O papel dos profissionais que atuam com Tecnologia da Informação (TI) nas organizações tem passado por diversas transformações e os Gestores de TI que atuavam especificamente em questões táticas e operacionais nas áreas mais técnicas, passaram também a ser envolvidos em decisões estratégicas envolvendo a TI. Assim, durante esta transformação os profissionais de TI deixaram os CPDs e passaram a estar mais presentes e próximos a outros setores da organização, com por exemplo a área de negócio. Em 2006, Lee e Lee, mapearam as competências para os Gestores de TI como sendo Técnica, Negócio e Sistema e no mesmo ano Wu et al. (2006), identificaram a competência estratégica como parte das atividades críticas do Gestor de TI. O CIO (Chief Information Officer) é o nome dado atualmente ao responsável pela tecnologia da informação numa organização e suas competências essenciais foram mapeadas nos estudos de Vreuls (2009) e Vreuls e Joia (2012) como sendo: Visão de negócio, Suporte ao negócio, Capacidade de influenciar a organização, Capacidade técnica, Networking externo, Gestão da operação de TI e Visão inovadora. Assim, a partir da evolução das competências dos Gestores de TI, a pesquisa analisou, através de um estudo de caso, como as competências dos Gestores de TI se aproximam das competências do CIO. Além de tomar por base os estudos de Lee e Lee (2006), Wu et al. (2006) e Vreuls (2009), também foi realizada uma análise comparativa com o modelo clássico de Katz (1974) Com a escolha destes modelos teóricos foi realizado um estudo comparativo entre a evolução dos estudos sobre competências gerenciais em diversos níveis. Os dados primários foram coletados por meio de entrevistas semiestruturadas e observação participante e os dados secundários foram obtidos através de fontes documentais do caso estudado. A análise dos dados foi realizada através da análise de conteúdo. Os resultados deste estudo indicam que as competências dos Gestores de TI se aproximam de três das sete competências do CIO e que apesar de estarem nos níveis táticos ou operacionais tem uma participação na área estratégica, o que implica no desenvolvimento dos Gestores de TI e também podem servir como um guia para atração e retenção de talentos na gestão de TI. / The role of Information Technology (IT) professionals in organizations has undergone many transformations, and IT Managers who have been specifically involved in tactical and operational issues in more technical areas have also become involved in strategic decisions involving IT. Thus, during this transformation IT professionals left the CPDs and became more present and close to other sectors of the organization, for example the business area. In 2006, Lee and Lee mapped the competencies for IT Managers as Technical, Business and System and in the same year Wu et al. (2006) identified the Strategic competence as part of the IT Manager's critical activities. The CIO (Chief Information Officer) is the current name given to the head of information technology in an organization and its core competencies have been mapped in the studies of Vreuls (2009) and Vreuls and Joia (2012) as: Business vision, Business support, Ability to influence the organization, Technical capacity, External networking, IT operation management and Innovative vision. Thus, from the evolution of the competences of the IT Managers, the present study analyzed through a case study how the competences of the IT Managers approach the competencies of the CIO In addition to Lee and Lee (2006), Wu et al. Al (2006) and Vreuls (2009), a comparative analysis was also carried out with the classic Katz model (1974). With the choice of these theoretical models, a comparative study was carried out between the evolution of the studies on managerial competences at several levels. The primary data were collected through semi-structured interviews and participant observation, and the secondary data were obtained through documentary sources of the case studied. Data analysis was performed through content analysis. The results of this study indicate that the competencies of IT Managers approach three of the CIO's seven competencies and that although they are at tactical or operational levels, they have a participation in the strategic area, which implies the development of IT Managers and can also serve as a guide for attracting and retaining talent in IT management.

Previous scholarship on labor rhetoric has concentrated on the impact of declining union membership and contemporary activist strategies on the part of unions. The press release is a common form of communication that organized labor employs in order to reach its publics. This study explores the press releases of the Texas State AFL-CIO to determine to what extent this level of labor discourse meets the criteria of a rhetorical genre. This study employs the methodology for generic criticism laid out by Foss for identifying genres. The study concludes that a genre of labor rhetoric exists and that the genre was used extensively to promote the Texas State AFL-CIO as a socially-conscious and politically motivated organization.

We conceptualize the new phenomenon of the Fractional Chief Information Officer (CIO) as a part-time executive who usually works for more than one primarily small- to medium-sized enterprise (SME) and develop promising avenues for future research on Fractional CIOs. We conduct an empirical study by drawing on semi-structured interviews with 40 individuals from 10 different countries who occupy a Fractional CIO role. We derive a definition for the Fractional CIO, distinguish it from other forms of employment, and compare it with existing research on CIO roles. Further, we find four salient engagement types of Fractional CIOs offering value for SMEs in various situations: Strategic IT management, Restructuring, Rapid scaling, and Hands-on support. The results reveal similarities with existing CIO roles as well as novel insights concerning the different engagement types. Lastly, we propose a research agenda for the Fractional CIO field, based on four research themes derived from existing CIO research and insights from the interviews.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 401486.pdf: 2235919 bytes, checksum: 4ff678b49860d16d47ec2e0ccbb3f5b6 (MD5) Previous issue date: 2008-05-07 / O crescimento exponencial do mercado de dispositivos fotovoltaicos e a necessidade de substratos de menor custo tornam o sil?cio multicristalino uma importante op??o para a fabrica??o de c?lulas solares. Esta disserta??o tem como objetivo otimizar e desenvolver as principais etapas de um processo para fabrica??o de c?lulas solares em substrato de sil?cio multicristalino, com a estrutura n+pn+ e 36 cm2 de ?rea. Foram otimizadas, por meio de simula??es, as regi?es dopadas e as malhas de metaliza??o e, experimentalmente, o emissor e as condi??es de queima das pastas met?licas no processo de metaliza??o por serigrafia. De acordo com os resultados obtidos da otimiza??o por simula??es, ? poss?vel obter c?lulas solares com 16,2 % de efici?ncia para altos valores de tempo de vida dos portadores minorit?rios de 100 μs e com regi?o de campo retrodifusor. As efici?ncias de 15,8 %, 14,6 % e 12,1 % podem ser obtidas para o tempo de vida dos minorit?rios de 50 μs, 10 μs e 1 μs, respectivamente, quando a metaliza??o for por serigrafia com malha met?lica com trilhas de 100 μm de largura. Constatou-se que a efici?ncia ? menor, da ordem de 0,3 % a 0,5 %, quando a largura das trilhas da malha de metaliza??o ? aumentada de 100 μm para 200 μm. Tamb?m se verificou que quanto maior a largura das trilhas, maior a profundidade da jun??o e da regi?o do campo retrodifusor para a mesma concentra??o em superf?cie. No processo para a otimiza??o experimental do emissor, obtiveram-se os valores de resist?ncia de folha em fun??o da temperatura da difus?o. A temperatura e o tempo com os quais se obt?m a resist?ncia de folha de 50 Ω/□, selecionada para a fabrica??o de c?lulas solares com metaliza??o por serigrafia, ? de 820?C e 30 minutos. Da an?lise das c?lulas solares fabricadas constatou-se que a temperatura de queima das pastas afeta o desempenho das c?lulas solares, enquanto que a velocidade da esteira praticamente n?o influencia nos par?metros el?tricos das mesmas. As maiores efici?ncias foram encontradas para a temperatura de queima entre 860 ?C e 880 ?C. 16 Tamb?m se verificou que a espessura do filme anti-reflexo influencia o fator de forma e a corrente el?trica das c?lulas solares. A maior efici?ncia alcan?ada foi de 11,5 %, com fator de forma de 0,74, para a temperatura de queima da pasta de 860 ?C, velocidade da esteira de 190 cm/min e dupla camada anti-reflexo de Si3N4 e TiO2.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 434556.pdf: 1369683 bytes, checksum: f99358643c6291a4c1fd0bae8edb9536 (MD5) Previous issue date: 2011-06-28 / O objetivo desta tese ? analisar a influ?ncia do ataque anisotr?pico e do processo de queima de pastas met?licas em c?lulas solares industriais. Para implementar a malha met?lica em c?lulas solares por serigrafia ? realizado um passo t?rmico de queima de pastas met?licas. Durante este processo, a pasta de prata deve perfurar o filme antirreflexo para estabelecer o contato el?trico com a l?mina de sil?cio. Por?m, este processo pode alterar as propriedades do filme antirreflexo e as caracter?sticas el?tricas das c?lulas solares. Para analisar o efeito deste passo t?rmico nos filmes antirreflexo, depositaram-se, por evapora??o em alto v?cuo com canh?o de el?trons, TiO2, Ta2O5 e Si3N4 sobre as l?minas de sil?cio texturadas, com e sem camada passivadora de SiO2 de 10 nm. As espessuras dos filmes foram definidas considerando a reflex?o m?nima em 550 nm e variaram-se a temperatura e velocidade da esteira do forno usado na queima de pastas. Observou-se que a reflet?ncia m?dia aumentou de 0,5% a 1,5% para os filmes de TiO2 e Ta2O5 e de 1,0% a 2,3% para o filme de Si3N4, deslocando a reflet?ncia m?nima para comprimentos de ondas menores. Concluiu-se que devem ser depositados filmes de maior espessura para compensar estas mudan?as na reflet?ncia. Em rela??o ao processo para forma??o de micropir?mides nas superf?cies, o processo foi otimizado usando a reflet?ncia m?dia como par?metro. Para verificar a influ?ncia da espessura do filme de TiO2 nas caracter?sticas el?tricas de c?lulas solares, foram fabricados dispositivos com estrutura n+pn+.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 444962.pdf: 1192335 bytes, checksum: 99f2c1e4c50a70affaa97a11bf6d814e (MD5) Previous issue date: 2012-12-07 / In this work we compared the antireflection coatings of titanium dioxide and silicon nitride for p+nn+ solar cell fabrication. This type of solar cell is more stable in the long term compared to n+pp+ cells and allows obtaining higher efficiencies. TiO2 films were produced by evaporation in high vacuum by electron beam and by chemical vapor deposition at atmospheric pressure (APCVD). The silicon nitride antireflection layer was obtained by reactive sputtering and by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The films were deposited on textured silicon wafers and were characterized by measuring the spectral reflectance. Solar cells with these films were fabricated and characterized. The deposited films presented very low weighted reflectance, of around 1.8 % for silicon nitride films and 2.6 % for titanium dioxide ones, for any technique used. The lowest average weighted reflectance was obtained with SiNx:H thin films deposited by PECVD, with (1.93 ? 0.08) %. Concerning the homogeneity of the films, silicon nitride films presented the lowest standard deviation in the average weighted reflectance, of around 4 % relative. A thermal process performed at 840 ?C in a belt furnace modifies the average weighted reflectance of about 0.3 % to 0.6 % absolutes for silicon nitride and TiO2 films, respectively. The p+nn+ solar cells doped with boron and phosphorus and metallized by screen printing reached the highest efficiencies where manufactured by using silicon nitride antireflection coating deposited by PECVD. The maximum efficiency of 13.7 % and an average of (13.5 ? 0.2) %, were achievied mainly because they showed a short circuit current density of around 1 mA/cm2 above that from solar cells with the other films investigated in this work. This difference is attributed not only to a low reflectance but also to a better surface passivation of SiNx:H layer. / Neste trabalho foram comparados os filmes antirreflexo de di?xido de tit?nio e de nitreto de sil?cio para fabrica??o de c?lulas solares p+nn+. Este tipo de c?lula solar ? mais est?vel em longo prazo em rela??o ?s c?lulas n+pp+ e permite a obten??o de maiores efici?ncias. Os filmes de TiO2 foram produzidos por evapora??o em alto v?cuo com canh?o de el?trons e por deposi??o qu?mica em fase vapor a press?o atmosf?rica (APCVD). A camada antirreflexo de nitreto de sil?cio foi obtida por sputtering reativo e por deposi??o qu?mica em fase vapor assistida por plasma (PECVD). Os filmes foram depositados em l?minas de sil?cio texturadas e caracterizados pela medida da reflet?ncia espectral bem como foram fabricadas e caracterizadas c?lulas solares com os filmes. Os filmes depositados apresentaram reflet?ncia m?dia ponderada bastante baixas, da ordem de 1,8 % para filmes de nitreto de sil?cio e de 2,6 % para filmes de ?xido de tit?nio, n?o interessando a t?cnica utilizada. A menor m?dia de reflet?ncia ponderada foi obtida com os filmes de SiNx:H depositados por PECVD, com (1,93 ? 0,08) %. No que se refere a homogeneidade dos filmes, os filmes de nitreto de sil?cio foram os que apresentaram o menor desvio padr?o nas m?dias de reflet?ncia ponderada, da ordem de 4 % relativo. Observou-se que um processo t?rmico realizado a 840 ?C em forno de esteira provocou varia??es na reflet?ncia m?dia ponderada da ordem de 0,3 % a 0,6 % absoluto para filmes de nitreto de sil?cio e de TiO2, respectivamente. As c?lulas solares p+nn+, dopadas com boro e f?sforo e metalizadas por serigrafia que atingiram as maiores efici?ncias foram as fabricadas com nitreto de sil?cio depositado por PECVD, atingindo a efici?ncia m?xima de 13,7 % e m?dia de (13,5 ? 0,2) %, principalmente porque apresentaram uma densidade de corrente de curtocircuito da ordem de 1 mA/cm2 superior a de c?lulas solares com os demais filmes estudados nesta disserta??o. Esta diferen?a foi atribu?da n?o somente a uma menor reflet?ncia mas tamb?m a passiva??o de superf?cie mais eficaz do filme de SiNx:H.

Submitted by Caroline Xavier (caroline.xavier@pucrs.br) on 2017-04-07T18:03:32Z No. of bitstreams: 1 DIS_JESSICA_DE_AQUINO_COMPLETO.pdf: 2934640 bytes, checksum: 153da3d44efdfe566dcf3c4a87da1eac (MD5) / Made available in DSpace on 2017-04-07T18:03:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DIS_JESSICA_DE_AQUINO_COMPLETO.pdf: 2934640 bytes, checksum: 153da3d44efdfe566dcf3c4a87da1eac (MD5) Previous issue date: 2017-01-24 / The majority of silicon solar cells manufactured in an industrial scale is processed in Si-Cz p-type substrates and has the n+pp+ structure. In the last decade, the search for efficiency improvements and fabrication cost reductions has been intensified. Since the cell efficiency is limited by optical losses and surface recombination, the rear and front surface passivation is an alternative for the enhancement of the efficiency. The goal of this dissertation is to develop and analyze solar cells with selective back surface field of boron and aluminum and silicon nitride thin films for the passivation of both surfaces. The silicon nitride thin films were deposited by PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition), with ratios of silane to ammonia gas flow of 0.875, 1.5 and 2.0, and deposition time of 60 to 100 seconds, adjusted to form the anti-reflection coating. The thickness of the SiNx films, minority carrier lifetime, electrical parameters, minority carrier diffusion length and quantum efficiency were analyzed and compared. The results indicate that the lower the ratio between the silane and ammonia gas flows and the shorter the deposition time, the higher the efficiency of the solar cells manufactured. Due to the passivation, mainly in the front face, caused by the silicon nitride film deposited with the lower ratio of silane and ammonia gas flow and lower deposition time, we observed an increasing oh the internal quantum efficiency, mainly in shorter wavelength. The efficiency reached was 16.0 %, similar to the efficiency of solar cells with aluminium homogeneous back surface field. / A maioria das c?lulas solares de sil?cio fabricadas em escala industrial ? processada em substratos de Si-Cz tipo p e possuem estrutura n+pp+. Na ?ltima d?cada, intensificou-se a busca por melhores efici?ncias e redu??o dos custos de fabrica??o. Como as c?lulas s?o limitadas pelas perdas ?pticas e pela recombina??o nas superf?cies, a passiva??o da superf?cie posterior, al?m da superf?cie frontal, ? uma alternativa para aumentar a efici?ncia dos dispositivos. O objetivo dessa disserta??o ? desenvolver e avaliar c?lulas solares com campo retrodifusor seletivo de boro e alum?nio e passivadas com filme fino de nitreto de sil?cio em ambas as faces. Os filmes de nitreto de sil?cio foram depositados por PECVD (plasmaenhanced chemical vapor deposition) com a raz?o da vaz?o dos gases silano e am?nia de 0,875, 1,5 e 2,0 e tempos de deposi??o de 60 a 100 segundos, ajustados para formar o filme antirreflexo. Analisaram-se e compararam-se a espessura do filme, o tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios, os par?metros el?tricos, o comprimento de difus?o e a efici?ncia qu?ntica. Os resultados indicaram que quanto menor a raz?o entre o fluxo dos gases silano e am?nia e menor tempo de deposi??o, maior a efici?ncia das c?lulas solares fabricadas. Devido a maior passiva??o, principalmente na face frontal provocada pelo filme de nitreto de sil?cio depositado com a menor raz?o da vaz?o dos gases silano e am?nia e menor tempo de deposi??o, observou-se um aumento da efici?ncia qu?ntica interna, principalmente para menores comprimentos de onda e alcan?ou-se a efici?ncia de 16,0 %, similar ? efici?ncia das c?lulas solares com emissor homog?neo de alum?nio.

Submitted by Setor de Tratamento da Informa??o - BC/PUCRS (tede2@pucrs.br) on 2016-05-25T14:14:02Z No. of bitstreams: 1 TES_SERGIO_BOSCATO_GARCIA_COMPLETO.pdf: 4679313 bytes, checksum: 9d9d88508ab3cba6c986903ea518c84b (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-25T14:14:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 TES_SERGIO_BOSCATO_GARCIA_COMPLETO.pdf: 4679313 bytes, checksum: 9d9d88508ab3cba6c986903ea518c84b (MD5) Previous issue date: 2016-03-30 / The solar cell industry is based on manufacturing n+pp+ devices with phosphorus emitter and aluminum back surface field. Studies show that the exposure to solar radiation may cause the degradation of electrical characteristics of these devices, which does not occur in solar cells made with n-type silicon. Furthermore, ntype silicon has a highest minority carrier lifetime and it is less sensitive to the presence of impurities when compared to p-type substrates. With the goal of the development of p+nn+ solar cells, experimental manufacturing processes were carried out to produce devices with homogeneous emitter, obtained from BBr3 and spin-on dopant, selective emitter formed by laser radiation and deposition of the antireflection coating (AR) by evaporation and atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD). In solar cells with homogeneous emitter formed by BBr3 and oxidation followed by annealing at 400 ?C with form ing gas provides a minimum surface passivation. It was observed that the electrical characteristics of the solar cells manufactured in n-type solar grade silicon are highly affected by the number of high-temperature thermal steps. The maximum efficiency of solar cells with emitter formed by BBr3 was 12.7%. The open circuit voltage values of solar cells with selective emitter were less than 560 mV, indicating that deterioration of the melting region by the laser radiation occurs, and the best solar cell achieved 11.6% efficiency. In general, devices with homogeneous emitter formed by spin-on showed higher efficiencies compared to the others, reaching 14.3% for solar cells with front grid formed with the PV3N1 metal paste. The TiO2 AR coatings deposited by APCVD and with the annealing at temperature of 400 ?C res ults in surface passivation, increasing the efficiency of the devices to 0.5% (absolute), which does not occur in AR coatings deposited by evaporation. / A ind?stria de c?lulas solares est? baseada na fabrica??o de dispositivos com estrutura n+pp+, com emissor de f?sforo e campo retrodifusor de alum?nio. Estudos mostram que a exposi??o ? radia??o solar pode causar a degrada??o das caracter?sticas el?tricas destes dispositivos, o que n?o ocorre em c?lulas solares fabricadas em sil?cio tipo n. Al?m disto, o sil?cio tipo n possui maior tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios e ? menos afetado pela presen?a de impurezas quando comparado ao sil?cio tipo p. Com o objetivo de desenvolver c?lulas solares p+nn+, processos experimentais de fabrica??o foram realizados para dispositivos com emissor homog?neo, obtido a partir de BBr3 e dopantes depositados por spinon, emissor seletivo formado por radia??o laser e deposi??o de filmes antirreflexo (AR) por evapora??o e deposi??o qu?mica em fase vapor (APCVD). Em c?lulas solares com emissor homog?neo formado por BBr3 foi observado que a oxida??o seguida de recozimento a 400 ?C com forming gas proporciona uma m?nima passiva??o de superf?cie. Observou-se que as caracter?sticas el?tricas das c?lulas fabricadas em sil?cio grau solar tipo n s?o altamente afetadas pelo n?mero de passos t?rmicos de alta temperatura. A efici?ncia m?xima obtida em dispositivos com emissor formado por BBr3 foi de 12,7%. Os valores de tens?o de circuito aberto das c?lulas com emissores seletivos foram inferiores a 560 mV, indicando uma deteriora??o na regi?o fundida pela radia??o laser, e a melhor c?lula solar atingiu 11,6% de efici?ncia. Em geral, os dispositivos com emissores homog?neos formados por spin-on apresentaram efici?ncias superiores em rela??o aos demais, atingindo 14,3% com metaliza??o frontal com a pasta met?lica PV3N1. Filmes AR de TiO2 depositados por APCVD e submetidos ao recozimento em temperaturas da ordem de 400 ?C passivam a superf?cie, aumentando a efici ?ncia dos dispositivos em at? 0,5% (absoluto), o que n?o ocorre em filmes AR depositados por evapora??o.

Submitted by Setor de Tratamento da Informa??o - BC/PUCRS (tede2@pucrs.br) on 2017-03-14T17:19:33Z No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-03-14T17:19:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DIS_RICARDO_AUGUSTO_ZANOTTO_RAZERA_COMPLETO.pdf: 2671041 bytes, checksum: f1125678bbb77f283914b17e91493182 (MD5) Previous issue date: 2017-01-11 / The passivation of silicon solar cell surfaces is important for reducing the recombination rate of electron-hole pairs and, consequently, for improving efficiency. The goal of this work was to analyze the passivation quality obtained with thermal oxidation of solar grade silicon wafers and of solar cells with type p base and selective back surface field, producing thin films of SiO2. First, the dependence of minority carrier lifetime on oxidation time and temperature with and without the addition of chlorine was analyzed. I-V curves and spectral response measurements were conducted to determine the influence of oxidation parameters on the solar cells electrical characteristics. The results related to the oxidation furnace cleaning showed that introducing chlorine during oxidation it was possible to avoid the decline of minority carrier lifetime for silicon of Czochralski type and temperatures higher than 1000 ?C. As regarded to the oxide passivation, it was observed that the effective minority carrier lifetime increases for thicker oxides. The oxidation time and temperature that resulted in the highest efficiencies were 45 min and 800 ?C, resulting in oxide thicknesses on the front and back surfaces of 53 nm and 10 nm, respectively. The best solar cell with selective back surface field and SiO2 passivation presented Jsc = 36.0 mA/cm2, Voc = 598.6 mV and FF = 0.777, corresponding to an efficiency of 16.8 %. / A passiva??o das superf?cies de c?lulas solares ? importante para a redu??o da taxa de recombina??o de pares el?tron-lacuna e, consequentemente, para o aumento de efici?ncia. O objetivo deste trabalho foi analisar a qualidade da passiva??o obtida com oxida??o t?rmica de l?minas de sil?cio grau solar e c?lulas solares com base p e campo retrodifusor seletivo, produzindo filmes finos de SiO2. Primeiramente, foi analisada a depend?ncia do tempo de vida dos portadores de carga minorit?rios com o tempo e temperatura de oxida??o para oxida??es com e sem adi??o de cloro. Medidas de curva I-V e resposta espectral foram realizadas para determinar a influ?ncia dos par?metros de oxida??o nas caracter?sticas el?tricas de c?lulas solares. Os resultados relacionados ? limpeza do tubo de oxida??o mostraram que a introdu??o de cloro durante a oxida??o foi capaz de evitar a diminui??o do tempo de vida dos portadores minorit?rios para l?minas de sil?cio tipo Czochralski para temperaturas de processo maiores que 1000 ?C. Em rela??o a passiva??o atribu?da ao ?xido, foi observado que o tempo de vida efetivo dos portadores minorit?rios aumenta para ?xidos mais espessos. O tempo e a temperatura de oxida??o que resultaram em maiores efici?ncias foram de 45 min e 800 ?C, apresentando uma camada de SiO2 nas faces frontal e posterior de 53 nm e 10 nm, respectivamente. A melhor c?lula solar com campo retrodifusor seletivo e com passiva??o de SiO2 apresentou Jsc = 36,0 mA/cm2, Voc = 598,6 mV e FF = 0,777, correspondendo a uma efici?ncia de 16,8 %.

The SEIU and the AFL-CIO utilized similar rhetorical strategies in creating identification to further change within their organizations. Despite similar rhetorical strategies, the change efforts differ substantially in terms of success. This dissertation argues that the audience, culture and organizational structure influence the success of the change effort. The dissertation provides implications for rhetorical communication in labor unions.