Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Les mesures satellitaires de réflectance de télédétection (Rrs) associée à la fluorescence de la chlorophylle-a induite par le soleil (FCIS), notées Rrs,f , sont largement utilisées dans le domaine de l’océanographie converties sous la forme de rendement quantique de la fluorescence (QYF). Le QYF permet de déterminer l’impact de l’environnement sur la croissance du phytoplancton. Tout comme les autres mesures qui reposent sur la luminance montante, le QYF, et donc la Rrs,f , sont influencés par les effets de bidirectionnalité. Ainsi, sachant que la variabilité naturelle du QYF est faible, les biais engendrés par une normalisation inadéquate de la Rrs,f peuvent avoir des impacts importants sur l’interprétation des mesures de QYF à l’échelle planétaire. La méthode actuelle utilisée pour corriger la dépendance angulaire du signal observé dans la bande de fluorescence par le spectroradiomètre imageur à résolution moyenne (MODIS), embarqué à bord du satellite Aqua, repose sur l’application d’une table de correspondance (LUT) développée par Morel et al. (2002). Toutefois, l’approche de Morel et al. (2002) ne tient pas compte du caractère isotrope de la FCIS ce qui induit des biais systématiques sur les mesures de Rrs,f selon la latitude, par exemple. Dans ce mémoire, une nouvelle méthode de calcul de la LUT ayant pour but de réduire ces biais est introduite. Tout d’abord, celle-ci intègre une mise à jour des propriétés optiques inhérentes (IOPs) dans le modèle de transfert radiatif sur la base de publications plus récentes. Ensuite, la gamme spectrale de son application est élargie à la bande de fluorescence contrairement à la méthode actuelle qui se limite à la longueur d’onde de 660 nm. Finalement, la LUT révisée tient compte des trois composantes principales de la réflectance de télédétection que sont (1) la rétrodiffusion élastique de la lumière par les molécules d’eau et par les particules en suspension, (2) la diffusion Raman (inélastique) par les molécules d’eau et (3) la FCIS. Les résultats de Rrs,f normalisées avec la nouvelle méthode présentent une différence de dispersion moyenne par rapport à celle obtenue par l’application de la méthode de Morel et al. (2002) de l’ordre de -15 %. Des différences significatives, de l’ordre de -22 %, sont observées à de grands angles d’observation et d’éclairement (> 55 %).

S’inscrivant dans le cadre de la gestion de l’énergie dans l’habitat du programme SESAME du pôle de compétitivité S2E2, l’objectif de cette thèse est d’étudier et de proposer une structure d’interrupteur commandable à l’ouverture et à la fermeture, bidirectionnel en tension et en courant et à faible perte énergétique, destiné à connecter tout type de charges sur le réseau alternatif 230V/50Hz. Il n’existe pas à l’heure actuelle de composants interrupteurs monolithiques de ce type. La première partie du mémoire présente les interrupteurs électroniques existants. La deuxième partie, traite des interrupteurs électroniques à base de transistors MOS et des limites de cette technologie unipolaire en termes de compromis de minimisation de surface de puces et de minimisation de la dissipation de puissance. Nous montrons ensuite que l’on peut repousser ces limites en adoptant des solutions à base de transistors bipolaires de puissances et notamment avec des bases fines autoprotégées (Transistors GAT). Le quatrième chapitre présente les résultats d’une étude des caractéristiques à l’état passant et à l’état bloqué de transistors GAT et valide leur aptitude à fonctionner sur le réseau alternatif. Nous montrons plusieurs voies possibles d’amélioration des caractéristiques de ces transistors avant d’étudier leur comportement dans une fonction interrupteur. Nous terminons ce travail en démontrant l’intérêt de la commande des transistors GAT en mode de conduction inverse, intérêt qui nous conduit ensuite à proposer une structure d’interrupteur totalement novatrice, avec la réduction par deux du nombre de composants et donc une réduction accrue de la puissance dissipée dans l’interrupteur. / As part of the energy management for household appliances of the S2E2 competitive pole SESAME program, the objective of this thesis is to propose a bidirectional switch in current and voltage with full turn-off control and low energy loss, ensuring the control of all loads types connected to the mains. The first part of this thesis presents the advantages and disadvantages of discrete or monolithic switches. In the second part, we were interested in electronic switches composed of MOS transistors. Different associations strategies and controls will be tested to reduce the power dissipation of the switch on the one hand, and facilitate control of the device on the other hand. Then we turned to solutions based on power bipolar transistors. The last one, called GAT distinguished itself by its high current gain and its low voltage drop in the on state. By implementing around the active base heavily doped caissons which create a shielding effect, one can increase the structure performances. After the design of this component in our laboratory, the characteristics of the on state and the off state were improved to validate its functionality in AC mains. The study will then focus on different technologies to confirm its performances. Using low metallization resistance and assembly strategy intelligently defined, it has been demonstrated that the performance of this component can be increased. Finally, we proposed a new switch structure using only two transistors GAT. We show that the interesting GAT reverse mode characteristics permit to deflect the load current flowing in the diodes and delete them. So we reduced the important source of power dissipation in the switch.

Ces travaux traitent de la réalisation d’un prototype d’interrupteur monolithique bidirectionnel à base de transistor bipolaire. A terme, l’objectif est de développer un interrupteur intelligent à faible perte, complètement intégrable dans l’habitat. Nous nous intéressons d’abord aux composants bidirectionnels existants. Nous présentons ensuite deux transistors bipolaires bidirectionnels. Le premier à base large, de fabrication aisée. Le second, symétrique, latéral, sur substrat SOI, à base fine, verticale, autoprotégée, très novateur. Nous les comparons et optons pour le transistor latéral à base fine, puis discutons les différentes étapes de sa fabrication et montrons qu’elle constitue un véritable challenge. Ensuite, nous détaillons une méthodologie analytique 1D permettant de déterminer les éléments clefs de fabrication de la partie active du transistor. L’étude est validée par des simulations 2D numériques par éléments finis. Nous continuons par une réflexion sur la périphérie du composant et sa métallisation. Nous détaillons les variantes de réalisation envisagées et montrons que ce composant est robuste vis-à-vis des désalignements entre les masques lors de la fabrication. Finalement, nous caractérisons les transistors fabriqués. Initialement le dispositif est parasité par des effets de ségrégation des dopants aux interfaces SiO2 / Si. Nous expliquons qu’il est possible de contrecarrer ces effets, pour finalement valider le concept de transistor bipolaire symétrique latéral sur substrat SOI, à base fine, verticale, autoprotégée. / This study deals with the realization of a prototype of a low losses monolithic bidirectional switch. It is based on a SOI symmetrical and lateral bipolar transistor with a thin, vertical and shielded base. The goal is to produce a switch which can be integrated to smart electronics functions. First, we compare the existing bidirectional solutions. We then introduce two bidirectional bipolar transistors: one with a wide base, easy to realize, and the other one, patented, symmetrical and lateral, using a SOI substrate, with a thin, vertical and shielded base. We compare these two devices and choose the novel and patented lateral bipolar transistor. We then discuss the challenge of its fabrication. We then detail a 1D analytical methodology allowing to define rapidly the key steps of the active area transistor realization. The study is then confirmed by finite element 2D numerical simulations (Sentaurus). Next, we discuss the periphery and metallization of the device. We detail the variant of process introduced. We finally show that this component is robust to masks misaligning during its fabrication. To the end, the transistors are realized and analyzed. We show that, initially, the segregation of dopants at SiO2 / Si interfaces implies a parasiting canal in parallel of the transistor. We then explain how to reduce these parasiting effects, to finally validate the concept of a symmetrical and lateral bipolar transistor on a SOI substrate, with a thin, vertical, shielded base.