe/MgO/Fe(001) junctions, and finally single crystalline (001)Fe/MgO/Fe junctions with an artificial roughness at the electrode/barrier interface. The antiferromagnetic coupling in epitaxial Fe/MgO/Fe(001) systems with a thin MgO barrier is studied by magnetometry measurements in the [5 K; 500 K] range. We also consider the effect of structural and/or chemical changes resulting from a controlled roughness or a contamination on the coupling. The most interesting results of this thesis are obtained with the introduction of an artificial roughness at the Fe/MgO interface. Unexpectedly, this controlled disorder can improve the magnetoresistance effect or the coupling intensity. In both cases, this result is attributed to a Fe-O hybridization, which emphasizes the role of oxygen in MgO based magnetic tunnel junctions for both behaviors associated with extremely thin or thick barriers

Afin de dépasser la limite d'échelle, il existe une solution innovante qui permet de fabriquer des structures multi-grilles. Ainsi, un NMOSFET composé de trois grilles indépendantes fabriquées dans la technologie CMOS. En dehors de leur forme, géométrique, le transistor multi-grille est similaire à une structure classique. Une multi-grille NMOSFET peut être fabriquée par l'intégration de tranchées de polysilicium. Ces tranchées sont utilisées dans diverses applications telles que les mémoires DRAM, électronique de puissance ou de capteurs d'image. Les capteurs d'image présentent le problème des charges parasites entre les pixels, appelées diaphonie. Les tranchées sont l'une des solutions qui réduisent ce phénomène. Ces tranchées assurent l'isolation électrique sur toute la matrice des pixels. Nous avons étudié ses caractéristiques en utilisant des mesures I-V, méthode du split C-V et de pompage de charge à deux et à trois niveaux. Son multi-seuil caractéristique a été vérifié. Nous n'avons observé aucune dégradation significative de ces caractéristiques grâce à l'intégration des tranchées. La structure a été simulée par la méthode des éléments finis en 3D via le logiciel TCAD. Ses caractéristiques électriques ont été simulées et confrontées avec les résultats obtenus à partir de mesures électriques. La tension de seuil et la longueur de canal effective ont été extraites. Sa mobilité effective et les pièges de l'interface Si/SiO2 ont également été simulés ou calculés. En raison des performances électriques satisfaisantes et d'un bon rendement, nous avons remarqué que ce dispositif est une solution adéquate pour les applications analogiques grâce aux niveaux de tension multi-seuil / One of the recent solutions to overcome the scaling limit issue are multi-gate structures. One cost-effective approach is a three-independent-gate NMOSFET fabricated in a standard bulk CMOS process. Apart from their shape, which takes advantage of the three-dimensional space, multi gate transistors are similar to the conventional one. A multi-gate NMOSFET in bulk CMOS process can be fabricated by integration of polysilicon-filled trenches. This trenches are variety of the applications for instance in DRAM memories, power electronics and in image sensors. The image sensors suffer from the parasitic charges between the pixels, called crosstalk. The polysilicon - filled trenches are one of the solution to reduce this phenomenon. These trenches ensure the electrical insulation on the whole matrix pixels. We have investigated its characteristics using l-V measurements, C-V split method and both two- and three-level charge pumping techniques. Tts tunable-threshold and multi-threshold features were verified. Tts surface- channel low-field electron mobility and the Si/SiO2 interface traps were also evaluated. We observed no significant degradation of these characteristics due to integration of polysilicon-filled trenches in the CMOS process. The structure has been simulated by using 3D TCAD tool. Tts electrical characteristics has been evaluated and compared with results obtained from electrical measurements. The threshold voltage and the effective channel length were extracted. Tts surface-channel low-field electron mobility and the Si/SiO2 interface traps were also evaluated. Owing to the good electrical performances and cost-effective production, we noticed that this device is a good aspirant for analog applications thanks to the multi-threshold voltages

Le contexte général de ce travail est le développement et l'intégration de nouveaux matériaux magnétiques ayant des propriétés originales et d'intérêt potentiel pour la spintronique. En tant que matériau ferromagnétique d’aimantation nulle, le composé Sm1-xGdxAl2 (SGA) suscite un intérêt particulier, puisqu’il est capable, dans son état magnétique compensé, de polariser en spin un courant d’électrons. Dans un premier temps, des expériences de photoémission résolues en angle et en spin sur synchrotron ont permis d’effectuer une analyse précise de la structure électronique selon diverses directions de la zone de Brillouin et d’estimer de manière directe la polarisation de spin au niveau de Fermi du composé SGA. Dans un second temps, une attention particulière a été portée aux multicouches [Co/Pt] et aux JTMs à base de [Co/Pt]. Les multicouches [Co/Pt] constituent la seconde électrode des JTMs à base de SGA. Leurs propriétés magnétiques (en particulier l'anisotropie perpendiculaire et l'aimantation à saturation) ont été soigneusement étudiées en fonction de l'épaisseur de Pt et de la nature de la couche tampon (Pt, MgO ou Al2O3), et en liaison avec leurs caractéristiques structurales. Leur intégration dans des JTMs à base de [Co/Pt] a permis ensuite de remonter d’une part à la polarisation tunnel effective des multicouches [Co/Pt] et d’autre part aux configurations magnétiques des différentes électrodes, configurations parfaitement expliquées et reproduites par des simulations micro-magnétiques. Dans un troisième temps, les résultats de magnéto-transport au sein des JTMs SGA/MgO/[Co/Pt] sont présentés et discutés / The general context of this work is the development and integration of new magnetic materials with original properties of potential interest for spintronic applications. In this field, the Sm1-xGdxAl2 (SGA) compound drives a particular attention, as a zero-magnetization ferromagnet that can exhibit a spin polarization in its magnetic compensated state. In a first step, synchrotron-based angle and spin resolved photoemission spectroscopy experiments have permitted to perform an accurate analysis of the electronic structure along various directions of the Brillouin Zone and to get a direct estimation of the spin polarization at the Fermi level. In a second step, a special attention has been the paid to [Co/Pt] multilayers and to [Co/Pt]-based MTJs. The [Co/Pt] multilayers would constitute the second electrode in SGA-based MTJs. Their magnetic properties (especially the perpendicular anisotropy and the saturation magnetization) have been carefully investigated as a function of Pt thickness and nature of the buffer layer (Pt, MgO or Al2O3), and in close connection with structural characteristics. Their integration in [Co/Pt]-based MTJs has permitted to determine the [Co/Pt] effective tunnel polarization and to unravel the magnetic configurations of both electrodes which are perfectly explained and reproduced by micromagnetic simulations. In a third step, the results concerning the magneto-transport experiments in SGA/MgO/[Co/Pt] MTJs are presented and discussed

A study of three novel solar cells is presented, all of which incorporate a low-dimensional quantum confined component in a bid to enhance device performance. Firstly, intermediate band solar cells (IBSCs) based on InAs quantum dots (QDs) in a GaAs p-i-n structure are studied. The aim is to isolate the InAs QDs from the GaAs conduction band by surrounding them with wider band gap aluminium arsenide. An increase in open circuit voltage (V_OC) and decrease in short circuit current (J_sc) is observed, causing no overall change in power conversion efficiency. Dark current - voltage measurements show that the increase in V_OC is due to reduced recombination. Electroreflectance and external quantum efficiency measurements attribute the decrease in J_sc primarily to a reduction in InGaAs states between the InAs QD and GaAs which act as an extraction pathway for charges in the control device. A colloidal quantum dot (CQD) bulk heterojunction (BHJ) solar cell composed of a blend of PbS CQDs and ZnO nanoparticles is examined next. The aim of the BHJ is to increase charge separation by increasing the heterojunction interface. Different concentration ratios of each phase are tested and show no change in J_sc, due primarily to poor overall charge transport in the blend. V_OC increases for a 30 wt% ZnO blend, and this is attributed largely to a reduction in shunt resistance in the BHJ devices. Finally, graphene is compared to indium tin oxide (ITO) as an alternative transparent electrode in squaraine/ C₇₀ solar cells. Due to graphene’s high transparency, graphene devices have enhanced J_sc, however, its poor sheet resistance increases the series resistance through the device, leading to a poorer fill factor. V_OC is raised by using MoO₃ as a hole blocking layer. Absorption in the squaraine layer is found to be more conducive to current extraction than in the C₇₀ layer. This is due to better matching of exciton diffusion length and layer thickness in the squaraine and to the minority carrier blocking layer adjacent to the squaraine being more effective than the one adjacent to the C₇₀.