Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 433800.pdf: 7490871 bytes, checksum: d20f63bf6a8349b832e9ae982f4f6b0a (MD5) Previous issue date: 2011-08-26 / Este trabalho tem como objetivo desenvolver e otimizar processos industriais para a fabrica??o de c?lulas solares em sil?cio multicristalino tipo p com estruturas n+pn+ e n+pp+. Para a obten??o da segunda estrutura, al?m da regi?o n+, foi necess?rio otimizar experimentalmente a regi?o p+ com difus?o de alum?nio. A inova??o deste trabalho consiste no desenvolvimento de c?lulas solares n+pp+ em sil?cio multicristalino e com metaliza??o por serigrafia, utilizando apenas um ?nico passo t?rmico para a difus?o dos dopantes f?sforo e alum?nio, e na compara??o das c?lulas desenvolvidas n+pn+ e n+pp+. Neste trabalho, foi otimizado o processo de textura??o isotr?pico utilizando solu??o ?cida. Um processo de textura??o por radia??o laser foi implementado e os resultados foram comparados com a reflet?ncia resultante da textura??o em solu??o ?cida. Obteve-se reflet?ncia m?dia de 23 %, para o processo com solu??o ?cida, e de 19,6 % para o processo com radia??o laser. O tempo de processamento da textura??o com radia??o laser ? elevado, encarecendo o processo. Portanto, optou-se pelo processo com ataque qu?mico ?cido. Constatou-se que a efici?ncia m?dia de c?lulas solares n+pn+ sem textura??o foi de 11,3 %, aumentando em 2 % (absoluto), quando foi implementada a textura??o em solu??o ?cida. Para o processo desenvolvido para fabrica??o de c?lulas sem campo retrodifusor, a maior efici?ncia alcan?ada foi de 13,8 %, com JSC = 29,3 mA/cm2, VOC = 595 mV e FF = 0,79. A efici?ncia m?xima encontrada para c?lulas n+pp+ foi de 14,1 % e os valores dos par?metros el?tricos foram: JSC = 30,2 mA/cm2, VOC = 592 mV e FF = 0,78. Concluiu-se que a regi?o de BSF n?o provoca melhora significativa na efici?ncia dos dispositivos, e que a pequena diferen?a entre as efici?ncias obtidas com as melhores c?lulas n+pn+ e n+pp+ devese a maior densidade de corrente de curtocircuito apresentada pelo dispositivo com BSF de Al

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 445207.pdf: 16170539 bytes, checksum: 41842e991640c224b673f681192cc03b (MD5) Previous issue date: 2013-01-10 / Research has been carried out for the development and manufacturing of solar cells in n-type silicon wafers, and one of the key issues for this development is the surface passivation of boron doped emitter in the p+nn+ structure. An alternative to the passivation of p+-type surfaces is the implementation of a floating junction, ntype, to reduce the surface recombination. The aim of this work was to implement a n+ region on the front surface of industrial solar cells p+nn+ by using a simplified method, producing the (n+)p+nn+. Liquid dopants deposited by spin-on were used and the diffusion thermal process was performed in a belt furnace in order to obtain the floating n+ region. Front metal grid based on Ag or Ag/Al was deposited by screenprinting and it etched-through the n+ region to establish the frontal contact of the (n+)p+nn+, creating a floating n+ region between the metal fingers. Diffusion temperature and belt speed were varied in order to obtain a n+ region that inverted the p+ emitter surface. It was observed that inversion only was confirmed by hot probe test for a diffusion temperature (TD) of 900 ?C and belt speed (V E) of 50 cm/min, with two passes through the furnace. However, the processes carried out in the same temperature and VE = 50 cm/min, 100 cm/min and 133 cm/min presented phosphorus profiles (measured by ECV, electrochemical capacitance-voltage profiling) that can produce inversion of the surface p+ to n+. The best solar cell fabricated with n+ region on p+ was processed with TD = 900 ?C and V E = 133 cm/min and presented the following electrical characteristics: VOC = 573 mV, JSC = 33.4 mA/cm2, FF = 0,51 and h= 9.6%. By one- and two-dimensional simulations of the (n+)p+nn+ structure, it was confirmed that the produced solar cells presented low shunt resistance due to the leakage currents in the n+ region deposited on the emitter which decreased the cell efficiency when compared with those with p+nn+ structure / Pesquisas t?m sido realizadas para o desenvolvimento e fabrica??o de c?lulas solares em l?minas de sil?cio tipo n, sendo que uma das quest?es chave para esse desenvolvimento ? a passiva??o da superf?cie do emissor dopado com boro na estrutura p+nn+. Uma alternativa para a passiva??o de superf?cies de tipo p+ ? a implementa??o de uma jun??o flutuante, tipo n, para reduzir a recombina??o em superf?cie. O objetivo desse trabalho foi implantar, por um m?todo simplificado, regi?es tipo n+ sobre a superf?cie frontal de c?lulas solares p+nn+ industriais, formando a estrutura (n+)p+nn+. Para produzir experimentalmente a regi?o n+ flutuante, usaram-se l?quidos dopantes depositados por spin-on e realizou-se o processo t?rmico de difus?o em forno de esteira. A malha met?lica frontal de Ag ou Ag/Al foi depositada por serigrafia e perfurou a regi?o n+ para estabelecer o contato frontal da c?lula (n+)p+nn+, formando-se uma regi?o n+ flutuante entre as trilhas met?licas. Foram variadas a velocidade de esteira e a temperatura, durante o processo de difus?o de f?sforo, a fim de obter uma regi?o n+ que invertesse superficialmente a regi?o p+. Observou-se que a invers?o da regi?o p+ para n+ somente se confirmou pela t?cnica da ponta quente para uma temperatura de difus?o (TD) de 900 ?C e velocidade de esteira (VE) de 50 cm/min, com duas passagens pelo forno. No entanto, as medidas de perfis realizadas indicaram que processos na mesma temperatura e VE = 50 cm/min, 100 cm/min e 133 cm/min, tamb?m poderiam produzir uma invers?o da superf?cie de p+ para n+. A melhor c?lula solar fabricada com regi?o n+ sobre p+ foi processada com TD = 900 ?C e V E= 133 cm/min e apresentou as seguintes caracter?sticas el?tricas: VOC = 573 mV, JSC = 33,4 mA/cm2, FF = 0,51 e h = 9,6 %. Utilizando simula??es uni e bidimensionais da estrutura (n+)p+nn+ confirmou-se que as c?lulas solares produzidas obtiveram baixa resist?ncia em paralelo devido a correntes de fuga na regi?o n+ depositada sobre o emissor e que diminu?ram a efici?ncia das c?lulas quando comparadas com aquelas de estrutura p+nn+.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 446087.pdf: 2601196 bytes, checksum: 9b517c13bef691d2323945d0aa6cf768 (MD5) Previous issue date: 2013-01-10 / The goal of this work was to develop solar cells with aluminum back surface field by using the aluminum paste PV 381. Specifically, the influence of the metallization process on the rear was evaluated, the firing temperature of the metallization pastes and diffusion of Al was experimentally optimized, solar cells with phosphorus diffusied on the front face and on both sides were compared, the effect of passivation in the region of the back surface field and the surface density of the Al paste deposited on the back surface field were evaluated. Cells processed with phosphorus diffusion on both sides and rear metallization with busbars deposited before the deposition of the paste Al on all surface with exception of the regions with the busbars presented the best results. The best cell with an efficiency of 13.6 % was processed with temperature for drying the paste of Ag and Al of 300 ? C and 270 ? C respectively. The belt speed during the firing of the pastes affects slightly the efficiency of the devices. The initial minority carrier lifetime increased of 30 μs to 120 μs, after diffusion of phosphorus and remained at the value of about 200 μs after drying and firing the three metallization pastes. For solar cells with only diffusion of phosphorus on the front face, the silicon dioxide passivation on rear face reduced the efficiency. The best average efficiency of 15 % was obtained with aluminum diffusion/firing at 840 ?C and 870 ?C in devices with two layers of Al paste. Electrical parameters of the best solar cell were: Voc = 592 mV, Jsc = 33.5 mA/cm2, FF = 0.76 and efficiency of the 15.1 %. In this case, the average minority carrier diffusion length was of 1280 μm. / O objetivo deste trabalho foi desenvolver c?lulas solares com campo retrodifusor de alum?nio, a partir da pasta de alum?nio PV 381. Especificamente, avaliou-se a influ?ncia da metaliza??o na face posterior, otimizou-se experimentalmente a temperatura de queima das pastas de metaliza??o e da difus?o de Al, compararam-se c?lulas solares com difus?o de f?sforo na face frontal e em ambas as faces, avaliou-se a influ?ncia da passiva??o na regi?o do campo retrodifusor e da densidade superficial da pasta de Al que forma o campo retrodifusor. As c?lulas processadas com difus?o de f?sforo em ambas as faces e metaliza??o posterior com barras coletoras depositadas antes da pasta de Al depositada em toda a superf?cie com exce??o das regi?es com as barras coletoras apresentaram os melhores resultados. A melhor c?lula, com efici?ncia de 13,6 %, foi processada com a temperatura para a secagem da pasta de Ag e de Al de 300 ?C e de 270 ?C, respectivamente. Constatou-se que a velocidade da esteira nos processos de queima das pastas met?licas praticamente n?o afetou a efici?ncia dos dispositivos. O tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios inicial de 30 μs aumentou para 120 μs, ap?s a difus?o de f?sforo e permaneceu com o valor de aproximadamente 200 μs ap?s a secagem e queima das tr?s pastas met?licas. Para c?lulas solares com difus?o de f?sforo somente na face frontal, a passiva??o com di?xido de sil?cio na face posterior piorou a efici?ncia. A melhor efici?ncia m?dia, de 15 %, foi obtida com a temperatura de queima/difus?o de 840 ?C e 870 ?C, em dispositivos com duas camadas de pasta de Al. Os par?metros el?tricos da melhor c?lula solar foram: Voc = 592 mV, Jsc = 33,5 mA/cm2, FF = 0,76 e efici?ncia de 15,1 %. Neste caso, o comprimento de difus?o dos portadores de carga minorit?rios m?dio foi de 1280 μm.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 451353.pdf: 20017308 bytes, checksum: 296ffb9862c776426e68e43169d40c26 (MD5) Previous issue date: 2013-07-19 / The goal of this thesis was the development and analysis of crystalline silicon solar cells processed by laser radiation. Solar cells with n+pp+ structure on p-type, CZ-Si solar grade substrate were developed, analysed, and evaluated, based on two laser processing techniques: laser-fired rear contacts (LFC) and laser ablation of the front surface silicon nitride by means of laser chemical processing (LPC) or using a mirror galvanometer laser system (SCA). The LFC method was employed to form the rear contacts of crystalline silicon solar cells after the deposition of an aluminium layer. The LCP and SOA methods were used to develop a silicon nitride ablation process. The laser ablation process was employed to open regions of the devices antireflection coating, followed by selective chemical deposition of Ni/Ag to form the front metal grid. The best laser processing parameters found for LFC solar cells were: 33.0 A pumping lamp current, 20.0 kHz q-switch frequency, and 0.50 mm contact distance. LFC solar cells with screen printed front metallization and Si02 rear passivation layer achieved an average efficiency of 14.4 % and best value of 15.3 %, after an annealing step at 400 00 with a belt speed of 50 cm/min. lncreasing the rear aluminium layer thickness from 2 um to 4 um did not improve the performance of the devices significantly. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the LCP technique were: 15.3 uJ laser pulse energy, 16.0 kHz q-switch frequency, and 100 mm/s processing speed. The best laser processing parameters found for the silicon nitride laser ablation process based on the SOA technique were: 5.0 uJ laser pulse energy, 130.0 kHz q-switch frequency, and 813 mm/s processing speed. Solar cells with silicon nitride laser ablation, front side metallization by Ni/Ag selective electrochemical deposition, and screen-printed rear side metallization achieved an average efficiency of 16.1 % and best value of 16.8 % for the LCP technique and an average efficiency of 16.3 % and best value of 16.6% for the SOA technique. / O objetivo desta tese foi o desenvolvimento e an?lise de c?lulas solares em substrato de sil?cio cristalino com processamento por radia??o laser. C?lulas solares com estrutura n+pp+ em substrato de CZ-Si tipo p foram fabricadas, analisadas e comparadas, com base em duas t?cnicas de processamento laser: contatos posteriores formados por laser (CFL) e abla??o do filme antirreflexo frontal de nitreto de sil?cio por processamento qu?mico com laser (PQL) ou por processamento com laser guiado por galvan?metro de espelhos (SCA). O m?todo CFL foi utilizado na forma??o dos contatos posteriores de c?lulas solares, ap?s a deposi??o de uma camada de alum?nio. Os m?todos PQL e SCA foram usados no desenvolvimento de um processo de abla??o a laser do filme frontal de nitreto de sil?cio. Trilhas foram abertas no filme antirreflexo e posteriormente metalizadas seletivamente por deposi??o qu?mica de n?quel e prata, para formar a malha de metaliza??o frontal. Os melhores par?metros de processamento laser encontrados para c?lulas solares CFL foram: corrente da l?mpada de bombeamento ?ptico de 33,0 A, freq??ncia q-swttch de 20,0 kHz e dist?ncia entre contatos posteriores de 0,50 mm. C?lulas solares CEL com metaliza??o frontal por serigrafia e passiva??o posterior com SiO2 alcan?aram uma efici?ncia m?dia de 14,4 % e melhor valor de 15,3 %, ap?s tratamento t?rmico a 400 ?C com velocidade de esteira de 50 cm/min. O aumento da espessura da camada de alum?nio posterior de 2 um para 4 um n?o resultou em melhora significativa da performance das c?lulas solares. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de sil?cio pela t?cnica PQL foram: energia do pulso laser de 15,3 uJ, frequ?ncia q-switch de 16,0 kHz e velocidade de processamento de 100 mm/s. Os melhores par?metros de processamento encontrados para o processo de abla??o a laser de nitreto de silicio pela t?cnica SCA foram: energia do pulso laser de 5,0 uJ, freq??ncia q-switch de 130,0 kHz e velocidade de processamento de 813 mm/s. C?lulas solares com abla??o a laser de nitreto de silicio, metaliza??o frontal seletiva por deposi??o qu?mica de n?quel e prata e metaliza??o posterior por serigrafia atingiram a efici?ncia m?dia de 16,1 % e o melhor valor de 16,8 % com a t?cnica PQL e a efici?ncia m?dia de 16,3 % e melhor valor de 16,6 % com a t?cnica SCA.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 452300.pdf: 1439969 bytes, checksum: 5e2e2d1d0059b8b7556d1755c0aa069a (MD5) Previous issue date: 2013-09-30 / The aim of this thesis was the development of industrial bifacial solar cell on ntype FZ-Si and Cz-Si wafers, metallized by screen printing. The boron diffusion was performed with the dopant PBF-20. The sequence of the dopant (B and P) diffusion was assessed and in a process the oxidation was done at the same thermal step of boron diffusion. Bifacial solar cells were developed in FZ-Si wafers using the process with phosphorus diffusion before the boron diffusion. The best solar cell was processed with boron diffusion at 1000? C during 20 minutes and achieved 14.3% (emitter) and 13.7% (back surface field) efficiencies. With boron diffusion before the phosphorus diffusion and oxidation in the same step that the boron diffusion, the best solar cell was developed with the oxidation of 30 minutes. The firing process of metal pastes was performed at 860 ?C and belt speed of 240 cm/min. The best bifacial solar cell reached 13.5% (face with phosphorus) and 11.8% (side with boron) efficiencies. The fill factor of 0.61 (emitter) limited the efficiency. Bifacial solar cells were developed on Cz-Si wafers, with boron diffusion before the phosphorus diffusion. The best efficiency was achieved with oxidation of 40 minutes. The increase of oxygen flow produced solar cells with greater uniformity of efficiency. However, when the solar cells were processed in the presence of nitrogen, the efficiency was reduced mainly in the emitter. The firing temperature of the best solar cell was 840 ?C and the belt speed was 200 cm/min. The efficiency was of approximately 13.3 % in both faces. When illuminated by the emitter, the solar cells developed in both kinds of substrate showed similar efficiency of 13.3 % -13.5 %. In the back surface filed, the efficiency of solar cells processed in FZ-Si was limited by fill factor. / O objetivo desta tese foi o desenvolvimento de c?lulas solares bifaciais industriais com metaliza??o por serigrafia, em l?minas de sil?cio Si-FZ e Si-Cz, ambas tipo n. A difus?o de boro foi realizada com o dopante PBF-20. Avaliou-se a ordem da difus?o dos dopantes e em um processo a oxida??o foi realizada na mesma etapa t?rmica da difus?o de boro. Para o processo com difus?o de f?sforo antes da difus?o de boro foram desenvolvidas c?lulas solares bifaciais em l?minas de Si-FZ. A melhor c?lula solar foi processada com difus?o de boro na temperatura de 1000 ?C e o tempo de 20 minutos e alcan?ou a efici?ncia de 14,3 % (emissor) e 13,7 % (campo retrodifusor). Do processo com difus?o de boro antes da difus?o de f?sforo e oxida??o na mesma etapa que a difus?o de boro, a melhor c?lula solar foi obtida com o tempo de oxida??o de 30 minutos. O processo de queima das pastas met?licas foi realizado na temperatura de 860 ?C e velocidade de esteira de 240 cm/min. A melhor c?lula solar bifacial alcan?ou a efici?ncia de 13,5 % (face com f?sforo) e de 11,8 % (face com boro). O fator de forma, de 0,61 (emissor) limitou a efici?ncia. Foram desenvolvidas c?lulas solares bifaciais em l?minas de Si-Cz, com difus?o de boro antes da difus?o de f?sforo. A melhor efici?ncia foi obtida para o tempo de oxida??o de 40 minutos. Constatou-se que o aumento da vaz?o de oxig?nio contribuiu para que as c?lulas solares apresentem efici?ncia mais uniforme. Por?m, quando as c?lulas solares foram processadas na presen?a de somente nitrog?nio, a efici?ncia foi reduzida, principalmente na face com o emissor. A melhor c?lula solar foi desenvolvida na temperatura de queima de 840 ?C e velocidade de esteira de 200 cm/min e apresentou a efici?ncia de aproximadamente 13,3 %. Na face com o emissor, as c?lulas solares desenvolvidas com os dois tipos de substrato apresentaram efici?ncia similar da ordem de 13,3 % - 13,5 %. Na face do campo retrodifusor, a efici?ncia das c?lulas solares processadas em Si-FZ foi limitada pelo fator de forma.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 461037.pdf: 1578465 bytes, checksum: cec1eb94f17a753cab90e1952f24deed (MD5) Previous issue date: 2014-08-29 / The main goal of the solar cell industry is to reduce the production costs so that the photovoltaic solar energy can be competitive with other kinds of electricity generation. Currently, many industrial silicon solar cells use p-type wafers and have a thickness of approximately 200 μm. The combination of the use of n-type silicon to obtain higher efficiency devices and thinner wafers can be an alternative for reducing costs. The aim of this work was to develop and evaluate silicon solar cells fabricated in thin wafers of n-type Czochralski-growth monocrystalline solar grade silicon, specifically in the development of the manufacturing process of p+nn+ and n+np+ solar cells. An etching based on 100 g of KOH and 1600 mL of H2O kept at 85 ?C was experimentally suited for thinning 200 μm wafers. Seven minutes in the etching were needed for obtaining 135 μm 140 μm thick wafers. The time of the standard texture etch used in the NT-Solar was optimized and the time that produced the lower reflectance was 40 min. By comparing metal pastes of Ag, Ag/Al and Al, we concluded that the latter enabled the manufacture of the more efficient solar cells, with both structures and aluminum metal paste cannot etch-through the TiO2 thin film. This way, the Al paste has to be deposited on the p+ face before the deposition of this film. The firing of the Ag and Al metal pastes were optimized taking into account the firing temperature. The higher average efficiencies were observed when the firing temperature remained in the range of 870 ?C a 890 ?C. More efficient solar cells fabricated with n+np+ and p+nn+ structures achieved the efficiency of 13.8 % and 13.2 %, respectively. The internal quantum efficiency showed the solar cells presented high surface recombination. By comparing both structures obtained with similar processes, we can conclude that n+np+ is the most suitable to the production of ntype silicon solar cells. / O principal objetivo da ind?stria de c?lulas solares ? reduzir os custos de produ??o a fim de que a energia solar fotovoltaica possa ser competitiva com outras formas de produ??o de energia el?trica. Atualmente, a maioria das c?lulas solares industriais de sil?cio utilizam l?minas tipo p e estas possuem espessura da ordem 200μm. A combina??o do uso de sil?cio tipo n para a obten??o de dispositivos de maior efici?ncia e l?minas finas podem ser alternativas para a redu??o dos custos. Este trabalho teve por objetivo desenvolver e avaliar c?lulas solares fabricadas sobre l?minas finas de sil?cio monocristalino Czochralski, grau solar, tipo n, especificamente no desenvolvimento do processo para fabrica??o de c?lulas p+nn+ e n+np+. Adaptou-se experimentalmente um ataque qu?mico baseado em 100 g de KOH dilu?dos em 1600 mL de H2O para afinamento de l?minas de 200 μm, sendo necess?rios 7 min de imers?o com a solu??o a 85 ?C para obten??o de l?minas de 135 μm 140 μm. A textura??o padr?o do NT-Solar foi usada, sendo que o tempo de processo que produziu a menor reflet?ncia foi de 40 min. Ao comparar pastas de Ag, Ag/Al e Al, constatou-se que a ?ltima permitiu a fabrica??o das c?lulas solares mais eficientes, com ambas as estruturas. Observou-se que esta pasta n?o consegue perfurar o filme de TiO2 e a mesma deve ser depositada sobre a face p+ antes da deposi??o deste filme. A queima de pastas met?licas de Ag e Al foi otimizada considerando a temperatura do processo t?rmico e concluiu-se que esta deve estar no intervalo de 870 ?C a 890 ?C, onde se observou a efici?ncia m?dia mais alta. As c?lulas solares mais eficientes fabricadas com as estruturas n+np+ e p+nn+ atingiram a efici?ncia de 13,8 % e 13,2 %, respectivamente. A efici?ncia qu?ntica interna mostrou que as c?lulas solares t?m alta recombina??o nas superf?cies. Comparando ambas as estruturas obtidas por processos similares, conclui-se que a estrutura n+np+ ? a mais adequada para produ??o de c?lulas solares finas em base n.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 465177.pdf: 2199385 bytes, checksum: 7e39de6eac33d2dfd74591983c10103d (MD5) Previous issue date: 2015-01-22 / This work was focused on the development of silicon solar cells with laser fired contacts and rear face passivation. Several processes were developed based on two different p-type silicon substrates. The objective was to develop a solar cell manufacturing process with laser fired contacts and aluminum deposited by evaporation, as well as to assess the rear passivation. In Si-Cz wafers, the phosphorus diffusion was performed at 865 ?C. From the power and the frequency experimental optimization in Si-Cz wafers, it was found that the efficiency of 13.1 % was obtained with 15 W of power and 80 kHz of frequency. The efficiency of 14.5 % was achieved from the annealing temperature of 350 ?C and belt speed of 66 cm/min. The experimental optimization of the distance between the dots and the contact area of the dots resulted on 14.1 % efficiency, for the distance between dots of 0.5 mm and the dot area contact of 7230 μm2. For the PV-Si-FZ substract, with the best diffusion temperature of 875 ?C, the efficiency of 14.0 % was obtained. It was found that the efficiency for Si-Cz and Si-FZ solar cell was similar, due to the low minority charge carrier lifetime. The deposition of a TiO2 film on the rear side resulted in an increase of the fill factor and efficiency, however the increase of the silicon oxide layer reduced the efficiency of the devices / Neste trabalho foram desenvolvidas c?lulas solares de sil?cio com contatos formados por radia??o laser e passiva??o na face posterior. Para isso, foram desenvolvidos processos para produ??o de c?lulas solares a partir de l?minas de sil?cio tipo p de dois tipos diferentes de substrato. O objetivo foi desenvolver um processo de fabrica??o de c?lulas solares com contato e difus?o posterior formado em pontos por radia??o laser e alum?nio depositado por evapora??o bem como avaliar a passiva??o na face posterior. Em l?minas de Si-Cz, a difus?o de f?sforo foi realizada a 865 ?C. Da otimiza??o experimental da pot?ncia e da frequ?ncia do sistema laser em l?minas de Si-Cz, constatou-se que a efici?ncia de 13,1 % foi obtida com a pot?ncia de 15 W e frequ?ncia de 80 kHz. Obteve-se a efici?ncia de 14,5 % para a temperatura de recozimento 350 ?C e a velocidade de esteira de 66 cm/min. A otimiza??o experimental da dist?ncia entre pontos e da ?rea dos pontos de contato, resultou na efici?ncia de 14,1 %, para a dist?ncia entre pontos de 0,5 mm e ?rea dos pontos de contato de 7230 μm2. Para substratos de PV-Si-FZ, a melhor temperatura de difus?o de f?sforo foi de 875 ?C e obteve-se a efici?ncia de 14,0 %. Constatou-se que a efici?ncia foi similar para c?lulas solares processadas em l?minas de Si-Cz e PV-Si-FZ, devido o baixo tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios. A deposi??o de um filme de TiO2 na face posterior resultou em um aumento no fator de forma e da efici?ncia, por?m o aumento da camada de ?xido de sil?cio reduziu a efici?ncia dos dispositivos

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:59:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 393356.pdf: 3379386 bytes, checksum: bad8f06e377a810f014c94a0e2d3e258 (MD5) Previous issue date: 2007-08-07 / ?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento.?ons de diferentes n?meros at?micos e com energias entre 1 e 2200 MeV foram usados para bombardear em flu?ncias baixas, filmes de SiO2 crescidos termicamente sobre substrato de sil?cio. Ap?s a irradia??o, os filmes foram submetidos a um ataque qu?mico em solu??o aquosa de HF, produzindo buracos c?nicos nesses filmes, com abertura que variaram de poucos nan?metros at? ≈150 nm. Os filmes foram analisados sobre microscopia de for?a at?mica e microscopia eletr?nica de transmiss?o. O di?metro das cavidades c?nicas, o ?ngulo de cone, e a dispers?o foram determinados em fun??o da energia depositada pelos ?ons por unidade de comprimento (dE/dx) para uma condi??o de ataque fixa. As cavidades s?o observadas nas amostras irradiadas, apenas quando o poder de freamento eletr?nico (dE/dx)e ? maior que 200 e V/?. Este limiar independe do valor do poder de freamento nuclear (dE/dx)n dos ?ons incidentes. Inicialmente, para energias baixas na zona do limiar, os poros t?m contornos pouco definidos e uma distribui??o de tamanhos relativamente grande (15 - 20%). Com o aumento do poder de freamento eletr?nico, os poros aumentam de tamanho at? um valor de satura??o. O ?ngulo de cone dos poros e a distribui??o de tamanhos modificam-se fortemente numa estreita faixa de dE/dx (entre 250 - 400 eV/?). Nessa regi?o de transi??o, o ?ngulo de abertura dos cones passa de ≈85? para 20?, e a dispers?o de tamanhos baixa de ≈20% para 4%. Para (dE/dx)e ≥ 450 eV/? a varia??o no tamanho, ?ngulo de cone e dispers?o das cavidades ? pequena, indicando que nesse regime as trilhas de danos s?o cont?nuas e de igual tamanho. A evolu??o da forma e tamanho das cavidades com o poder de freamento, esta associada com as modifica??es na estrutura de danos ao longo das trilhas i?nicas, que passa de descont?nua para cont?nua com o aumento do poder de freamento. Em baixas energias, aglomerados de defeitos s?o pouco prov?veis e a trilha de danos n?o ? revel?vel (isto ?, n?o gera poro). Em energias intermedi?rias, flutua??es na deposi??o de energia ocorrem, resultando na forma??o de trilhas descont?nuas e uma alta dispers?o de tamanhos nas cavidades processadas. C?lculos baseados no modelo "thermal spike" reproduziram satisfatoriamente os valores encontrados para os (dE/dx)limiar, se a forma??o de uma zona fundida ao longo da trilha i?nica ? usada como crit?rio de produ??o de trilhas revel?veis. As propriedades refletoras das camadas de SiO2/Si nanoestruturadas por bombardeio i?nico foram investigadas na regi?o espectral de 350 - 1300 nm. Resultados preliminares indicam valores de reflet?ncia menores que as camadas sem poros e pr?ximos de 15%.

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-06-29T12:05:10Z No. of bitstreams: 1 TES_VERONICA_BAPTISTA_FRISON_PARCIAL.pdf: 2069499 bytes, checksum: aa6537076bca37dc159c3291dcc3c904 (MD5) / Approved for entry into archive by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-06-29T12:05:22Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TES_VERONICA_BAPTISTA_FRISON_PARCIAL.pdf: 2069499 bytes, checksum: aa6537076bca37dc159c3291dcc3c904 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-29T12:05:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_VERONICA_BAPTISTA_FRISON_PARCIAL.pdf: 2069499 bytes, checksum: aa6537076bca37dc159c3291dcc3c904 (MD5) Previous issue date: 2016-11-11 / Background: Traumatic spinal cord injury (TSCI) is a severe, incapacitating, neurological syndrome that leads to changes in sensitivity, motor function, and the autonomic system of body segments located below the level of injury. Although it is one of the most devastating injuries and poses multiple challenges for the patients, family, and clinicians involved, physical therapy can lead to neurological improvements in patients with TSCI. The purpose of this study was to evaluate the effects of corporal suspension and pendulum exercises (CHORDATA? method) on torque, muscle activation, muscle thickness, and functionality in patients with TSCI. Methods: This study was a randomized, controlled clinical trial including 26 male TSCI patients (in whom injury occurred up to 3 years earlier at the thoracic level; age, 18?65 years). The subjects were categorized into two groups: an intervention group (IG; n = 14) and a control group (CG; n = 12). Before and after a rehabilitation program, which comprised 16 sessions of suspension and pendulum exercises (twice/week, 50 minutes/session), we evaluated the following parameters in each subject: maximal voluntary isometric trunk flexion and extension torques; electromyographic activity of the external oblique, rectus abdominis, and longissimus muscles; muscle thickness of the external oblique, internal oblique, transversus abdominis, rectus abdominis, and multifidus muscles; and functionality (adapted reach test). Mean ? standard deviation values were used to summarise continuous data, which were then compared at the baseline using t-tests. Categorical variables were expressed as counts and percentages. Between-group baseline differences were assessed using chi-square or Fisher?s exact tests, as required. Analysis of covariance, with adjustments for baseline measurements, was conducted to evaluate between-group differences after the 16 exercise sessions. The results were presented as mean ? standard deviation with the estimated adjusted difference between groups, followed by 95% confidence intervals. The study significance level was set at ? = 0?05. Data were analysed using SPSS version 22.0 (SPSS, Inc., Chicago, USA).This trial is registered with Clinical Trials.gov, #NCT02316067. Findings: The CG and IG patients had similar ages (p = 0?93), injury time (p = 0?41), injury level (p = 0?27), injury mechanism (p = 0?22), American Spinal Injury Association (ASIA) scale (p = 0?11), injury type (p = 0?22), and functional reach (p = 0?11). Post-intervention, the IG trunk flexion (58%, p = 0?004) and extension (76%, p = 0?005) torques were higher in the IG than in the CG. Similar between-group differences were observed post-intervention for RA-L absolute RMS values (p = 0?028), RA-R RMS values normalized to the resting state (p = 0?047), and functional reach (p = 0?015). Muscle thickness for all muscles was higher in the IG patients as compared to the CG patients post-intervention (p < 0?002), except for the MULT-R muscle (p = 0?057). Interpretation: Sixteen sessions of suspension and pendulum exercises improved rectus abdominis muscle activation, trunk muscle structure and strength, and reaching capacity in TSCI patients. Thus, this novel, effective rehabilitation method may improve functionality in TSCI patients. / Introdu??o: A les?o medular (LM), especialmente quando instalada de maneira s?bita, ? uma das les?es mais devastadoras, do ponto de vista f?sico e psicol?gico, confrontando paciente, fam?lia e equipe de profissionais com m?ltiplos desafios. N?o obstante, sabe-se que a LM tem potencial de recupera??o, havendo relatos de diversos estudos que demonstram a melhoria do estado neurol?gico. O objetivo deste estudo foi avaliar os efeitos dos exerc?cios com suspens?o e pendula??o corporal (M?todo Chordata?) sobre o torque, a ativa??o muscular, a espessura muscular e a funcionalidade de indiv?duos com les?o medular tor?cica. M?todo: Ensaio cl?nico randomizado e controlado onde foram estudados 26 indiv?duos do sexo masculino com les?o medular tor?cica e idades entre 18 e 65 anos, divididos em grupo interven??o (GI; n=14) e grupo controle (GC; n=12) com no m?ximo tr?s anos de les?o at? a sua inclus?o no estudo. Foram estudados o torque flexor e extensor do tronco durante contra??es volunt?rias m?ximas, a atividade eletromiogr?fica do reto abdominal, obl?quo externo e longu?ssimo do dorso bilateral e a espessura muscular dos m?sculos reto abdominal, obl?quo externo e interno, transverso do abdomen e multifidos bilateral e a funcionalidade por meio do teste do Alcance Funcional adaptado. Os indiv?duos foram avaliados nos per?odos pr? e p?s a um programa composto por 16 sess?es de exerc?cios com M?todo Chordata? com frequ?ncia de duas vezes por semana durante 50 minutos. A m?dia ? desvio padr?o foram usados para avaliar os dados cont?nuos, os quais foram comparados aos dados basais utilizando o teste t de Student. Vari?veis categ?ricas foram expressas por porcentagens e diferen?as entre os grupos no baseline foram avaliadas usando o Qui-quadrado ou teste exato de Fisher. An?lise de covari?ncia com ajustes das medidas no baseline foram utilizadas para avaliar as diferen?as entre os grupos. Os resultados foram apresentados pela m?dia ? desvio com as diferen?as estimadas ajustadas entre os grupos, seguindo intervalo de confian?a de 95%. Os resultados foram considerados estatisticamente significativos quanto P<0,05. O programa SPSS 22.0 (SPSS, Inc., Chicago, USA) foi utilizado para a an?lise dos dados. Este estudo foi registrado no Clinical Trials.gov, #NCT02316067. Resultados: No per?odo pr?-interven??o n?o houve diferen?as significativas entre os grupos em rela??o ?s idades (p = 0?93), tempo de les?o (p = 0?41), n?vel da les?o (p = 0?27), mecanismo da les?o (p = 0?22), escala ASIA (p = 0?11), tipo de les?o (p = 0?22), e Alcance Funcional adaptado (p = 0?11). No per?odo p?sinterven??o, o GI apresentou melhora do torque flexor (58%, p = 0?004) e extensor (76%, p = 0?005) em rela??o ao GC. Diferen?as similares entre os grupos foram observadas no per?odo p?s-interven??o para o reto abdominal esquerdo em seu valor absoluto RMS (p = 0?028), e reto abdominal direito em seu valor RMS normalizado pelo repouso (p = 0?047), e no teste do Alcance Funcional (p = 0?015). A espessura muscular foi maior no GI no periodo p?s-interven??o para todos os grupos estudados quando comparados ao GC (p < 0?002), com exce??o dos mult?fidos direito (p = 0?057). Conclus?o: Dezesseis sess?es de exerc?cios com M?todo Chordata? mostraram melhora na ativa??o do m?sculo reto do abdomen, na estrutura muscular, na for?a e na capacidade de deslocar o tronco ? frente de indiv?duos com les?o medular tor?cica. Esses resultados apontam para evid?ncias em uma nova e efetiva reabilita??o por meio de um M?todo que melhora a funcionalidade desses indiv?duos.

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-06-29T14:19:00Z No. of bitstreams: 1 TES_CARLA_HAAS_PIOVESAN_PARCIAL.pdf: 683137 bytes, checksum: 7f0ead503b15c9d9b2d1e6f5476dae34 (MD5) / Approved for entry into archive by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-06-29T14:19:09Z (GMT) No. of bitstreams: 1 TES_CARLA_HAAS_PIOVESAN_PARCIAL.pdf: 683137 bytes, checksum: 7f0ead503b15c9d9b2d1e6f5476dae34 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-06-29T14:19:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_CARLA_HAAS_PIOVESAN_PARCIAL.pdf: 683137 bytes, checksum: 7f0ead503b15c9d9b2d1e6f5476dae34 (MD5) Previous issue date: 2015-03-31 / Purpose: The aim was to verify the effects of different interventions for lifestyle modifications on the number of diagnosis criteria and clinical aspects involved in Metabolic Syndrome (MS). Methods: A randomized controlled clinical trial including 125 individuals from 30 to 59 years old with MS was conducted in the Rehabilitation Center of PUCRS. Individuals were randomized into three intervention groups: Standard Intervention (SI) ? nonpharmalogical intervention recommended by the guidelines for clinical management of MS, considered the control group in this trial; Group Intervention (GI) ? group lifestyle change implemented weekly by a multidisciplinary team; Individual Intervention (II) ? outpatient care through weekly individual consultations performed by a multidisciplinary team. The outcomes studied include the modification of the number of diagnosis criteria for MS and other clinical parameters such as cardiovascular risk score, Castelli Index (CI) and insulin resistance index HOMA-IR. Each group was assessed at the beginning and at the end of the interventions (three months). Results: Seventy-two individuals concluded the intervention, among them: SI: 19, GI: 25, and II: 28. Groups GI and II presented significant decrease of body mass index, waist circumference, and systolic arterial pressure after three months. The number of diagnosis criteria for MS decreased significantly ? 40% of the individuals did not meet the criteria for the clinical condition studied at the end of the intervention. The largest reduction occurred within group II, where 52% of the individuals presented less than three criteria. Regarding CI and HOMA-IR, both variables were significantly reduced (p < 0.05) in groups GI and II. Conclusion: The interventions proposed by this study reinforce that nonpharmacological strategies for changing lifestyle impact the reduction of cardiovascular risk factors involved in MS. They are also able to remove the population from this clinical condition by decreasing diagnosis criteria. / Objetivos: O objetivo do estudo foi verificar o efeito de diferentes interven??es para modifica??o do estilo de vida sobre o n?mero de crit?rios de diagn?stico e aspectos cl?nicos envolvidos na S?ndrome Metab?lica (SM). M?todos: Foi realizado um ensaio cl?nico randomizado controlado, o qual incluiu 125 indiv?duos de 30-59 anos com SM, conduzido no Centro de Reabilita??o da PUCRS. Os indiv?duos foram randomizados em tr?s grupos de interven??o: Interven??o Padr?o (IP) - interven??o n?o medicamentosa recomendada nas diretrizes para o manejo cl?nico da SM, considerada nesse estudo grupo controle; Interven??o em Grupo (IG) - a mudan?a do estilo de vida foi trabalhada semanalmente em grupo com equipe multidisciplinar; Interven??o Individual (II) - atendimento ambulatorial com consultas semanais individualizadas realizadas por equipe multidisciplinar. Os desfechos estudados compreendem a modifica??o no n?mero de crit?rios para o diagn?stico da SM e outros par?metros cl?nicos, como o escore de risco cardiovascular ?ndice de Castelli (IC), e ?ndice de resist?ncia ? insulina HOMA-IR. Todos os grupos foram avaliados no in?cio, ao final das interven??es (tr?s meses). Resultados: Conclu?ram a interven??o 72 indiv?duos, sendo: IP: 19, IG: 25 e II: 28. O grupo IG e II promoveram significativa redu??o do ?ndice de massa corporal, circunfer?ncia abdominal, e press?o arterial sist?lica aos tr?s meses. O n?mero de crit?rios para o diagn?stico da SM reduziu de forma significativa, 40% dos indiv?duos n?o preenchiam mais o crit?rio para a condi??o cl?nica estudada ao final da interven??o. A maior redu??o ocorreu no grupo II no qual 52% dos indiv?duos tinham menos de tr?s crit?rios. Em rela??o ao IC e ao HOMA-IR ambas vari?veis reduziram de forma significativa (p<0.05) nos grupos IG e II. Conclus?o: As interven??es propostas neste estudo refor?am que estrat?gias n?o farmacol?gicas de modifica??o do estilo de vida tem impacto na redu??o dos fatores de risco cardiovasculares envolvidos na SM. Tais interven??es demonstraram ser capazes de retirar a popula??o desta condi??o cl?nica por redu??o nos crit?rios de diagn?stico.