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Explorando as propriedades elétricas e efeitos da irradiação em sais de transferência de carga / Exploring the electrical properties and irradiation effects on charge transfer saltsSônego, Cesar Augusto [UNESP] 22 November 2017 (has links)
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Previous issue date: 2017-11-22 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Os condutores moleculares de Fabre-Bechgaard constituem sistemas de grande interesse para o estudo do efeito de correlação eletrônica em sólidos devido à forte interação eletrônica que apresentam. Tal fenômeno tem sido estudado para melhor entender os mecanismos de fases exóticas que emergem em sólidos com elétrons fortemente correlacionados, como a fase isolante de Mott, o ordenamento de carga e a supercondutividade. Neste trabalho serão apresentados resultados obtidos no grupo Solid State Physics do Departamento de Física da Unesp de Rio Claro, com ênfase nos sistemas de condutores moleculares e como a irradiação por raio-x afeta a fase de ordenamento de carga, através de medidas de constante dielétrica. Também será calculado o parâmetro de Grüneisen fonônico que é dado pela variação da frequência de vibração de um modo vibracional da molécula de interesse devido à variação do volume da célula unitária com a variação de temperatura. / The Fabre-Bechgaard molecular conductors is a system of great interest for the study of electron correlation in solids due to strong electronic interaction they present. Such phenomenon has been studied for better understanding of the mechanisms of the exotic phases that emerge in solids with strongly electrons correlation, the Mott insulating phase, charge ordering and superconductivity are examples of this exotic phases. In the frame of this Master Dissertation we present results obtained by the Solid State Physics group, from Physics department, Unesp - Rio Claro emphasizing the molecular conductors systems and how the x-ray irradiation affects the charge ordering phase, employing dielectrical constant measurements and also the calculation of the phononic Grüneisen parameter that is giving by de change in the frequency of the vibrational mode by the volume variation due to temperature changes.
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Investigação das propriedades de transporte da fase ferroelétrica de Mott-Hubbard em condutores moleculares / Investigation of the transport properties of ferroelectric Mott-Hubbard phase in molecular conductorsMenegasso Filho, Paulo Eduardo [UNESP] 25 February 2016 (has links)
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Previous issue date: 2016-02-25 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / A investigação das propriedades da matéria condensada é atualmente uma das áreas de maior abrangência da Física de fronteira. No corpo deste trabalho de mestrado, além de aspectos fundamentais da Física de Estado Sólido, são apresentados resultados relevantes obtidos pelo grupo “Solid State Physics” da Unesp de Rio Claro com ênfase nas frentes de condutores moleculares e cálculo do parâmetro de Grüneisen. É reportada, pela primeira vez na literatura, uma fase magnetoelétrica induzida predominantemente por correlação eletrônica nos sais de Fabre. Também é apresentado o cálculo do parâmetro de Grüneisen para a transição de fase superuido-líquido convencional no 4He, mostrando a divergência neste parâmetro em transições de fase em temperatura finita. / The investigation of condensed matter properties is one of the most vast fields of frontier Physics. In the frame of this master dissertation, besides some fundamental aspects of Solid State Physics, relevant results obtained by the Solid State Physics Group, from Unesp - Rio Claro, are presented. Mainly the molecular conductors and Gr¨uneisen parameter calculations are highlighted. For the first time, a magnetoelectric phase induced by correlation is reported in the Fabre salts. The calculation of Gr¨uneisen parameter for the superfluid-normal liquid phase transition in 4He is also presented, showing the divergence of this parameter in finite temperature phase transitions.
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Estudos de propriedades de muitos corpos em sistemas confinados : simulacões via Monte Carlo QuânticoMoreira, Nilton Luis 28 August 2009 (has links)
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Previous issue date: 2009-08-28 / Financiadora de Estudos e Projetos / The Quantum Monte Carlo Method has been constituted in a powerful ab-initio tool which can afford accurate estimates of the ground-state properties of quantum many-body systems. With this subject in mind, we first present a review of the method in the well-known variations: the Variational Monte Carlo and Diffusion Monte Carlo. We have applied both methods to quantum dots containing up to 10 electrons confined to a hard wall spherical model. After the general ground-state analysis we present the Time Correlation Quantum Monte Carlo for excited states and apply to quantum dot molecules. Finally, as a first application we compare our results to models found in the literature, in order to calibrate our code. / O método de Monte Carlo Quântico tem se constituído em uma poderosa ferramenta de primeiros princípios capaz de fornecer estimativas precisas das propriedades dos estados fundamental e excitado para sistemas de muitos corpos. Tendo isto em mente, nós primeiramente apresentamos uma revisão do método em suas variações mais populares: O Monte Carlo Variacional (MCV) e Monte Carlo Difusão (MCD). Nós aplicamos o método, ambos, MCV e MCD, para pontos quânticos esféricos com potencial do tipo parede dura com até 10 elétrons confinados. Em seguida nós apresentamos o Monte Carlo Quântico com Correlação Temporal, aplicamos para moléculas de pontos quânticos e comparamos com resultados da literatura para calibração do código.
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Estudo do efeito da correlação do alvo no espalhamento de elétrons por moléculas pequenas na faixa de energias baixas e intermediária.Cerqueira Sobrinho, Antonio Moreira de 26 March 2004 (has links)
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Previous issue date: 2004-03-26 / Financiadora de Estudos e Projetos / In this present work, we have carried out a theoretical investigation on the
influence of the target electronic correlation on electron elastic scattering by molecules.
Calculated differential, integral and momentum-transfer cross sections on electron elastic
scattering by nitrous oxide (N2O) and carbon dioxide (CO2), in low energy range (0.1-20
eV), and carbon monosulfide (CS) and silicon monosulfide (SiS), in low and
intermediate energy range (0.1-500 eV) are reported. In this study target wave functions
at the Hartree-Fock-Roothaan (HFR) and with single-double excitation configuration
interaction (SDCI) levels were calculated. The dynamics of electron-molecule interaction
is described by a complex optical potential formed by static, of exchange and correlationpolarization
contributions, and for e−CS and e−SiS collisions, we include also the
absorption contribution, as the imaginary part of optical potential, to account for the
influence of inelastic channels at higher energies. The Schwinger variational iterative
method (SVIM) combined with distorted-wave approximation is applied to calculate the
scattering amplitudes. The results of cross sections, calculated for both HFR and SDCI
functions are presented and compared, along with experimental and/or other theoretical
results available in the literature. / Neste trabalho, efetuamos uma investigação teórica sobre a influência da
correlação eletrônica do alvo no espalhamento elástico de elétrons por moléculas.
Determinamos as seções de choque diferenciais, integrais e de transferência de momento
no espalhamento elástico de elétrons pelas moléculas óxido nitroso (N2O) e dióxido de
carbono (CO2), na faixa de energia baixa (0,1-20 eV), e monosulfeto de enxofre (CS) e
monosulfeto de silício (SiS), na faixa de energia baixa e intermediária (0,1-500 eV). Para
isso, as moléculas alvo são tratadas ao nível de Hartree-Fock-Roothaan (HFR) e
interação de configurações com excitações simples e dupla (SDCI) utilizando os orbitais
naturais. A dinâmica da interação elétron-molécula é descrita por um potencial ótico
complexo composto por contribuições de estático, de troca e de correlação-polarização e,
no caso das colisões e−CS e e−SiS, acrescentamos a contribuição de absorção, como a
parte imaginária do potencial ótico, para descrever a influência de canais inelásticos nas
energias mais altas. O método variacional iterativo de Schwinger (SVIM) combinado
com a aproximação em ondas distorcidas (DWA) é aplicado para calcular as amplitudes
de espalhamentos. Os resultados para as seções de choque, com funções HFR e SDCI são
apresentados para comparação, para todas as moléculas estudadas, juntamente com
outros resultados teóricos e/ou experimentais disponíveis na literatura.
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Proposta para a análise de dados de detectores de ondas gravitacionais esféricos utilizando um modelo de transdutores independentes.César Henrique Lenzi 06 June 2006 (has links)
Apresentamos neste trabalho um método desenvolvido com o objetivo de analisar os dados do detector de ondas gravitacinais Mario Schenberg, considerando este como uma rede de seis detectores tipo barra, cada qual acoplado a um transdutor. Baseando-se neste novo ponto de vista , calculamos a função de transferência de um modelo que prevê um único transdutor acoplado à suoperfície esférica. Desta forma, comparando o espectro dos dados de cada transdutor e comparando com a função de transferência cauculada neste trabalho, pudemos estimar qual a massa efetiva da barra equivalente sentida por cada um dos transdutores. Com base na mesma idéia, construímos um filtro de correlação (Matched Filter) , que nos permitiu identificar um determinado sinal gravitacional nos dados de saída de cada um dos transdutores de forma independente. Além disso construímos um código computacional para determinar a direção da onda gravitacional incidente, utilizando um método proposto para uma rede de 5 detectores tipo barra. Os resultados obtidos mostram que a precisão na determinação da direção da onda esta intimamente ligada com a relação sinal-ruído dos dados. Concluímos que este é um método promissor, pois nos permite analisar os dados e obter candidatos a onda gravitacional com um único transdutor, foto importante devido ao foto de se colocar todos os seis tansdutores em funcionamento simultâneo. E, caso tenhamos cinco transdutores em funcionamento, com o auxílio do filtro de correlação, podemos resolver o problema inverso.
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O efeito da correlação eletrônica em clusters de Boro aromáticos: um estudo via Monte Carlo quântico / The electron correlation effect on small aromatic boron clusters: a study via uantum Monte CarloMoreira, Emanuel Melo Isaac 08 April 2015 (has links)
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Previous issue date: 2015-04-08 / Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq / In this work we used a combination of density functional theory and quantum
Monte Carlo methods to study the effect of electron correlation on stability and aromaticity
of anionic Boron clusters (B−
3 and B−
4 ). We found that, in general, the cyclic isomer
is energetically more stable than its open linear counterpart. Based on principles of minimum
energy and electrophilicity, and maximum hardness, diffusion Monte Carlo indicates
that B−
3 cluster is aromatic, however, the results are not conclusive with respect to the B−
4
cluster. Calculations were also performed within the Hartree–Fock approximation. From
the obtained results, we analysed the impact of the electron correlation effects in these
clusters and found that the correlation of the electrons contributes significantly to the
ionization potential and electron affinities varying between 31% and 66% of their total
values. / Neste trabalho combinamos a teoria do funcional da densidade com o método
de Monte Carlo quântico para estudar o efeito da correlação eletrônica na estabilidade e
na aromaticidade de clusters de boro aniônicos (B−
3 e B−
4 ). Verificamos que, em geral, o
isômero cíclico é energeticamente mais estável que sua respectiva estrutura linear. Com
base no princípio da mínima energia e eletrofilicidade, e máxima dureza, o método Monte
Carlo por difusão indicou que o cluster B−
3 é aromático, porém, os resultados para o
cluster B−
4 ainda não são conclusivos.
Realizamos também cálculos com a aproximação de Hartree-Fock. Dos resultados
obtidos, analisamos o impacto do efeito da correlação nesses clusters e verificamos que
a correlação dos elétrons contribuem significativamente para o potencial
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Investigação das propriedades físicas de metais moleculares, da terra preta de índio e o parâmetro de Grüneisen fonônico /Mello, Isys Fernandes January 2019 (has links)
Orientador: Valdeci Pereira Mariano de Souza / Resumo: Neste trabalho de Mestrado foram explorados aspectos fundamentais da Fı́sica do Estado Sólido através de três frentes de pesquisa. A primeira e principal frente de pesquisa é referente ao estudo da chamada fase ferroelétrica de Mott-Hubbard nos condutores moleculares orgânicos quase-unidimensionais da famı́lia (TMTTF)2X, onde TMTTF é a molécula tetrametiltetratiafulvaleno e X é um contra-ânion monovalente. Tal investigação foi realizada através de experimentos de constante dielétrica e o denominado Positive Up Negative Down (PUND) a qual permite obter informações acerca da polarização elétrica intrı́nseca de um sistema ferroelétrico. Os resultados mostram a anisotropia para a constante dielétrica e a presença de polarização intrı́nseca abaixo de Tco . Uma segunda frente é relacionada às oscilações de cargas em sólidos onde foi investigado o quão suscetı́vel tais oscilações são à variações de volume. Esta análise foi realizada através do cálculo do parâmetro de Grüneisen fonônico para a frequência de plasma. Os cálculos realizados mostram que as oscilações de carga são fortemente influenciadas por variações de volume e, consequentemente de pressão. A última frente de estudo é relacionada ao solo da Amazônia conhecido como Terra Preta de Índio para o qual foram realizadas medidas de ressonância paramagnética eletrônica. Esta permitiu obter informações acerca de propriedades conectadas ao spin eletrônico do sistema. As medidas mostram um possı́vel ordenamento ferromagnético na T... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: In this Master thesis, fundamental aspects of Solid State Physics were explored through three research topics. The first and main research topic is the investigation of the so-called Mott-Hubbard ferroelectric phase in quasi-one-dimensional organic molecular conductors of the (TMTTF)2X family, where TMTTF is the tetramethyltetrathiafulvalene molecule and X is a monovalent counter-anion. This investigation was carried out through dielectric constant and the so-called Positive Up Negative Down (PUND) experiments, which enable to obtain physical information about the intrinsic electric polarization of a ferroelectric system. Our results reveled the anisotropy of the the dielectric constant and the presence of intrinsic electric polarization below Tco . The second topic is related to the charge oscillations in solids, the so-called plasma frequency, where it was investigated how susceptible such frequency is to volume variations. This analysis was performed by calculating the phononic Grüneisen parameter for the plasma frequency. The calculations reveled that the charge oscillations are strongly influenced by changes in volume and, consequently, of pressure. The last research topic is related to the Amazonian soil known as Terra Preta de Índio, for which electron spin resonance measurements were performed. This allowed to obtain information about properties connected to the electronic spin of the system. The measurements reveled a possible ferromagnetic ordering in TPI, which may... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre
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Pseudo jahn-teller versus reconstrucao quimica : oxigenio em silicio. / Pseudo Jahn-Teller versus chemical reconstruction: oxygen in silicon.Camargo, Francisco de Paula 03 September 1990 (has links)
Estudamos neste trabalho o comportamento da impureza oxigênio em rede cristalina de silício, usando primeiramente o método INDO (lntermediate Neglect of Differential Overlap) com parametrização espectroscópica e incluímos os efeitos de muitos elétrons via Método CI-(Interacão de Configuração). Fazemos uma análise sobre as possíveis origens do posicionamento não-central (off-center) dessa impureza, - se decorrente de uma distorsão Pseudo Jahn-Teller: - se originária de um CR Reconstrução Química. Quando o átomo de Oxigênio é deslocado ao longo da direção [100] ocupa um sitio de mínimo absoluto. O oxigênio introduz no gap de banda um orbital anti-ligante de simetria a1 totalmente ocupado, situação semelhante à dos anti-sitios em materiais semi-condutores III-V. Estudamos também o comportamento dessa impureza quando a mesma é deslocada ao longo da direção [111], verificando que é criada uma posição de Instabilidade mas, os auto-valores têm comportamento não esperado para orbitais anti-ligantes. / In this work we studied the Oxygen impurity in Silicon. The calculations were performed using a semi-empirical method (INDO/S) with Configuration Interaction to account for many-electron effects. We analyse the origin of the off-center position for substitutional oxygen. Pseudo Jahn-Teller distortion or Chemical Rebonding effects. The oxygen introduces an a1 anti-bonding state in the forbidden band-gap similar to anti-site defects in III-V materials. To answer the question about distortion, we also studied oxygen dislocation in the (111) direction and we obtained a metastable state but his eigen-value has a non-expected behavior for anti-bonding orbitals.
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Pseudo jahn-teller versus reconstrucao quimica : oxigenio em silicio. / Pseudo Jahn-Teller versus chemical reconstruction: oxygen in silicon.Francisco de Paula Camargo 03 September 1990 (has links)
Estudamos neste trabalho o comportamento da impureza oxigênio em rede cristalina de silício, usando primeiramente o método INDO (lntermediate Neglect of Differential Overlap) com parametrização espectroscópica e incluímos os efeitos de muitos elétrons via Método CI-(Interacão de Configuração). Fazemos uma análise sobre as possíveis origens do posicionamento não-central (off-center) dessa impureza, - se decorrente de uma distorsão Pseudo Jahn-Teller: - se originária de um CR Reconstrução Química. Quando o átomo de Oxigênio é deslocado ao longo da direção [100] ocupa um sitio de mínimo absoluto. O oxigênio introduz no gap de banda um orbital anti-ligante de simetria a1 totalmente ocupado, situação semelhante à dos anti-sitios em materiais semi-condutores III-V. Estudamos também o comportamento dessa impureza quando a mesma é deslocada ao longo da direção [111], verificando que é criada uma posição de Instabilidade mas, os auto-valores têm comportamento não esperado para orbitais anti-ligantes. / In this work we studied the Oxygen impurity in Silicon. The calculations were performed using a semi-empirical method (INDO/S) with Configuration Interaction to account for many-electron effects. We analyse the origin of the off-center position for substitutional oxygen. Pseudo Jahn-Teller distortion or Chemical Rebonding effects. The oxygen introduces an a1 anti-bonding state in the forbidden band-gap similar to anti-site defects in III-V materials. To answer the question about distortion, we also studied oxygen dislocation in the (111) direction and we obtained a metastable state but his eigen-value has a non-expected behavior for anti-bonding orbitals.
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Propriedades eletrônicas e estruturais de clusters metálicos via métodos ab initio / Eletronic and strustural properties of metal clusters by ab initio methodsDamasceno Junior, Jose Higino 25 September 2015 (has links)
Submitted by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-10-29T18:35:28Z
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Previous issue date: 2015-09-25 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Goiás - FAPEG / Clusters systems are very different from molecules or their bulk materials, since
they exhibit many specific properties. As example, the bond in metallic clusters of metallic
atoms is intermediate between metallic and covalent bonding. In general, the structural and
electronic properties of these systems are very difficult to measure experimentally, and
therefore theoretical modeling is very important in characterizing them. In this thesis, we
employed ab initio methods to study metallic clusters such as the aluminum hydride
clusters as well as a few aromatic metal clusters. The optimized geometries of the studied
clusters have been determined using DFT. The electronic structures of these systems were
investigated using the QMC methods. The calculations were carried out within the
Variational (VMC) and fixed-node diffusion (DMC) quantum Monte Carlo methods. The
calculations are also performed in the Hartree-Fock (HF) approximation in order to analyze
the impact of electron correlation. With regards the aluminum hydride clusters, the total
atomic binding energy impact varies from ~20% up to about ~50%, whereas for the
electron binding energy it ranges from ~1% up to ~73%. The decomposition of the electron
binding energies clearly shows that both charge redistribution and electron correlation are
important in determining the detachment energies, whereas electrostatic and exchange
interactions are responsible for the ionization potential. For the aromatic metal clusters, the
presence of a dopant plays important role in their electronic properties enhancing their
binding energy, electron affinity, hardness and resonance energy. / Clusters são sistemas bastante diferentes de moléculas e sólidos, pois exibem
propriedades bastante peculiares. Por exemplo, a ligação em um cluster metálico tem
intensidade intermediária entre as ligações covalentes e metálicas. Em geral, as
propriedades eletrônicas e estruturais desses sistemas são bastante difíceis de serem
medidas experimentalmente e, portanto, uma modelagem teórica é muito importante na
caracterização desses. Nesta Tese, utilizamos métodos ab initio para estudar clusters
metálicos, tal como clusters de hidretos de alumínio assim como também alguns clusters
metálicos aromáticos. As estruturas geométricas dos clusters estudados foram otimizadas
via DFT. A estrutura eletrônica desses clusters foi investigada usando o método de Monte
Carlo Quântico Variacional (MCQD) e de difusão (MCQD) com aproximação de nós fixos.
Os cálculos também foram realizados a partir da aproximação de Hartree-Fock, afim de se
analisar o impacto da energia de correlação eletrônica. Para os hidretos de alumínio, a
energia de correlação eletrônica tem impacto na energia total de ligação variando de 20% a
50%. Da mesma maneira, a energia de ligação de um elétron ao cluster tem grande
contribuição da energia de correlação eletrônica, variando de 1% a 73%. A decomposição
da energia de ligação mostra claramente que a relaxação e a correlação eletrônica são
importantes na determinação da afinidade eletrônica, enquanto que a interação de troca
eletrostática é responsável pelo potencial de ionização. Para os clusters aromáticos, a
presença do dopante desempenha um importante papel nas propriedades desses clusters,
uma vez que otimiza a energia de ligação, a afinidade eletrônica, a dureza e a energia de
ressonância.
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